特點(diǎn)
ISSI IS62/65WVS5128FALL/FBLL是4M位串行
靜態(tài)RAM組織為512K字節(jié)乘8位。這是一個(gè)
兩個(gè)2Mb串行SRAM的雙芯片堆疊。
通過簡(jiǎn)單的串行外設(shè)訪問該設(shè)備
接口（SPI）兼容串行總線。公交車信號(hào)
需要時(shí)鐘輸入（SCK）和單獨(dú)的數(shù)據(jù)輸入
（SI）和數(shù)據(jù)輸出（SO）線。訪問設(shè)備是
通過芯片選擇（CS#）輸入進(jìn)行控制。
此外，SDI（串行雙接口）和SQI（串行
如果您的應(yīng)用程序需要，則支持四接口
更快的數(shù)據(jù)速率。
此設(shè)備還支持對(duì)以下內(nèi)容進(jìn)行無限制的讀取和寫入
存儲(chǔ)器陣列。
IS62/65WVS5128FALL/FBLL有
標(biāo)準(zhǔn)8針SOIC封裝。
描述
?SPI兼容總線接口：-16/20 MHz時(shí)鐘速率-SPI/SDI/SQI模式
?低功耗CMOS技術(shù)：-讀取電流：3.6V、20MHz、85°C時(shí)最大16mA-CMOS待機(jī)電流：8?A（典型值）
?512K x 8位組織：-32字節(jié)頁面
?字節(jié)、頁面和順序模式用于讀取和
寫作
?支持的溫度范圍：-工業(yè)（I）：-40°C至+85°C-汽車（A3）：-40℃至+125℃
?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)-8針SOIC封裝
