英飛凌推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。

　　英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Helmut Gassel博士指出：“20多年來，英飛凌一直走在開發(fā)SiC解決方案的最前列，致力于滿足用戶對節(jié)能、縮減尺寸、系統(tǒng)集成和提高可靠性的需求。英飛凌制造出數(shù)百萬件含有SiC器件的產(chǎn)品，而我們的肖特基二極管和J-FET技術(shù)使設(shè)計人員能夠?qū)崿F(xiàn)利用傳統(tǒng)芯片不可能達到的功率密度和性能。該解決方案現(xiàn)在朝前邁出了一大步，將功率MOSFET涵蓋在內(nèi)，這使得從SiC技術(shù)獲得的益處將被提升到前所未有的新水平?！?/p>

　　SiC MOSFET帶來的影響非常顯著。電源轉(zhuǎn)換方案的開關(guān)頻率可達到目前所用開關(guān)頻率的三倍或以上。這能帶來諸多益處，如減少磁性元件和系統(tǒng)外殼所用的銅和鋁兩種材料的用量，便于打造更小、更輕的系統(tǒng)，從而減少運輸工作量，并且更便于安裝。新解決方案有助于節(jié)能的特點由電源轉(zhuǎn)換設(shè)計人員來實現(xiàn)。這些應(yīng)用的性能、效率和系統(tǒng)靈活性也將提升至全面層面。

　　全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢。它們在動態(tài)損耗方面樹立了新標桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個數(shù)量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲能系統(tǒng)等應(yīng)用的系統(tǒng)改進，此后可將其范圍擴大到工業(yè)變頻器。

　　該MOSFET完全兼容通常用于驅(qū)動IGBT的+15 V/-5 V電壓。它們將4 V基準閾值額定電壓（Vth）與目標應(yīng)用要求的短路魯棒性和完全可控的dv/dt特性結(jié)合起來。與Si IGBT相比的關(guān)鍵優(yōu)勢包括：獨立于溫度的開關(guān)損耗和無閾值電壓的靜態(tài)特性。

　　全新MOSFET融匯了多年SiC半導體開發(fā)經(jīng)驗，基于先進的溝槽半導體工藝，代表著英飛凌CoolSiC 產(chǎn)品家族的最新發(fā)展。該產(chǎn)品系列包括肖特基二極管和1200 V J-FET器件以及在一個模塊中集成Si IGBT和SiC二極管的一系列混合解決方案。

　　首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的導通電阻（RDS（ON））額定值為45 mΩ。它們將采用3引腳和4引腳TO-247封裝，針對光伏逆變器、UPS、電池充電和儲能應(yīng)用。由于集成了反向恢復損耗接近零的耐用型體二極管，所以這兩種型號的器件都可供用于同步整流方案。4引腳封裝有一個額外的源極連接端子（Kelvin），作為門極驅(qū)動電壓的參考電位。通過消除由于源極電感引起的壓降的影響，這可以進一步降低開關(guān)損耗，特別是在更高開關(guān)頻率時。

　　另外，英飛凌還宣布推出基于SiC MOSFET技術(shù)的1200 V‘Easy1B’半橋和升壓模塊。這些模塊采用PressFIT連接，有良好的熱界面、低雜散電感和堅固的設(shè)計，每種封裝的模塊均有11 mΩ和23 mΩ的RDS（ON）額定值選項。