3 場效應管伏安特性曲線

場效應管的特性曲線類型比較多，根據(jù)導電溝道的不同以及是增強型還是耗盡型可有四種轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線，其電壓和電流方向也有所不同。如果按統(tǒng)一規(guī)定的正方向，特性曲線就要畫在不同的象限。為了便于繪制，將P溝道管子的正方向反過來設定。有關(guān)曲線繪于下圖之中。

4.各種場效應管特性比較

（a） 轉(zhuǎn)移特性曲線 （b） 輸出特性曲線

5.場效應管的主要參數(shù)

① 開啟電壓VGS（th） （或VT）

開啟電壓是MOS增強型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值，場效應管不能導通。

② 夾斷電壓VGS（off） （或VP）

夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當VGS=VGS（off） 時，漏極電流為零。

③ 飽和漏極電流IDSS

耗盡型場效應三極管，當VGS=0時所對應的漏極電流。

④ 輸入電阻RGS

場效應三極管的柵源輸入電阻的典型值，對于結(jié)型場效應三極管，反偏時RGS約大于107Ω，對于絕緣柵場型效應三極管，RGS約是109～1015Ω。

⑤ 低頻跨導gm

低頻跨導反映了柵壓對漏極電流的控制作用，這一點與電子管的控制作用十分相像。gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求取，單位是mS（毫西門子）。

⑥ 最大漏極功耗PDM

最大漏極功耗可由PDM=VDS ID決定，與雙極型三極管的PCM相當。