型號 NTS4101PT1G絲印 VBK2298品牌 VBsemi參數(shù) 頻道類型 P溝道 額定電壓 20V 額定電流 3A RDS(ON) 98mΩ @ 4.5V，117.6mΩ @ 2.5V 門源電壓范圍 12V 門源閾值電壓范圍 0.6V~2V 封裝類型 SC703應(yīng)用簡介 NTS4101PT1G（絲印 VBK2298）是VBsemi公司生產(chǎn)的一款P溝道功率MOSFET。以下是詳細(xì)的參數(shù)說明和應(yīng)用簡介 詳細(xì)參數(shù)說明 NTS4101PT1G是一款P溝道功率MOSFET。主要參數(shù)包括額定電壓為20V，額定電流為3A，RDS(ON)為98mΩ @ 4.5V，117.6mΩ @ 2.5V，門源電壓范圍為12V，門源閾值電壓范圍為0.6V~2V，封裝類型為SC703。應(yīng)用領(lǐng)域 NTS4101PT1G（VBK2298）適用于多種領(lǐng)域和應(yīng)用場景，主要用于需要P溝道功率MOSFET的電路。以下是一些典型的應(yīng)用領(lǐng)域 1. 電源管理模塊 NTS4101PT1G可用于電源管理模塊中，提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流輸出，改善系統(tǒng)的功耗和效率。2. 電池管理系統(tǒng) 它適用于電池管理系統(tǒng)中的充放電控制電路，提供高效能和可靠的電池管理。3. 低功耗應(yīng)用 NTS4101PT1G也適用于低功耗應(yīng)用中的電源開關(guān)和信號控制等方面。綜上所述，NTS4101PT1G（VBK2298）是一款P溝道功率MOSFET，適用于電源管理模塊、電池管理系統(tǒng)和低功耗應(yīng)用等領(lǐng)域模塊。它具有低導(dǎo)通電阻和高耐壓的特點(diǎn)，適用于需要高功率和高效能的電路。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻道類型 P溝道
- 額定電壓 20V
- 額定電流 3A
- RDS(ON) 98mΩ @ 4.5V，117.6mΩ @ 2.5V
- 門源電壓范圍 12V
- 門源閾值電壓范圍 0.6V~2V
- 封裝類型 SC703
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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