??? 具有信號(hào)放大功能的3個(gè)端子的半導(dǎo)體器件。作為電流載體，有利用電子及空穴兩個(gè)載子的雙極晶體管，以及只利用電子或空穴任何一種的場(chǎng)效應(yīng)管（FET）。

??? 晶體管的分類(lèi)???

雙極晶體管中根據(jù)半導(dǎo)體的組合方式分為NPN型和PNP型。另一方面，場(chǎng)效應(yīng)管因結(jié)構(gòu)而分為接合型場(chǎng)效應(yīng)管（結(jié)構(gòu)FET）和MOS型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。還可再分為N通道、P通道，N通道中電流的主體為電子，P通道中為空穴。雙極晶體管用于模擬IC、高頻器人年、或者音頻輸出、串聯(lián)調(diào)節(jié)器等模擬用途。另一方面，MOSFET的ON-OFF切換動(dòng)作迅速，由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，且可由開(kāi)關(guān)耗電量小的CMOS柵組合而成，而且通過(guò)微細(xì)加工技術(shù)可以提高性能，從而成為數(shù)字LSI器件上的必須構(gòu)件。功率MOSFET是一種適用于改變ON-OFF循環(huán)時(shí)間而控制功率的開(kāi)關(guān)領(lǐng)域的器件。

晶體管的分類(lèi)

各種晶體管封裝

雙極晶體管

具有2個(gè)PN接合，利用電子以及空穴兩個(gè)載子作用放大或開(kāi)在動(dòng)作的晶體管。

結(jié)構(gòu)、運(yùn)作

NPN晶體管中，為了消除基極、發(fā)射極接合面的電位勢(shì)壘而外加正向電壓的話(huà)，電子將從發(fā)射極的范圍注入基極范國(guó)。削薄基極層的厚度后，幾乎所有的電子都會(huì)作為擴(kuò)散電流到達(dá)基極、集電極接合面，而成為集電極電流。同時(shí)空穴也從基極注入發(fā)射極，成為基極電流，但將發(fā)射極的雜質(zhì)濃度提高到基極雜質(zhì)100倍的話(huà)就可以降低電流的比例，依靠微小的基極電流可以控制較大的集電極電流。

NPN晶體管中電子雖為電流的主體，但PNP晶體管中空穴為主體，因此電流的流動(dòng)方向相反。

應(yīng)用及用途

高頻特性良好，特性由物理量決定，因此偏差少，適合于無(wú)線(xiàn)設(shè)備的高頻電路等模擬電路。而且電流驅(qū)動(dòng)能力較大，因此作為電源、音頻輸出、電視機(jī)的水平偏向用等功率器件被廣泛使用。

雙極晶體管的結(jié)構(gòu)

晶體管的圖形符號(hào)

NPN晶體管的動(dòng)作原理