場效應管和IGBT有什么區(qū)別？

　　IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor） IGBT是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式電力半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。 專業(yè)名字為絕緣柵雙極型功率管 。通俗點說GBT管是有MOS管（場效應管）和雙極型達林頓管結合而成。將場效應管做為推動管，大功率達林頓管作為輸出管。這樣兩者優(yōu)點有機的結合成現在的IGBT管，功率可以做的很大。 場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點。

　　IGBT型號功能大全：

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