型號：FQD13N10L-VB
絲印：VBE1101M
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：100V
- 額定電流：18A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓（Vth）：1.6V
- 封裝類型：TO252

應(yīng)用簡介：
FQD13N10L-VB是一款N溝道場效應(yīng)晶體管（FET），具有高額定電壓和電流特性，以及相對低的導(dǎo)通電阻。這使其適合在高功率電子應(yīng)用中使用，以有效地控制電流和電壓。

應(yīng)用領(lǐng)域：
1. 電源開關(guān)模塊：FQD13N10L-VB可用于電源開關(guān)電路，如開關(guān)穩(wěn)壓器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)，以實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

2. 電機(jī)控制：在電機(jī)驅(qū)動電路、電機(jī)控制器和電動汽車中，這款晶體管可用于電機(jī)的啟停、速度調(diào)節(jié)和效能提升。

3. 高功率放大器：在音頻放大器和射頻（RF）功率放大器中，F(xiàn)QD13N10L-VB可用于實現(xiàn)高功率輸出和信號放大。

4. 工業(yè)自動化：在工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中，它可以用于開關(guān)和控制高功率裝置，如電爐和電動機(jī)。

總之，F(xiàn)QD13N10L-VB是一款適用于高功率電子應(yīng)用的N溝道場效應(yīng)晶體管，適用于電源管理、電機(jī)控制、高功率放大器和工業(yè)自動化等領(lǐng)域。其TO252封裝適合有效散熱和安裝。