**VBsemi STD5N20LT4-VB**

**詳細參數(shù)說明:**
- 類型: N溝道場效應(yīng)管 (N-Channel MOSFET)
- 額定電壓(VDS): 200V
- 最大電流(ID): 4A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)): 810mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth): 3.32V
- 封裝: TO252

**應(yīng)用簡介:**
該器件適用于低電壓、中電流應(yīng)用，特別是在以下領(lǐng)域模塊中發(fā)揮作用：

1. **電源開關(guān):**
  - 在低功率電源開關(guān)模塊中，用于開關(guān)電源以提供穩(wěn)定的電壓輸出。

2. **LED照明:**
  - 用于LED照明電源控制，實現(xiàn)高效的LED驅(qū)動。

3. **電源逆變器:**
  - 適用于小型逆變器，如家用太陽能逆變器。

**使用領(lǐng)域:**
- 低功率電子設(shè)備
- LED照明
- 家用太陽能系統(tǒng)

**作用:**
- 提供可靠的電壓開關(guān)
- 降低功率損耗
- 在小型電源系統(tǒng)中實現(xiàn)高效能源轉(zhuǎn)換

**使用注意事項:**
1. 請按照數(shù)據(jù)手冊中的建議工作條件操作。
2. 注意閾值電壓的特定值，確保在設(shè)計中考慮這一參數(shù)。
3. 確保散熱設(shè)計足夠，以防止過熱。
4. 在設(shè)計中考慮電流和電壓的極限，以避免器件受損。