在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程競(jìng)局, 三星電子(Samsung Electronics)，近期宣布32奈米制程TLC芯片量產(chǎn)，一舉領(lǐng)先目前停留在43奈米制程的東芝，至于英特爾(Intel)和美光(Micron)亦宣布TLC芯片將于2009年底量產(chǎn)。內(nèi)存業(yè)者表示，2010年光是三星和東芝所掀起TLC應(yīng)用，預(yù)計(jì)在低階隨身碟和記憶卡市場(chǎng)將會(huì)有70~80%芯片被TLC產(chǎn)品替換。

三星宣布量產(chǎn)TLC芯片以32奈米制程切入，令業(yè)界相當(dāng)意外，目前看來三星在30奈米制程世代系采分進(jìn)合擊策略，32奈米制程生產(chǎn)TLC芯片，35奈米制程則生產(chǎn)MLC芯片，顯見這次三星對(duì)于一舉追上東芝制程技術(shù)，在臺(tái)面下已醞釀許久。

至于英特爾和美光陣營方面，日前亦信誓旦旦宣布，將在2009年底量產(chǎn)TLC芯片，但業(yè)界透露，該陣營內(nèi)部對(duì)于是否轉(zhuǎn)入TLC世代，看法仍分歧，部分人員認(rèn)為現(xiàn)在應(yīng)集中資源進(jìn)入20奈米制程世代，而非去作TLC這種只能用在低階產(chǎn)品的技術(shù)，等到20奈米制程量產(chǎn)后，要再進(jìn)行制程微縮難度增加時(shí)，再去生產(chǎn)TLC產(chǎn)品。

根據(jù)英特爾和美光內(nèi)部規(guī)畫，2010年初將量產(chǎn)20奈米制程產(chǎn)品，屆時(shí)應(yīng)會(huì)再去考量TLC芯片生產(chǎn)時(shí)程，因?yàn)檫@樣規(guī)畫仍可以在技術(shù)上領(lǐng)先三星和東芝，但不需要現(xiàn)在就急著去淌TLC技術(shù)渾水。此外，業(yè)界亦傳出英特爾和美光陣營仍可能搶先量產(chǎn)TLC芯片，但暫時(shí)只供給美光旗下記憶卡公司Lexar使用，暫不會(huì)大量對(duì)外販?zhǔn)邸?/p>

海力士(Hynix)方面，目前TLC制程技術(shù)還未成熟，由于其在NAND Flash市場(chǎng)影響力已逐漸降低，因此，將難以影響大局，目前海力士主流制程將由41奈米轉(zhuǎn)移至35奈米。內(nèi)存業(yè)者認(rèn)為，三星和東芝TLC芯片量產(chǎn)后，2010年低階快閃記憶卡和隨身碟約有70~80%芯片都會(huì)被TLC芯片替換，對(duì)于NAND Flash市場(chǎng)將會(huì)是另一波沖擊，未來隨身碟和記憶卡勢(shì)必越來越便宜，但NAND Flash這樣降價(jià)趨勢(shì)，對(duì)于固態(tài)硬盤(SSD)市場(chǎng)卻是完全沒幫助，因?yàn)門LC芯片成本雖然較MLC芯片大幅降低，但效能亦同步銳減，無法應(yīng)用在SSD產(chǎn)品上。

值得注意的是，隨著TLC時(shí)代來臨，三星在4GB和8GB小型記憶卡microSD供貨量可望倍增，再次奪回microSD供應(yīng)龍頭寶座，其中，在4GB產(chǎn)品上，三星只要采用1顆32Gb TLC芯片，勝過競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手要用2顆16Gb芯片堆疊，可避免堆疊造成良率流失，而在8GB容量記憶卡上，則可用2顆32Gb TLC芯片，因此，預(yù)計(jì)8GB小型記憶卡供貨量會(huì)倍增，將整個(gè)microSD市場(chǎng)推至高容量世代，終端消費(fèi)者將是最大受益者。

規(guī)格說明：

產(chǎn)品狀態(tài)訊息：

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