計算節(jié)點X的電流，并通過對它的方程求倒數(shù)，就能得到二次微分方程

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圖3?上升沿等效電路
figure3?equivalent?circuits?of?ascending?edge

（2）脈沖頂部

在脈沖頂部時，脈沖持續(xù)期內(nèi)電壓電流基本保持不變，因此漏感和分布電容便不起主要作用，勵磁電感起重要作用。由此得到圖4所示的脈沖平頂?shù)牡刃щ娐贰?/p>

計算節(jié)點X的電流，得到一次微分方程：?這個方程的解是：?

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圖4?脈沖平頂?shù)刃щ娐?br /> figure4?equivalent?circuits?of?flat?part

（3）脈沖后沿

漏感通常比勵磁電感小很多，可以忽略。脈沖后沿時，儲存在勵磁電感中的磁能和分布電容中的電能釋放能量，因此勵磁電感和分布電容起主要作用。?由此得到圖5所示的下降沿等效電路。

計算節(jié)點X的電流，得到二次微分方程：

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圖5?下降沿等效電路
figure5?equivalent?circuits?of?descending?edge

4、變壓器分布參數(shù)影響的仿真分析

根據(jù)以上分析，用軟件PSPICE進(jìn)行仿真。所使用的參數(shù)如圖6所示，仿真波形如圖7所示。

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圖6?仿真原理圖
figure6?schematic?diagram?of?the?simulation

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圖7?用PSPICE計算出的波形
figure7?the?waveform?computed?by?PSPICE

由圖7的仿真波形可見，由于分布參數(shù)的存在，在上升沿時具有上沖，在下降沿時存在下沖?；ジ泻吐└心芰吭陂_關(guān)轉(zhuǎn)換瞬時引起電壓尖峰，造成損耗增加，嚴(yán)重時會造成開關(guān)管損壞，同時也是EMI的主要來源，因此必須加以控制。

5、變壓器分布參數(shù)的抑制和利用

5.1?變壓器分布參數(shù)的抑制

根據(jù)漏感和分布電容的產(chǎn)生原因，可以采取以下措施來進(jìn)行抑制。

（1）減少漏感的方法

①?減少繞組的匝數(shù)，選用高飽和磁感應(yīng)強度、低損耗的磁性材料;

②?減少繞組的厚度，增加繞組的高度;

③?盡可能減少繞組間的絕緣厚度;

④?初、次級繞組采用分層交叉繞制;

⑤?初、次級繞線應(yīng)雙線并繞。

（2）減少分布電容的方法

①?繞組分段繞制;

②?正確安排繞組的極性，減少它們之間的電位差;

③?采用靜電屏蔽措施。

5.2?變壓器分布參數(shù)的利用

為滿足小型化要求，同時克服分布參數(shù)的影響，使開關(guān)變換器在高頻下高效率地運行，自20世紀(jì)70年代以來，國內(nèi)外不斷研究開發(fā)高頻軟開關(guān)技術(shù)[4]。軟開關(guān)技術(shù)很好地利用了電路中的分布參數(shù)，將寄生電感和電容作為諧振元件的一部分，消除了分布參數(shù)引起的電壓尖峰。圖8所示諧振變換器電路,圖9給出的相應(yīng)仿真波形，較為形象地說明了軟開關(guān)利用分布參數(shù)所達(dá)到的效果。