--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 80A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、MTD60N02RT4G-VB 產(chǎn)品簡介
MTD60N02RT4G-VB 是一款高性能的 **單 N 溝道 (Single N-Channel)** MOSFET,采用 **TO252 封裝**,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。該器件具有 **30V** 的漏源電壓 (VDS) 和 **±20V** 的柵源電壓 (VGS),其閾值電壓為 **1.7V**。在 **VGS = 10V** 時,該 MOSFET 的導通電阻 (RDS(ON)) 僅為 **5mΩ**,在 **VGS = 4.5V** 時為 **6mΩ**,最大漏極電流 (ID) 為 **80A**。MTD60N02RT4G-VB 采用 **Trench 技術(shù)**,具備極低的導通電阻和高效的開關(guān)特性,非常適合用于電源管理和高功率應(yīng)用。
---
### 二、MTD60N02RT4G-VB 詳細參數(shù)說明
| 參數(shù) | 規(guī)格 |
|--------------------|--------------------------------|
| **封裝** | TO252 |
| **配置** | Single N-Channel |
| **漏源電壓 (VDS)** | 30 V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20 V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.7 V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 6 mΩ @ VGS = 4.5 V |
| | 5 mΩ @ VGS = 10 V |
| **漏極電流 (ID)** | 80 A |
| **技術(shù)** | Trench |
MTD60N02RT4G-VB 以其低導通電阻和高電流能力,適合在各種高效能和低功耗應(yīng)用中使用,確保設(shè)備的可靠性和效率。
---
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
1. **電源管理系統(tǒng)**
MTD60N02RT4G-VB 在電源管理應(yīng)用中扮演關(guān)鍵角色,作為高效的開關(guān)器件,用于電源轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié),以確保穩(wěn)定的電源輸出,適合用于各種消費電子產(chǎn)品及工業(yè)設(shè)備中。
2. **開關(guān)電源 (SMPS)**
該 MOSFET 適合用于開關(guān)電源模塊,具備高效的開關(guān)速度和低能耗,能夠在高頻條件下有效運行,廣泛應(yīng)用于計算機電源、充電器和LED驅(qū)動器等。
3. **電機驅(qū)動**
MTD60N02RT4G-VB 在電機驅(qū)動應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠提供強大的電流輸出,適用于直流電機和步進電機的控制,廣泛用于電動工具、家用電器和自動化設(shè)備中。
4. **LED 驅(qū)動電路**
該 MOSFET 非常適合用于 LED 驅(qū)動電路,通過高效控制電流,提升照明系統(tǒng)的整體效率,廣泛應(yīng)用于商業(yè)和家用 LED 照明解決方案。
5. **通信設(shè)備**
MTD60N02RT4G-VB 也可用于各種通信設(shè)備中的電源管理模塊,確保電源的穩(wěn)定性與高效性,適合無線通信設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)交換機及其他數(shù)據(jù)傳輸設(shè)備。
通過其優(yōu)越的性能,MTD60N02RT4G-VB 成為現(xiàn)代電源管理與控制應(yīng)用中的理想選擇,為各類電子設(shè)備的高效運行提供支持。
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