6.1.4 半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.1.4 半絕緣區(qū)域的離子注入
6.1 離子注入
第６章碳化硅器件工藝
《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
碳化硅
+關注
關注
25文章
3221瀏覽量
51429
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關聯(lián)性研究
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關鍵指標，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長工藝參
碳化硅器件的應用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩(wěn)定，哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下
碳化硅晶圓特性及切割要點
的不同，碳化硅襯底可分為兩類：一類是具有高電阻率（電阻率≥10^5Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，另一類是低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導電型
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化
發(fā)表于 06-25 09:13
芯片離子注入后退火會引入的工藝問題
本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會引入的工藝問題：射程末端（EOR）缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子注入退火問題。
碳化硅功率器件有哪些特點
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設備的需求不斷增加，寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子
國內(nèi)碳化硅功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結果
器件設計公司正在加速被市場拋棄：碳化硅功率器件設計公司出現(xiàn)倒閉潮，這是是市場集中化的必然結果。結合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務動態(tài)，可從以下維度分析這一趨勢： 1. 技術壁壘與產(chǎn)能競賽：
碳化硅功率器件的封裝技術解析
碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關注和應用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術至關重要。本文將詳細解析
離子注入工藝中的重要參數(shù)和監(jiān)控手段
本文簡單介紹了離子注入工藝中的重要參數(shù)和離子注入工藝的監(jiān)控手段。 在硅晶圓制造過程中，離子的分布狀況對器件性能起著決定性作用，而這一分布又與離子注入
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對
發(fā)表于 01-04 12:37
8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結構
隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用，高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當前及未來一段時間內(nèi)的主流尺寸，其外延生長
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應用
能源轉(zhuǎn)換、電力傳輸和電動汽車等領域具有廣闊的應用前景。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理和特點，并探討其在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應用，引領高效能源轉(zhuǎn)換的未來之光。
SiC的離子注入工藝及其注意事項
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域導電性控制。本文簡要介紹
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應用
碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術，因其優(yōu)異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件的
工商網(wǎng)監(jiān)
評論