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M579 - 常見igbt驅(qū)動(dòng)芯片型號(hào)

2018年02月23日 08:48 網(wǎng)絡(luò)整理 作者: 用戶評(píng)論(0

M579..Series(MITSUBISHI公司生產(chǎn))

M579..Series是日本三菱公司為IGBT驅(qū)動(dòng)提供的一種IC系列,表7給出了這種系列的幾種芯片的基本應(yīng)用特性(其中有*者為芯片內(nèi)部含有Booster電路)。

在M579..Series中,以M57962L為例做出一般的解釋。隨著逆變器功率的增大和結(jié)構(gòu)的復(fù)雜,驅(qū)動(dòng)信號(hào)的抗干擾能力顯得尤為重要,比較有效的辦法就是提高驅(qū)動(dòng)信號(hào)關(guān)斷IGBT時(shí)的負(fù)電壓,M57962L的負(fù)電源是外加的(這點(diǎn)和EXB8..Series不同),所以實(shí)現(xiàn)起來(lái)比較方便。它的功能框圖和圖6所示的EXB8..Series功能框圖極為類似,在此不再贅述。圖9給出了M57962L在驅(qū)動(dòng)大功率IGBT模塊時(shí)的典型電路圖。在這種電路中,NPN和PNP構(gòu)成的電壓提升電路選用快速晶體管(tf≤200 ns),并且要有足夠的電流增益以承載需要的電流。

常見igbt驅(qū)動(dòng)芯片型號(hào)

常見igbt驅(qū)動(dòng)芯片型號(hào)

在使用M57962L驅(qū)動(dòng)大功率IGBT模塊時(shí),應(yīng)注意以下三個(gè)方面的

問題:

1)驅(qū)動(dòng)芯片的最大輸出電流峰值受柵極電阻Rg的最小值限制,例如,對(duì)于M57962L來(lái)說(shuō),Rg的允許值在5Ω左右,這個(gè)值對(duì)于大功率的IGBT來(lái)說(shuō)高了一些,且當(dāng)Rg較高時(shí),會(huì)引起IGBT的開關(guān)上升時(shí)間td(on)、下降時(shí)間td(off)以及開關(guān)損耗的增大,在較高開關(guān)頻率(5 kHz以上)應(yīng)用時(shí),這些附加損耗是不可接受的。2)即便是這些附加損耗和較慢的開關(guān)時(shí)間可以被接受,驅(qū)動(dòng)電路的功耗也必須考慮,當(dāng)開關(guān)頻率高到一定程度時(shí)(高于14 kHz),會(huì)引起驅(qū)動(dòng)芯片過熱。

3)驅(qū)動(dòng)電路緩慢的關(guān)斷會(huì)使大功率IGBT模塊的開關(guān)效率降低,這是因?yàn)榇蠊β蔍GBT模塊的柵極寄生電容相對(duì)比較大,而驅(qū)動(dòng)電路的輸出阻抗不夠低。還有,驅(qū)動(dòng)電路緩慢的關(guān)斷還會(huì)使大功率IGBT模塊需要較大的吸收電容。

以上這三種限制可能會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的后果,但通過附加的Booster電路都可以加以克服,如圖9所示。

常見igbt驅(qū)動(dòng)芯片型號(hào)

從圖10(a)可以看出,在IGBT過流信號(hào)輸出以后,門極電壓會(huì)以一個(gè)緩慢的斜率下降。圖10(b)及圖10(c)給出了IGBT短路時(shí)的軟關(guān)斷過程(集電極-發(fā)射極之間的電壓uCE和集電極電流iC的軟關(guān)斷波形)

EXB841模塊的分析

EX841高速驅(qū)動(dòng)模塊為15腳單列直插式結(jié)構(gòu),采用高隔離電壓光耦合器作為信號(hào)隔離,內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如圖l所示,其工作頻率可達(dá)40 kHz,可以驅(qū)動(dòng)400 M600 V以內(nèi)及300 A/l200 V的IGBT管,其隔離電壓可達(dá)2500AC/min,工作電源為獨(dú)立電源20±1V,內(nèi)部含有一5V穩(wěn)壓電路,為ICBT的柵極提供+15V的驅(qū)動(dòng)電壓,關(guān)斷時(shí)提供一5V的偏置電壓,使其可靠關(guān)斷。當(dāng)腳15和腳14有10 mA電流通過時(shí),腳3輸出高電平而使IGBT在1μs內(nèi)導(dǎo)通;而當(dāng)腳15和腳14無(wú)電流通過時(shí),腳3輸出低電平使IGBT關(guān)斷;若ICBT導(dǎo)通時(shí)因承受短路電流而退出飽和,Vce迅速上升,腳6懸空,腳3電位在短路后約3.5μs后才開始軟降。

常見igbt驅(qū)動(dòng)芯片型號(hào)

EXB841典型應(yīng)用圖如圖2所示,電容C1、C2用于吸收高頻噪音。當(dāng)腳3輸出脈沖的同時(shí),通過快速二極管D1檢測(cè)IGBT的C—E間的電壓。當(dāng)Vce》7V時(shí),過流保護(hù)電流控制運(yùn)算放大器,使其輸出軟關(guān)斷信號(hào),在10μs內(nèi)將腳3輸出電平降為O。因EXB841無(wú)過流自鎖功能,所以外加過流保護(hù)電路,一旦產(chǎn)生過流,可通過外接光耦TLP521將過流保護(hù)信號(hào)輸出,經(jīng)過一定延時(shí),以防止誤動(dòng)作和保證進(jìn)行軟關(guān)斷,然后由觸發(fā)器鎖定,實(shí)現(xiàn)保護(hù)。

常見igbt驅(qū)動(dòng)芯片型號(hào)

缺點(diǎn):EXB84l過流保護(hù)閥值過高,Vce》7V時(shí)動(dòng)作,此時(shí)已遠(yuǎn)大于飽和壓降;存在保護(hù)肓區(qū);在實(shí)現(xiàn)止常關(guān)斷時(shí)僅能提供一5V偏壓,在開關(guān)頻率較高、負(fù)載過大時(shí),關(guān)斷就顯得不可靠;無(wú)過流保護(hù)自鎖功能,在短路保護(hù)時(shí)其柵壓的軟關(guān)斷過程被輸入的關(guān)斷信號(hào)所打斷。

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( 發(fā)表人:李倩 )

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