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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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MTD5N05-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): MTD5N05-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

MTD5N05-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高效率的電子應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為 60V,柵源電壓(VGS)可達(dá) ±20V,閾值電壓(Vth)為 1.7V。其導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 在 VGS 為 4.5V 時(shí)為 85mΩ,在 VGS 為 10V 時(shí)為 73mΩ。該器件的最大漏電流(ID)可達(dá)到 18A,結(jié)合先進(jìn)的 Trench 技術(shù),MTD5N05-VB 能夠在低功耗、高效率的條件下實(shí)現(xiàn)快速開關(guān),廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: MTD5N05-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **VDS**: 60V(漏源電壓)
- **VGS**: ±20V(柵源電壓)
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS = 4.5V
 - 73mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電源管理**:
  MTD5N05-VB 非常適合用于開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,能夠高效管理能量轉(zhuǎn)換,減少功耗,提高系統(tǒng)的整體效率,確保穩(wěn)定的輸出。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  在電機(jī)控制應(yīng)用中,該 MOSFET 可用于直流電機(jī)和無刷電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路,支持高電流和快速開關(guān),適用于工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人以及電動(dòng)工具等領(lǐng)域。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)**:
  MTD5N05-VB 可廣泛應(yīng)用于 LED 驅(qū)動(dòng)電路,能夠以極低的導(dǎo)通電阻高效驅(qū)動(dòng) LED,常見于照明設(shè)備、汽車燈光和背光顯示應(yīng)用。

4. **消費(fèi)電子**:
  在移動(dòng)設(shè)備和智能家居產(chǎn)品中,該 MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng),優(yōu)化充放電過程,延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間,提升用戶體驗(yàn)。

5. **充電器與適配器**:
  MTD5N05-VB 適合用于各種充電器和適配器的開關(guān)控制,能夠在高負(fù)載電流條件下可靠運(yùn)行,支持快速充電技術(shù),滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的需求。

憑借其出色的性能和廣泛的應(yīng)用范圍,MTD5N05-VB 是現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中不可或缺的重要組件,為高效能電路提供了強(qiáng)有力的支持。

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