1.概述W29N02KV（2G位）NAND閃存為空間、引腳和電源有限的嵌入式系統(tǒng)提供了一種存儲解決方案。它非常適合將代碼隱藏到RAM、固態(tài)應(yīng)用程序和存儲媒體數(shù)據(jù)，如語音、視頻、文本和照片。該設(shè)備在2.7V至3.6V的單一電源上工作，在3V和10uA的CMOS待機(jī)電流下，有源電流消耗低至25mA。存儲器陣列總計(jì)285212672個字節(jié)，并被組織成139264個字節(jié)的2048個可擦除塊。每個塊由64個可編程頁面組成，每個頁面2176字節(jié)。每個頁面由2048個字節(jié)組成，用于主數(shù)據(jù)存儲，128個字節(jié)用于備用數(shù)據(jù)區(qū)域（備用區(qū)域通常用于錯誤管理功能）。W29N02KV支持使用多路復(fù)用8位總線傳輸數(shù)據(jù)、地址和命令指令的標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存接口。CLE、ALE、#CE、#RE和#WE這五個控制信號處理總線接口協(xié)議。此外，該設(shè)備ha

2.特點(diǎn)? 基本功能–密度：2Gbit（單片解決方案）–Vcc:2.7V至3.6V–總線寬度：x8–工作溫度? 工業(yè)：-40°C至85°C? Industrial Plus：-40°C至105°C? 單電平單元（SLC）技術(shù)。? 組織–密度：2G位/256M字節(jié)–頁面大小? 2176字節(jié)–塊大小? 64頁? 最高性能–讀取性能（最大）? 隨機(jī)閱讀：25 us? 順序讀取周期：25ns–寫入擦除性能? 頁面程序時間：250us（典型值）? 塊擦除時間：2ms（典型）-耐久性：60000擦除/編程周期（1）-數(shù)據(jù)保留期：10年? 命令集–標(biāo)準(zhǔn)NAND命令集–附加命令支持? 復(fù)制回? 雙平面操作-接觸Winbond以實(shí)現(xiàn)OTP功能-接觸Winbond以實(shí)現(xiàn)塊鎖定功能? 最低功耗-讀?。?5mA（典型）-編程/擦除：25mA? 空間高效包裝–48引腳標(biāo)準(zhǔn)TSOP1–48球VFBGA–63球VFBGA-Contact Winbond for stackedpackages/KGD