動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-07-24 09:46

  快恢復二極管串并聯(lián)的工程實戰(zhàn)案例分析

  

  在功率電子設計中，快恢復二極管憑借其優(yōu)異的反向恢復特性，廣泛應用于高頻整流、電機驅動、電動車控制器、開關電源等場景。在大功率、高電壓或高電流的應用中，單顆快恢復二極管可能無法滿足工作需求，因此工程師常采用串聯(lián)或并聯(lián)方式進行擴展。然而，串并聯(lián)設計并非簡單的堆疊組合，實際應用中需面臨諸如均壓、均流、熱分布等挑戰(zhàn)。本文將結合工程案例，探討快恢復二極管串并聯(lián)的設計要

  二極管 功率電子 快恢復二極管

  293瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-07-23 09:56

  快恢復二極管串聯(lián)與并聯(lián)設計：均壓均流與應用挑戰(zhàn)

  

  快恢復二極管憑借較短的反向恢復時間和較低的開關損耗，在高頻整流、PFC電路和逆變器等應用中廣泛使用。隨著電源系統(tǒng)的功率密度不斷提升，單顆二極管的耐壓或電流能力往往不足，這就需要通過串聯(lián)或并聯(lián)的方式實現(xiàn)更高的耐壓或電流能力。然而，F(xiàn)RD在串并聯(lián)應用中會面臨均壓、均流以及熱穩(wěn)定性的挑戰(zhàn)。一、串聯(lián)應用：提高耐壓能力問題背景單顆快恢復二極管的反向耐壓（VRRM）通常

  串聯(lián) 并聯(lián) 快恢復二極管

  428瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-07-17 10:57

  如何通過實驗測試驗證整流二極管在極端環(huán)境下的可靠性？

  

  為確保整流二極管在高溫、高濕、振動、沖擊等極端環(huán)境下的可靠性，需通過一系列標準化實驗測試進行驗證。以下結合國際測試標準與工程實踐，系統(tǒng)介紹測試方法及實施要點：??一、環(huán)境應力測試????1.高溫存儲測試（HTSL）????目的??：評估高溫對材料老化的影響。??測試條件??：溫度：150℃（硅器件）或175℃（SiC器件）時長：168–1000小時（不通電）

  整流二極管 測試

  341瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-07-16 10:51

  在高溫或高振動環(huán)境下，整流二極管的降額曲線應該如何調整？

  

  在高溫或高振動環(huán)境下，整流二極管的降額曲線需結合熱力學和機械應力進行綜合調整，以確保長期可靠性。以下是具體調整策略及設計要點：一、高溫環(huán)境下的降額曲線調整1.溫度對電流能力的限制整流二極管的額定電流隨環(huán)境溫度升高而顯著下降，需遵循“溫度-電流降額曲線”：降額原理：結溫（Tj）是核心限制參數(shù)。硅二極管最高結溫通常為125℃~175℃，需滿足：Tj=Ta+(IF

  振動 整流二極管

  395瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-07-08 09:43

  淺談辰達MOSFET在USB PD快充電源中的應用挑戰(zhàn)與應對

  

  在USBPD快充電源設計中，MOSFET作為功率控制與轉換的核心器件，發(fā)揮著關鍵作用。隨著充電功率向65W、100W甚至更高邁進，對MOSFET的性能提出了更嚴苛的挑戰(zhàn)。本文將從應用挑戰(zhàn)出發(fā)，結合FAE工程實踐，分析MOSFET在USBPD快充中的關鍵設計要求與應對策略。一、應用背景：MOSFET在USBPD快充中的位置USBPD（PowerDelivery

  MOS MOSFET USB PD

  259瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-07-07 10:23

  MOSFET與IGBT的選擇對比：中低壓功率系統(tǒng)的權衡

  

  在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見的開關器件，廣泛應用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點，適用于不同的應用場景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應用場景，能夠有效提高系統(tǒng)設計的效率與穩(wěn)定性。本文將詳細分析MOSFET與IGBT的選擇對比，特別是在中低壓功率系統(tǒng)中的權衡。一、MOSFET與IGBT的基本原理MOSFET工作原理：MO

  IGBT MOS MOSFET 開關器件

  2.1k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-07-04 10:03

  并聯(lián)MOSFET設計指南：均流、寄生參數(shù)與熱平衡

  

  在現(xiàn)代高效電源設計中，MOSFET并聯(lián)技術廣泛應用于要求大電流承載能力的電路中，如電動汽車、電源供應、功率放大器等。通過并聯(lián)多個MOSFET，可以大幅提高電路的電流處理能力、降低導通損耗，并增強系統(tǒng)的整體可靠性。然而，MOSFET并聯(lián)設計并非簡單的“多加幾個”過程，必須考慮到均流、寄生參數(shù)與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實際設計中有效應對這些挑戰(zhàn)，優(yōu)化并

  MOS MOSFET 并聯(lián)

  398瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-07-03 09:42

  同步整流MOSFET的設計要點與效率提升技巧

  

  在現(xiàn)代高效率電源系統(tǒng)中，同步整流技術已成為主流選擇，尤其是在DC-DC變換器、USB快充適配器、服務器電源和車載電源等場景中。同步整流相比傳統(tǒng)的肖特基二極管整流，能夠顯著降低導通損耗，提高轉換效率。其核心器件——MOSFET，在設計中扮演著至關重要的角色。本文將深入探討同步整流MOSFET的選型要點和提升效率的設計技巧。一、同步整流的基本原理傳統(tǒng)整流使用二極

  MOS MOSFET 二極管 同步整流

  453瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-07-02 10:04

  辰達MOSFET在DC-DC變換器中的關鍵作用與優(yōu)化策略

  

  一、MOSFET在DC-DC變換器中的關鍵作用開關功能DC-DC變換器的核心工作原理是通過高頻開關操作將輸入直流電壓轉換為所需的輸出直流電壓。MOSFET作為開關元件，在此過程中起著至關重要的作用。MOSFET的開關頻率決定了變換器的工作頻率，同時它的開關速度、導通電阻（RDS(on)）和門極電荷（Qg）等特性直接影響變換器的效率和響應時間。開關損耗控制在D

  MOS MOSFET 變換器

  341瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-07-01 14:12

  從開關速度看MOSFET在高頻應用中的性能表現(xiàn)

  

  一、MOSFET開關速度的定義與影響因素開關速度是MOSFET在導通（開）和關斷（關）狀態(tài)之間的切換速度，通常以上升時間（tr）、下降時間（tf）和開關時間（ts）來描述。開關速度越快，MOSFET切換的響應時間越短，意味著更小的開關損耗和更高的工作效率。MOSFET的開關速度主要受以下幾個因素的影響：門極電荷（Qg）：門極電荷是MOSFET開關過程中的一個

  MOS MOSFET 開關速度

  395瀏覽量