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深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;壓力傳感器;相機等方案開發(fā)

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  • 發(fā)布了文章 2022-01-21 01:23

    9.4.8 銦鎵砷∈《集成電路產業(yè)全書》

    9.4化合物半導體第9章集成電路專用材料《集成電路產業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-21 01:21

    6.3.7 遷移率限制因素∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.5.4其他方法∈《碳化硅技術基本原理——生長
    SiC
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-21 01:20

    9.4.9 氮化鎵單晶∈《集成電路產業(yè)全書》

    9.4化合物半導體第9章集成電路專用材料《集成電路產業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-19 01:12

    6.3.5.5 界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.5.4其他方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.5.3界面氮化∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.5.2氧化后退火∈《碳化
    SiC
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-19 01:11

    9.4.7 磷化銦單晶制備∈《集成電路產業(yè)全書》

    9.4化合物半導體第9章集成電路專用材料《集成電路產業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.82
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-18 01:12

    6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.5.3界面氮化∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.5.2氧化后退火∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.5.1界面態(tài)分布∈《碳化硅技
    SiC
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-18 01:10

    9.4.6 磷化銦的性質∈《集成電路產業(yè)全書》

    9.4化合物半導體第9章集成電路專用材料《集成電路產業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-17 02:09

    6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.5.2氧化后退火∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.5.1界面態(tài)分布∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.4.8其他方法∈《碳化硅技
    SiC
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-17 02:07

    9.4.4 砷化鎵外延∈《集成電路產業(yè)全書》

    9.4化合物半導體第9章集成電路專用材料《集成電路產業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-13 01:08

    6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.5.1界面態(tài)分布∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.4.8其他方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.4.7電導法∈《碳化硅技術
    SiC
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