中科微電 ZK60G270TL

NPN管功率MOS管半導(dǎo)體

型號(hào)： ZK60G270TL

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

N/P N
BVdss 60V
ID 270A
Vgs ±20V
Vth 2.8V

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

ZK60G270TL.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

如需了解產(chǎn)品詳情請聯(lián)系我們

為你推薦

產(chǎn)品文章資料

中科微電ZK30N100G2025-10-17 10:46

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100G V DSS：30 V GS (th)_：1.5 典型導(dǎo)通電阻：3.8
中科微電ZK30N100T2025-10-17 10:28

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100T 耐壓：280V 輸入邏輯兼容：5V、3.3V 封裝：SOP8
中科微電ZK21312025-10-17 10:10

產(chǎn)品型號(hào)：ZK2131 耐壓：280V 輸入邏輯兼容：5V/3.3V 封裝：SOP8
中科微電MOS管ZK30N100G 30V 90A2025-10-15 17:55

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100G BVdss：30V ID：90A Typ：3.4 Vgs：±20
中科微電ZK30N140T 30V 140A2025-10-15 17:45

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N140T BVdss：30V ID：140A Vgs：±20 Typ：1.64
中科微電mos管ZK60N20DG2025-09-30 11:20

產(chǎn)品型號(hào)：ZK60N20DG BVdss：60V ID：20A Vgs：±20 Typ：27
中科微電mos管ZK30N100Q2025-09-30 11:13

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100Q BVdss：30V ID：90A Vgs：±20 Typ：3.6
中科微電MOS管ZK60N20DS2025-09-30 10:59

產(chǎn)品型號(hào)：ZK60N20DS BVdss：60V ID：20A Vgs：±20 Typ：29
中科微電ZK60G270G CLIP SGT車規(guī)級2025-09-25 09:30

產(chǎn)品型號(hào)：ZK60G270G 封裝：PDFN5x6 批次：2025+ BVDSS：60V Id：270A
中科微電ZK100G325TL2025-09-22 14:17

產(chǎn)品型號(hào)：ZK100G325TL BVdss：100 ID：411 Vgs：±20 電阻：0.98

ZK100G325P深度應(yīng)用解析：SGT工藝賦能的中低壓MOS管大功率場景革新2025-10-24 17:53

中科微電ZK100G325P作為N溝道功率MOS管，以100V耐壓、超300A持續(xù)電流的硬核參數(shù)，融合SGT（屏蔽柵晶體管）工藝與高適配封裝，不僅精準(zhǔn)破解這一行業(yè)痛點(diǎn)，更在工業(yè)驅(qū)動(dòng)、新能源儲(chǔ)能、消費(fèi)電子三大領(lǐng)域構(gòu)建起“高效能-高可靠-低成本”的應(yīng)用生態(tài)，成為國產(chǎn)中低壓大功率器件的標(biāo)桿選擇。

MOS 場效應(yīng)管電子元器件
98瀏覽量
中科微電ZK60N20DG場效應(yīng)管：60V/20A的高效能半導(dǎo)體解決方案2025-10-23 17:40

在電力電子領(lǐng)域，場效應(yīng)管（MOSFET）作為能量轉(zhuǎn)換與電路控制的核心器件，其性能參數(shù)直接決定了整機(jī)系統(tǒng)的效率、可靠性與集成度。ZK60N20DG作為一款專注于中低壓應(yīng)用場景的N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管，憑借60V耐壓值、20A持續(xù)電流及先進(jìn)的Trench溝槽工藝，在工業(yè)控制、消費(fèi)電子與汽車電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。

MOS 場效應(yīng)管電子元器件驅(qū)動(dòng)芯片
278瀏覽量
ZK100G68P：一款高性能功率半導(dǎo)體器件的深度解析2025-10-22 16:01

在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件作為能量轉(zhuǎn)換與控制的核心部件，其性能直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性、效率與可靠性。ZK100G68P作為一款典型的功率器件，憑借其精準(zhǔn)的參數(shù)設(shè)計(jì)與穩(wěn)定的工作特性，在工業(yè)控制、汽車電子、電源設(shè)備等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。

MOS 場效應(yīng)管電子元器件
99瀏覽量
ZK30N100G：Trench工藝加持的100A低壓MOS管，重構(gòu)低壓功率控制新生態(tài)2025-10-22 10:59

在低壓功率電子領(lǐng)域，“大電流承載”與“低損耗運(yùn)行”始終是終端設(shè)備追求的核心目標(biāo)。中科微電推出的ZK30N100G N溝道MOS管，以30V額定電壓為基礎(chǔ)，突破100A連續(xù)導(dǎo)通電流上限，融合先進(jìn)Trench（溝槽）工藝與高適配性TO-252-2L封裝，精準(zhǔn)破解汽車電子、消費(fèi)級大功率設(shè)備、工業(yè)低壓控制等場景的電流瓶頸與能效痛點(diǎn)。

MOS 場效應(yīng)管電子元器件驅(qū)動(dòng)芯片
77瀏覽量
ZK30N140T：Trench工藝賦能的30V/140AN溝道MOS管，重塑低壓大電流應(yīng)用新標(biāo)桿2025-10-22 09:42

在低壓大電流功率電子領(lǐng)域，MOS管的導(dǎo)通損耗、電流承載能力與封裝適配性，直接決定了終端設(shè)備的能效、可靠性與設(shè)計(jì)靈活性。中科微電推出的ZK30N140TN溝道MOS管，憑借30V額定電壓、140A超大電流、TO-252-2L封裝與先進(jìn)Trench（溝槽）工藝的深度融合，精準(zhǔn)攻克了汽車電子、工業(yè)電源、消費(fèi)級大功率設(shè)備等場景的核心痛點(diǎn)，成為低壓功率調(diào)控領(lǐng)域的“性能

MOS 場效應(yīng)管電子元器件
82瀏覽量
ZK100G08P應(yīng)用全景：TO-220封裝與SGT工藝驅(qū)動(dòng)多場景功率控制升級2025-10-21 11:38

在功率電子領(lǐng)域，“適配性”與“可靠性”是器件立足市場的核心。中科微電推出的ZK100G08PN溝道MOSFET，以100V耐壓、88A連續(xù)漏極電流為性能基底，融合SGT（超結(jié)溝槽柵）先進(jìn)工藝與經(jīng)典TO-220封裝，既延續(xù)了TO-220封裝在散熱與裝配上的普適性，又憑借SGT工藝突破傳統(tǒng)MOSFET的損耗瓶頸，在工業(yè)控制、消費(fèi)電子、備用電源等中小型功率場景中實(shí)

MOS 場效應(yīng)管電子元器件驅(qū)動(dòng)芯片
104瀏覽量
ZK100G08T：SGT工藝加持的緊湊型MOSFET，賦能中小型功率設(shè)備高效運(yùn)行2025-10-21 10:54

在中小型功率電子設(shè)備朝著“小型化、低功耗、高可靠性”升級的進(jìn)程中，MOSFET作為電能控制的核心器件，其性能與尺寸的平衡成為設(shè)計(jì)關(guān)鍵。中科微電推出的ZK100G08TN溝道MOSFET，以100V耐壓、88A電流承載能力為基礎(chǔ)，融合SGT（超結(jié)溝槽柵）工藝與TO-252-2L緊湊型封裝，精準(zhǔn)匹配工業(yè)控制、消費(fèi)電子、汽車電子等中小型功率場景需求。

MOS 場效應(yīng)管電子元器件驅(qū)動(dòng)芯片
127瀏覽量
ZG6287A：集成二極管的三相電能調(diào)控芯片，賦能多場景穩(wěn)定運(yùn)行2025-10-21 09:33

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，高集成度、寬適配性的芯片是推動(dòng)電子系統(tǒng)小型化、高效化的核心動(dòng)力。中科微電推出的ZG6287A芯片，以260V三相輸入規(guī)格為基礎(chǔ)，融合7V-20V寬范圍輸出、集成二極管等關(guān)鍵特性，搭配TSSOP20與QFN20雙封裝選項(xiàng)，成為消費(fèi)電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域的理想電能調(diào)控解決方案，為設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行提供堅(jiān)實(shí)支撐。

MOS 場效應(yīng)管電子元器件驅(qū)動(dòng)芯片
80瀏覽量
ZG2131：300V單相驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的國產(chǎn)精銳芯片2025-10-20 15:52

ZG2131的價(jià)值，不僅在于其300V耐壓、10V-20V寬壓、SOP8封裝等參數(shù)的精準(zhǔn)適配，更在于它為國產(chǎn)驅(qū)動(dòng)芯片提供了“細(xì)分領(lǐng)域突破”的思路——通過聚焦中高壓單相驅(qū)動(dòng)這一細(xì)分場景，針對性解決電壓波動(dòng)、空間限制、成本控制等實(shí)際問題，最終實(shí)現(xiàn)從“替代進(jìn)口”到“優(yōu)化體驗(yàn)”的跨越。未來，隨著國產(chǎn)芯片技術(shù)的持續(xù)迭代，ZG2131有望在更多場景中發(fā)揮價(jià)值，推動(dòng)國內(nèi)電

MOSFET 場效應(yīng)管電子元器件驅(qū)動(dòng)芯片
306瀏覽量
從適配到超越：ZK100G200B替代IRFB4110PBF的全場景解決方案2025-10-20 14:16

IRFB4110PBF作為安森美等國際品牌的經(jīng)典N溝道功率MOSFET，長期以來憑借100V耐壓、180A電流的性能，成為工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源車載低壓系統(tǒng)、大功率電源的“標(biāo)配器件”。但近年來，受國際供應(yīng)鏈波動(dòng)、采購成本高企等問題影響，企業(yè)對高性價(jià)比國產(chǎn)替代方案的需求日益迫切。

MOS 場效應(yīng)管電子元器件驅(qū)動(dòng)芯片
80瀏覽量