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特瑞仕推出功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R

Torex產(chǎn)品資訊 ? 來(lái)源:Torex產(chǎn)品資訊 ? 2025-01-13 16:50 ? 次閱讀
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特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社(日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理:木村 岳史,以下簡(jiǎn)稱(chēng)“特瑞仕”)開(kāi)發(fā)了功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R作為功率器件的新系列。

近年來(lái),工業(yè)設(shè)備和汽車(chē)相關(guān)設(shè)備對(duì)低功耗、小型化和高效化的需求不斷增加。為了響應(yīng)這些市場(chǎng)需求,特瑞仕不斷加強(qiáng)MOSFET技術(shù)。特別是針對(duì)工業(yè)設(shè)備、數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器使用的48V直流電機(jī),采用了支持耐壓100V的設(shè)計(jì),兼具高性能與高性?xún)r(jià)比。

XPJ101N04N8R實(shí)現(xiàn)了最大4.4mΩ的導(dǎo)通電阻,而XPJ102N09N8R實(shí)現(xiàn)了最大9.4mΩ的導(dǎo)通電阻。這種低導(dǎo)通電阻能夠有效降低能量損失,有助于提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。該產(chǎn)品擁有出色的FOM(Figure of Merit),非常適合需要高速切換特性的應(yīng)用??捎糜谥绷麟姍C(jī)、開(kāi)關(guān)電路等多種應(yīng)用場(chǎng)景。

產(chǎn)品采用DFN5060-8L封裝(6.0 x 4.9 x h1.1mm),有助于設(shè)備的小型化。此外,這些產(chǎn)品符合歐盟RoHS指令,并為無(wú)鉛環(huán)保產(chǎn)品。

產(chǎn)品名 封裝 VDSS ID(A) RDS(ON)(MAX.)
XPJ101N04N8R DFN5060-8L 100 122 4.4mΩ
XPJ102N09N8R DFN5060-8L 100 59 9.4mΩ

關(guān)于特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社

特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社(總公司:東京、東證第一部: 6616)從 1995年設(shè)立以來(lái),作為國(guó)內(nèi)唯一的模擬電源IC的專(zhuān)業(yè)廠(chǎng)家,以「Powerfully Small」為產(chǎn)品制造追求的目標(biāo),提供增加客戶(hù)產(chǎn)品的附加值的世界最小級(jí)的高效率模擬電源IC以及可以加快客戶(hù)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的電源設(shè)計(jì)方案。

特瑞仕的產(chǎn)品以國(guó)內(nèi)為首,通過(guò)海外6家分公司7處銷(xiāo)售點(diǎn)銷(xiāo)往世界各地,被廣泛用于工業(yè)機(jī)器,汽車(chē)用品,通信,電腦產(chǎn)品,穿戴電子等市場(chǎng)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:低導(dǎo)通電阻、高速切換 功率器件N溝道MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)擴(kuò)充XPJ101N04N8R、XPJ102N09N8R

文章出處:【微信號(hào):gh_454737165c13,微信公眾號(hào):Torex產(chǎn)品資訊】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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