芯片是信息時代的基礎(chǔ)與推動力，碳納米管技術(shù)被認為是后摩爾時代的重要選項。今日報道由北大申報的”5納米碳納米管CMOS器件“入選了高校十大科技進展。

芯片是信息時代的基礎(chǔ)與推動力，現(xiàn)有CMOS技術(shù)將觸碰其極限。碳納米管技術(shù)被認為是后摩爾時代的重要選項。

理論研究表明，碳管晶體管有望提供更高的性能和更低的功耗，且較易實現(xiàn)三維集成，系統(tǒng)層面的綜合優(yōu)勢將高達上千倍，芯片技術(shù)由此可能提升至全新高度。

北京大學(xué)電子學(xué)系彭練矛教授團隊在碳納米管CMOS器件物理和制備技術(shù)、性能極限探索等方面取得重大突破，放棄傳統(tǒng)摻雜工藝，通過控制電極材料來控制晶體管的極性，抑制短溝道效應(yīng)，首次實現(xiàn)了5納米柵長的高性能碳管晶體管，性能超越目前最好的硅基晶體管，接近量子力學(xué)原理決定的物理極限，有望將CMOS技術(shù)推進至3納米以下技術(shù)節(jié)點。

2017年1月20日，標志性成果以Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths 為題，在線發(fā)表于《科學(xué)》（Science， 2017， 355： 271-276）;被包括IBM研究人員在內(nèi)的同行在《科學(xué)》《自然?納米技術(shù)》等期刊24次公開正面引用，并入選ESI高被引論文。相關(guān)工作被Nature Index、IEEE Spectrum、Nano Today、《科技日報》等國內(nèi)外主流學(xué)術(shù)媒體和新華社報道;

《人民日報》（海外版）評價碳管晶體管的“工作速度是英特爾最先進的14納米商用硅材料晶體管的三倍，而能耗只是其四分之一”，意味著中國科學(xué)家“有望在芯片技術(shù)上趕超國外同行”，“是中國信息科技發(fā)展的一座新里程碑”。