環(huán)形振蕩器，是由三個(gè)非門(mén)或更多奇數(shù)個(gè)非門(mén)輸出端和輸入端首尾相接，構(gòu)成環(huán)狀的機(jī)器。

以三個(gè)非門(mén)為例，即非門(mén)A輸出端連接到非門(mén)B輸入端，非門(mén)B輸出端連接到非門(mén)C輸入端，非門(mén)C輸出端到連接非門(mén)A輸入端，在其中任何一個(gè)連接的位置都可以引出輸出信號(hào)。

CMOS反相器的原理圖設(shè)計(jì)

在CMOS反相器的電路圖設(shè)計(jì)，需要考慮電路的傳播延時(shí)，然后可以確定PMOS和NMOS管的尺寸。至今一直使PMOS管較寬，以使它的電阻與下拉的NMOS管匹配。在設(shè)計(jì)中，PMOS與NMOS的寬長(zhǎng)比為2。以反相器為基礎(chǔ)，依據(jù)邏輯門(mén)與反相器有相同的驅(qū)動(dòng)能力設(shè)置復(fù)雜電路的PMOS和NMOS寬長(zhǎng)比。

NMOSE反相器電路

環(huán)形振蕩器的原理圖設(shè)計(jì)

在實(shí)際的仿真時(shí)，由于各個(gè)MOSE管的參數(shù)都是一致的，而且仿真軟件不能模擬實(shí)際情況下的各種干擾，所以應(yīng)當(dāng)在電路圖中加一個(gè)激勵(lì)信號(hào)，使電路起振。圖中的rc是用于改變振蕩器的頻率，由于門(mén)電路的傳輸延遲時(shí)間極短，TTL門(mén)電路只有幾十納秒，CMOS電路也不過(guò)一二百納秒，難以獲得較低的振蕩頻率，加入RC后可以使振蕩器的頻率降低。