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快恢復二極管串聯(lián)與并聯(lián)設計:均壓均流與應用挑戰(zhàn)

MDD辰達半導體 ? 2025-07-23 09:56 ? 次閱讀
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快恢復二極管憑借較短的反向恢復時間和較低的開關損耗,在高頻整流、PFC電路和逆變器等應用中廣泛使用。隨著電源系統(tǒng)的功率密度不斷提升,單顆二極管的耐壓或電流能力往往不足,這就需要通過串聯(lián)或并聯(lián)的方式實現(xiàn)更高的耐壓或電流能力。然而,F(xiàn)RD在串并聯(lián)應用中會面臨均壓、均流以及熱穩(wěn)定性的挑戰(zhàn)。

一、串聯(lián)應用:提高耐壓能力
問題背景
單顆快恢復二極管的反向耐壓(VRRM)通常在200V~1200V不等。對于高壓電源或逆變器輸出階段,往往需要數(shù)千伏耐壓。因此,工程師會采用多顆FRD串聯(lián)的方式實現(xiàn)耐壓擴展。
均壓問題與解決方案
由于器件的反向漏電流(IR)存在差異,串聯(lián)的各個二極管在高壓下會出現(xiàn)電壓不均勻分配。如果某顆二極管承受的反向電壓超過其VRRM,會提前擊穿,引發(fā)系統(tǒng)失效。
靜態(tài)均壓:在每顆二極管兩端并聯(lián)高阻值電阻(如數(shù)百kΩ至MΩ),確保在反向偏置狀態(tài)下分壓均衡。
動態(tài)均壓:在高頻開關過程中,由于快恢復特性,反向恢復時間(Trr)差異也會導致瞬態(tài)電壓不均衡。常用方法是在每顆二極管兩端并聯(lián)RC緩沖網絡,提升動態(tài)均壓效果。
選型注意
使用同一批次、相同型號的FRD,降低參數(shù)離散度。
檢查Trr、IR及結電容的匹配度,確保動態(tài)電壓均分。

二、并聯(lián)應用:提升電流能力
問題背景
在大功率輸出整流或PFC電路中,單顆FRD的額定正向電流(IF)無法滿足設計要求。通過并聯(lián)多顆二極管,可以提高整體的電流承載能力。
均流問題與解決方案
并聯(lián)二極管的Vf存在微小差異,導通時電流會優(yōu)先流經Vf較低的器件,導致其過流、發(fā)熱加劇,形成惡性循環(huán)。
被動均流:在每顆二極管前串聯(lián)小阻值電阻(如10-100mΩ),利用電阻壓降抵消Vf差異,實現(xiàn)電流均衡。
動態(tài)均流:由于Trr差異,反向恢復峰值電流(Irr)可能集中流經某顆器件,因此需選擇參數(shù)匹配度高的FRD,或者通過驅動波形優(yōu)化減輕沖擊。
熱均衡設計
并聯(lián)器件的散熱條件必須一致。PCB布局需對稱,確保銅箔厚度、長度與散熱面積相等,避免某顆器件先過熱引起參數(shù)偏移。

三、實際應用案例與注意事項
開關電源中的串聯(lián)設計:在高壓LLC或諧振電源中,串聯(lián)FRD可提升耐壓,但必須設計靜態(tài)均壓電阻,并在必要時加入RC緩沖網絡,以避免關斷瞬間的電壓失衡。
PFC與逆變器中的并聯(lián)設計:為了降低導通損耗,提高輸出電流,F(xiàn)RD經常與同步MOSFET配合,采用并聯(lián)結構。但在設計中需特別關注Trr與熱參數(shù)的匹配。

四、工程建議
串聯(lián)與并聯(lián)的FRD最好來自同一生產批次,并在出廠前進行參數(shù)篩選。
串聯(lián)時優(yōu)先考慮加裝RC均壓電路,以減小電壓分配不均帶來的擊穿風險。
并聯(lián)時應加入小阻值均流電阻,同時通過熱仿真優(yōu)化PCB銅箔厚度與散熱通孔設計。
在量產階段,對樣機進行高壓沖擊測試與滿載熱測試,以驗證均壓、均流的可靠性。

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快恢復二極管的串聯(lián)與并聯(lián)設計是提升系統(tǒng)功率能力的常見方案,但其核心挑戰(zhàn)在于電壓、電流及熱量的均衡分配。只有通過合理的器件匹配、均壓均流設計以及充分的熱管理,才能確保FRD在高頻、高功率應用中長期穩(wěn)定運行。

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