型號(hào)：2N7002ET1G-VB
絲印：VB162K
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：N溝道
- 最大耐壓：60V
- 最大持續(xù)電流：0.3A
- 開通電阻（RDS(ON)）：2800mΩ @ 10Vgs、3000mΩ @ 4.5Vgs
- 閾值電壓（Vth）：1.6V
- 封裝類型：SOT23

應(yīng)用簡介：
2N7002ET1G-VB是一款小功率N溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），適用于低功率電子應(yīng)用。以下是它的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域：

1. 信號(hào)開關(guān)：這款MOSFET可以用于信號(hào)開關(guān)電路，例如在通信設(shè)備、音頻放大器和控制電路中，用于控制和管理信號(hào)通路。

2. 電源開關(guān)：在低功率電源管理模塊中，2N7002ET1G-VB可以用于電源開關(guān)，用于控制電路的通斷狀態(tài)，以提供電源管理功能。

3. 電路保護(hù)：它還可用于電路保護(hù)，例如在過電流保護(hù)和過溫度保護(hù)電路中，用于確保電路的安全性和穩(wěn)定性。

4. 邏輯電平轉(zhuǎn)換：由于其低閾值電壓，這款MOSFET可以用于邏輯電平轉(zhuǎn)換，將不同電平的信號(hào)轉(zhuǎn)換為兼容的電平，例如在微控制器和數(shù)字電路中。

總之，2N7002ET1G-VB是一款適用于低功率電子應(yīng)用的N溝道MOSFET，特別適用于信號(hào)開關(guān)、電源開關(guān)、電路保護(hù)和邏輯電平轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。它的低電流和低電壓特性使其成為小型電子設(shè)備中的常見元件。