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深圳市滿度科技有限公司

PSRAM存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商

14 內(nèi)容數(shù) 3.2k 瀏覽量 0 粉絲

國(guó)產(chǎn)SRAM存儲(chǔ)芯片CSS6404LS-LI

型號(hào): CSS6404LS-LI

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 電壓 3.3V
  • 容量 64Mbit
  • 封裝 SOP8

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CS56404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 產(chǎn)品特點(diǎn)及核心優(yōu)勢(shì):

核心特點(diǎn)

接口與模式

支持 SPI(單線)QPI(四線) 模式,默認(rèn)上電為 SPI 模式,可通過(guò)指令切換至 QPI。

SDR(單倍數(shù)據(jù)率) 操作,時(shí)鐘頻率最高達(dá) 133MHz(32字節(jié)回環(huán)突發(fā)模式,VDD=3.0V±10%)。

容量與組織

64Mb(8M × 8位) 存儲(chǔ)空間,支持 23位地址線(A[22:0]) 字節(jié)尋址。

1KB 頁(yè)大小,支持跨頁(yè)連續(xù)讀寫(線性突發(fā)模式)。

電源與功耗

單電源供電(2.7V–3.6V),兼容 3.3V 系統(tǒng)。

超低待機(jī)電流

350μA @ 105℃(高溫?cái)U(kuò)展級(jí))

250μA @ 85℃(工業(yè)級(jí))

Halfsleep? 模式:數(shù)據(jù)保持時(shí)典型功耗僅 100μA @ 25℃。

刷新機(jī)制

自管理刷新(Self-managed Refresh):無(wú)需主機(jī)干預(yù),簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低軟件開銷。

性能模式

線性突發(fā)(Linear Burst)

支持最高 84MHz 時(shí)鐘,可跨頁(yè)邊界連續(xù)讀寫(需滿足時(shí)序 tCEM)。

32字節(jié)回環(huán)突發(fā)(Wrapped Burst)

支持最高 133MHz @ 3.0V / 109MHz @ 3.3V,適用于固定長(zhǎng)度數(shù)據(jù)塊操作。

通過(guò)指令 Wrap Boundary Toggle('hC0) 動(dòng)態(tài)切換兩種模式。

封裝

SOP-8L(150mil):標(biāo)準(zhǔn)封裝,成本優(yōu)化。

USON-8L(3×2mm):超小尺寸,適合空間受限設(shè)計(jì)(如穿戴/IoT設(shè)備)。

溫度范圍

工業(yè)級(jí):-40℃ ~ +85℃

擴(kuò)展級(jí):-40℃ ~ +105℃(高溫應(yīng)用場(chǎng)景)。

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