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關(guān)于Prefetch和Burst相關(guān)的內(nèi)容

可以發(fā)現(xiàn)，Column Address的A2，A1，A0三位被用于Burst Order功能，并且A3也被用于Burst Type功能。由于一般情況，我們采用的都是順序讀寫模式（即{A2,A1,A0}={0,0,0}），所以此時的A3的取值并無直接影響。

發(fā)表于07-02 14:20 ? 1w
Atmel - 關(guān)于存儲設(shè)備的質(zhì)量介紹

Atmel --高質(zhì)量的存儲設(shè)備

發(fā)表于07-10 00:28 ? 3474
解析云計算未來發(fā)展的六大趨勢

除了具有成本效益之外，云計算應(yīng)用在企業(yè)中的其他優(yōu)勢包括：簡化IT管理和維護、內(nèi)置安全性以及易于部署的模式等。因此，企業(yè)都開始盡量充分利用它來實現(xiàn)業(yè)務(wù)目標。以下是戰(zhàn)略性商業(yè)應(yīng)該在2018年做好準備應(yīng)對的云計算領(lǐng)域六大熱門趨勢。

發(fā)表于06-30 08:44 ? 1.1w
汽車對存儲的新需求催生NOR閃存新物種

功能安全、數(shù)據(jù)可靠性與耐久性、讀取速度與零缺陷要求催生閃存新物種。

發(fā)表于06-27 11:41 ? 8229
NVMe與SATA的存儲技術(shù)區(qū)別以及如何選擇

在永無止境地追求更好、更快的存儲性能的過程中，企業(yè)對于NVME技術(shù)越來越關(guān)注，NVME是一種閃存技術(shù)，可為固態(tài)硬盤(SSD)和應(yīng)用的存儲工作負載提供更高的性能。

發(fā)表于06-22 10:30 ? 1.9w
Cray宣布推出了一款適用于高性能計算的全閃存陣列L300

Cray把L300F定位為Lustre存儲池中的高性能組件，這個存儲池采用以容量為中心的L300s以實現(xiàn)大型順序IO，采用閃存/磁盤混合配置的L300N用于混合隨機IO。L300F的主要用途是支持Lustre文件系統(tǒng)中臨時存儲池的高IOPS，從而加速磁盤IO的應(yīng)用運行時間。

發(fā)表于06-21 10:56 ? 4217
視頻監(jiān)控系統(tǒng)當中存儲設(shè)備怎么加密以及它的工作原理

存儲設(shè)備是視頻監(jiān)控系統(tǒng)中不可缺的的一部分。視頻監(jiān)控系統(tǒng)中采用的存儲設(shè)備在數(shù)據(jù)讀寫方式上具有與其它類型系統(tǒng)不同的特點。

發(fā)表于06-14 08:58 ? 1.1w
記憶通過神經(jīng)元間突觸的強度變化得到存儲

Glanzman知道，這項弱化突觸重要性的研究很難被同行廣泛接受?！拔也聲性S多驚訝和懷疑，”他說，“我不覺得在下一次神經(jīng)系統(tǒng)科學學會年會上，大家會給我辦一場慶祝游行。”就連他自己的同事都存有懷疑。“我花了很長時間說服我的實驗室來開展這個研究，”Glanzman說，“他們認為這傻透了。”

發(fā)表于05-19 10:30 ? 7140
如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢？

要存儲某個變量，需要將這個變量的地址和它的值一同存儲到存儲區(qū)。這種存儲方式的核心就是這個數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。這樣就可以使用*((uint *)(Address)) = Data 直接將存儲值賦值給對應(yīng)的變量。簡單的說就是根據(jù)地址值來標記各個不同的參數(shù)。

發(fā)表于05-14 16:15 ? 1w
美高森美發(fā)布兼容AMD EPYC處理器的Adaptec智能存儲產(chǎn)品

美高森美的低功耗、高性能HBA和RAID存儲連接產(chǎn)品補足AMD EPYC服務(wù)器解決方案美高森美公司(Microsemi ) 宣布，包括其智能存儲適配器產(chǎn)品組合中的美高森美Adaptec HBA 1100、SmartHBA 2100和SmartRAID 3100在內(nèi)，美高森美12GbpsSAS / SATA主機總線適配器(HBA)與獨立硬盤冗余陣列(RAID) 適配器現(xiàn)已具備與AMDEPYC處理器系列協(xié)同工作的兼容性?，F(xiàn)在，為EPYC處理器部署計劃搭配存儲適配器解決方案的數(shù)據(jù)中心客戶可以充分利用美高森美全套智能存儲解決方案，安心獲得完全兼容的端

發(fā)表于05-14 06:53 ? 1268

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