在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程競局, 三星電子(Samsung Electronics)，近期宣布32奈米制程TLC芯片量產(chǎn)，一舉領先目前停留在43奈米制程的東芝，至于英特爾(Intel)和美光(Micron)亦宣布TLC芯片將于2009年底量產(chǎn)。內存業(yè)者表示，2010年光是三星和東芝所掀起TLC應用，預計在低階隨身碟和記憶卡市場將會有70~80%芯片被TLC產(chǎn)品替換。

三星宣布量產(chǎn)TLC芯片以32奈米制程切入，令業(yè)界相當意外，目前看來三星在30奈米制程世代系采分進合擊策略，32奈米制程生產(chǎn)TLC芯片，35奈米制程則生產(chǎn)MLC芯片，顯見這次三星對于一舉追上東芝制程技術，在臺面下已醞釀許久。

至于英特爾和美光陣營方面，日前亦信誓旦旦宣布，將在2009年底量產(chǎn)TLC芯片，但業(yè)界透露，該陣營內部對于是否轉入TLC世代，看法仍分歧，部分人員認為現(xiàn)在應集中資源進入20奈米制程世代，而非去作TLC這種只能用在低階產(chǎn)品的技術，等到20奈米制程量產(chǎn)后，要再進行制程微縮難度增加時，再去生產(chǎn)TLC產(chǎn)品。

根據(jù)英特爾和美光內部規(guī)畫，2010年初將量產(chǎn)20奈米制程產(chǎn)品，屆時應會再去考量TLC芯片生產(chǎn)時程，因為這樣規(guī)畫仍可以在技術上領先三星和東芝，但不需要現(xiàn)在就急著去淌TLC技術渾水。此外，業(yè)界亦傳出英特爾和美光陣營仍可能搶先量產(chǎn)TLC芯片，但暫時只供給美光旗下記憶卡公司Lexar使用，暫不會大量對外販售。

海力士(Hynix)方面，目前TLC制程技術還未成熟，由于其在NAND Flash市場影響力已逐漸降低，因此，將難以影響大局，目前海力士主流制程將由41奈米轉移至35奈米。內存業(yè)者認為，三星和東芝TLC芯片量產(chǎn)后，2010年低階快閃記憶卡和隨身碟約有70~80%芯片都會被TLC芯片替換，對于NAND Flash市場將會是另一波沖擊，未來隨身碟和記憶卡勢必越來越便宜，但NAND Flash這樣降價趨勢，對于固態(tài)硬盤(SSD)市場卻是完全沒幫助，因為TLC芯片成本雖然較MLC芯片大幅降低，但效能亦同步銳減，無法應用在SSD產(chǎn)品上。

值得注意的是，隨著TLC時代來臨，三星在4GB和8GB小型記憶卡microSD供貨量可望倍增，再次奪回microSD供應龍頭寶座，其中，在4GB產(chǎn)品上，三星只要采用1顆32Gb TLC芯片，勝過競爭對手要用2顆16Gb芯片堆疊，可避免堆疊造成良率流失，而在8GB容量記憶卡上，則可用2顆32Gb TLC芯片，因此，預計8GB小型記憶卡供貨量會倍增，將整個microSD市場推至高容量世代，終端消費者將是最大受益者。

規(guī)格說明：

產(chǎn)品狀態(tài)訊息：

?