絕緣柵雙極晶體管 IGBT 安全工作，它集功率晶體管 GTR 和功率場效應(yīng)管MOSFET 的優(yōu)點于一身，自關(guān)斷、開關(guān)頻率高 （10-40 kHz） 的特點，是目前發(fā)展最為迅速的新一代電力電子器件。廣泛應(yīng)用于小體積、高效率的變頻電源、電機調(diào)速、 UPS 及逆變焊機當(dāng)中。?IGBT 的驅(qū)動和保護是其應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)。

驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。

igbt驅(qū)動電路是驅(qū)動igbt模塊以能讓其正常工作，并同時對其進行保護的電路。

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）在今天的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。

因此，在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies值在實際應(yīng)用中僅僅只能作為一個參考值使用。

IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻

采用互補推挽式放大器的IGBT驅(qū)動電路實際上是由一個NPN晶體管和一個PNP晶體管構(gòu)成的。

1．這類放大器的偏壓在截止點，因此工作在PWM調(diào)制電路輸出信號的正半周時，NPN晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，PNP晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，放大后的信號經(jīng)由NPN晶體管輸出，如下圖所示。

2．當(dāng)工作在在PWM調(diào)制電路輸出信號的負半周時，NPN晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，PNP晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，放大后的信號經(jīng)由PNP晶體管輸出，如下圖所示。

采用集成電路構(gòu)成的IGBT驅(qū)動電路實際上是將功率放大器制作在了集成電路內(nèi)部，電磁爐常用的IGBT驅(qū)動集成電路芯片為TA8316，該型號又有TA8316S和TA8316AS兩種，差別只在于內(nèi)部電路有些不同，如下圖所示為IGBT驅(qū)動集成電路芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。

由脈沖信號產(chǎn)生電路送來的脈寬調(diào)制信號從①腳送到TA8316的內(nèi)部，脈寬信號經(jīng)過一個比較電路和驅(qū)動電路，將電流放大，以便對兩個輸出晶體管進行驅(qū)動。然后將功率放大后的脈寬調(diào)制信號輸出，送往門控管。集成電路TA8316的④腳是接地端，②腳為電源供電端，放大后的脈寬調(diào)制信號從⑤腳輸出，經(jīng)過一個LOCi的限流電阻進行限流，然后將信號送到門控管的控制極（柵極），驅(qū)動IGBT管（門控管）使其工作在高頻脈沖狀態(tài)。⑦腳內(nèi)接保護二極管，當(dāng)門控管柵極電壓過高時，進行鉗位保護。當(dāng)IGBT管（門控管）工作以后，爐盤線圈便開始加熱，如果驅(qū)動集成電路沒有輸出，IGBT管（門控管）就不工作，整機便處于停機狀態(tài)。

集成電路TA8316S和集成電路TA8316AS各引腳開路阻值見下表所列。

下圖所示為采用集成電路構(gòu)成的IGBT驅(qū)動電路簡圖，TA8316是驅(qū)動集成電路的集成塊，②腳是電源供電端，①腳是脈寬調(diào)制信號的輸入端，脈寬信號經(jīng)過①腳送入以后，在TA8316里面進行放大，放大后由⑤腳輸出。⑤腳輸出的信號經(jīng)過插件CN2就直接送到了IGBT管（門控管）的控制極，控制IGBT管（門控管）的導(dǎo)通或截止。插件CN2的①、②、③腳都是電壓檢測信號，⑨腳是電流檢測信號，通過插件 CN2將功率元器件上的檢測信號送到控制電路板。在發(fā)生故障時，可以通過對這些引腳的檢測來進行判別。在檢測時要注意安全，因為電磁爐電路與交流高壓沒有采取隔離措施，接地端有時候可能帶有高壓。

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