動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-11-25 10:56

  快速定位MOS故障的常見方法與解決方案

  

  在電路設(shè)計和應(yīng)用中，MDD的MOS晶體管是重要的開關(guān)元件。當MOS晶體管出現(xiàn)故障時，可能會導致系統(tǒng)無法正常工作，甚至引發(fā)損壞。對于MDDFAE工程師來說，快速定位和修復(fù)MOS故障是確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行的關(guān)鍵。本文MDD將探討常見的MOS故障類型、故障排查方法以及相應(yīng)的修復(fù)方案。一、常見的MOS故障類型MOS管無法導通或無法關(guān)斷這種故障通常是由柵極驅(qū)動信號異常或M

  MOSFET MOS晶體管 電路設(shè)計

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• 發(fā)布了文章 2025-11-24 15:56

  PMOS 和 NMOS 的區(qū)別及其在實際應(yīng)用中的選擇

  

  PMOS（正極性金屬氧化物半導體）和NMOS（負極性金屬氧化物半導體）是兩種基本的MDD辰達半導體的場效應(yīng)晶體管（FET），它們的結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用都有顯著的差異。理解這兩種晶體管的特點以及如何選擇它們，在實際的電子設(shè)計和電路調(diào)試中非常重要，尤其是在高頻、高效能電路和集成電路中。一、基本工作原理對比NMOS（負極性）：NMOS晶體管通常是由N型半導體材料構(gòu)

  MOSFET管 NMOS PMOS 半導體

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• 發(fā)布了文章 2025-11-18 10:50

  高頻整流應(yīng)該選用哪些MDD二極管？核心參數(shù)與物理機制詳解

  

  在高頻整流應(yīng)用中，選擇什么MDD二極管不是簡單的“耐壓夠就行”，而是必須綜合考慮反向恢復(fù)、正向壓降、漏電、溫升、浪涌能力，以及最終電路效率與EMI。許多工程師在幾十kHz以下仍然可以采用普通整流管，但當頻率提升到40kHz、100kHz、300kHz甚至1MHz時，二極管的物理特性會完全改變整流行為，導致?lián)p耗暴漲、波形畸變，甚至燒毀器件。一、普通整流二極管在

  emi 二極管 高頻整流

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• 發(fā)布了文章 2025-11-17 10:10

  BMS主動均衡與被動均衡的工程設(shè)計差異及核心元器件解析

  

  在電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計中，均衡策略始終是工程團隊必須優(yōu)先處理的問題之一。無論是電動兩輪車、儲能系統(tǒng)還是消費類鋰電產(chǎn)品，電芯一致性差都會導致容量無法完全釋放、整包壽命降低甚至觸發(fā)過充風險。工程上最常見的兩類方案是主動均衡與被動均衡。從工程實現(xiàn)角度拆解兩種策略的核心器件、設(shè)計難點及應(yīng)用場景，MDD辰達半導體幫助研發(fā)工程師在產(chǎn)品架構(gòu)選型上做出更具成本與可靠性

  bms MOS 元器件

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• 發(fā)布了文章 2025-11-13 10:04

  MDD MOSFET故障的快速定位與修復(fù)方法（通用電路篇）

  

  在各類電源、電機驅(qū)動及控制電路中，MDD辰達半導體MOSFET是最常見的功率器件之一。由于其工作頻率高、電流大、溫升快，一旦出現(xiàn)故障，往往會造成系統(tǒng)停機甚至連帶燒毀其他元件。作為MDDFAE，如何快速定位問題、判斷失效類型并指導客戶恢復(fù)，是關(guān)鍵技能。一、常見故障類型分類在實際應(yīng)用中，MOSFET的典型失效類型包括：短路失效（D-S導通）：漏源極間電阻近似為零

  MOS MOSFET 通用電路板

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• 發(fā)布了文章 2025-11-12 11:02

  MDD MOS導通電阻對BMS系統(tǒng)效率與精度的影響

  

  在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關(guān)與保護核心元件，其導通電阻（RDS(on)）參數(shù)對系統(tǒng)性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調(diào)試或可靠性驗證過程中，經(jīng)常遇到因?qū)娮柽x型不當導致效率降低、采樣偏差或誤動作的問題。一、RDS(on)的基本定義與作用MOSFET的導通電阻RDS(on)是指器件在完全導

  bms MOS 導通電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-11-03 11:24

  感性負載應(yīng)用中整流二極管的典型問題與解決方案

  

  在各種電源、電機控制、繼電器驅(qū)動及工業(yè)控制系統(tǒng)中，普通整流二極管常被用于抑制感性負載的反向電動勢，保護驅(qū)動電路安全。然而，很多工程師在實際設(shè)計中只關(guān)注“電流夠不夠、耐壓夠不夠”，忽視了電路動態(tài)特性、器件響應(yīng)時間及散熱問題，導致整流二極管出現(xiàn)發(fā)熱、損壞或保護失效等問題。本文將從FAE角度，結(jié)合典型案例，分析感性負載應(yīng)用中整流二極管常見問題及優(yōu)化建議。一、典型應(yīng)

  fae 感性負載 整流二極管

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• 發(fā)布了文章 2025-10-30 09:49

  MDD 邏輯IC的功耗管理與優(yōu)化策略

  

  隨著數(shù)字電路設(shè)計的復(fù)雜度不斷提升，功耗管理成為了系統(tǒng)設(shè)計中不可忽視的重要議題。尤其是在移動設(shè)備、消費電子、嵌入式系統(tǒng)等領(lǐng)域，如何降低功耗以提高能源效率和延長電池壽命，已成為設(shè)計過程中關(guān)鍵的考慮因素之一。對于MDD辰達半導體邏輯IC（集成電路）而言，合理的功耗管理不僅能提升系統(tǒng)性能，還能有效延長設(shè)備的使用壽命。因此，作為FAE，在客戶的設(shè)計過程中，協(xié)助優(yōu)化功耗

  功耗管理 電路設(shè)計 邏輯IC

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• 發(fā)布了文章 2025-10-29 09:39

  MDD 邏輯IC的邏輯電平不兼容問題與解決方案

  

  在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，MDD辰達半導體邏輯IC（集成電路）扮演著至關(guān)重要的角色，廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)處理、時序控制、信號轉(zhuǎn)換等各類電路中。隨著技術(shù)的進步，不同邏輯系列的IC（如TTL、CMOS、BiCMOS等）不斷被引入市場，它們具有各自的優(yōu)勢，但也帶來了邏輯電平不兼容的問題，尤其是在多個不同類型的邏輯IC互聯(lián)時，電平不匹配的問題顯得尤為突出。作為FAE，幫助客戶理解

  邏輯IC 邏輯電平 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2025-10-23 09:54

  MOSFET柵極電壓異?；蚴Э氐脑蚺c對策

  

  在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET以其高開關(guān)速度和低導通損耗而被廣泛應(yīng)用于電源管理、馬達驅(qū)動及DC-DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。然而，F(xiàn)AE在現(xiàn)場調(diào)試和失效分析中發(fā)現(xiàn)，柵極電壓異?；蚴Э厥窃斐蒑OSFET失效的常見原因之一。柵極作為控制端，雖然不直接承載大電流，但其電壓的穩(wěn)定性卻直接決定了MOS的導通狀態(tài)與系統(tǒng)安全。任何一次“柵極失控”，都可能導致器件擊穿、短路甚至整機損壞

  MOSFET MOSFET管 功率電子 柵極電壓

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