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發(fā)布了文章 2021-12-31 05:29
LLC拓?fù)渲校瑸槭裁催x用體二極管恢復(fù)快的MOSFET（FR-MOS）
LLC諧振轉(zhuǎn)換器就是一種軟開關(guān)拓?fù)?，允許主功率開關(guān)管零電壓開關(guān)，顯著降低開關(guān)損耗，大幅提高電源能效。在這種拓?fù)渲?，為了實現(xiàn)ZVS開關(guān)，功率開關(guān)管的寄生體二極管必須反向恢復(fù)時間非常短（FR-MOS）。如果體二極管不能恢復(fù)全部載流子，則在負(fù)載從低到高的變化過程中，可能會發(fā)生硬開關(guān)操作，并可能導(dǎo)致寄生雙極晶體管導(dǎo)通。在電信設(shè)備電源、大型計算機/服務(wù)器、電焊機、鋼材5.9k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-12-31 05:27
6.1.1 選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.1.2n型區(qū)的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》第６章碳化硅器件工藝5.4總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》5.3.2.1壽命控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》5.3.2載流子1.4k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-12-31 05:26
9.2.6 拋光工藝和拋光片∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊相關(guān)鏈接：8.8.11無應(yīng)力拋光設(shè)備（SFP）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》3.8切片及拋光∈《碳化硅技術(shù)基797瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-12-31 05:23
6.1.3 p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.1.3p型區(qū)的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》第６章碳化硅器件工藝5.4總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》5.3.2.11.4k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-12-31 05:22
9.2.7 硅片清洗與包裝∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙628瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-12-31 05:19
6.1.4 半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.3p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》第６章碳化硅器1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-12-31 05:18
9.3.1 點缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機，提供SiC晶圓、GaN基板、藍寶石晶圓507瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-12-31 02:06
5.2.3 擴展缺陷對SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2雙極退化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》5.1.6.2電子順磁共振∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》5.1.6.1深能級瞬態(tài)譜∈《碳化硅1.3k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-12-31 02:05
9.1.11 硅基石墨烯∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
9.1硅材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機，提供SiC晶圓、GaN基548瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-12-31 02:02
5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2雙極退化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》5.11.4k瀏覽量