P2610BD-VB是一款高效能的單N溝道MOSFET，采用TO252封裝。該器件擁有100V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS），具備較低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），分別為35mΩ@VGS=4.5V以及30mΩ@VGS=10V。其設(shè)計能夠處理高達40A的電流，采用了先進的Trench技術(shù)，適合高效率的開關(guān)電源以及其他功率管理應(yīng)用。
詳細參數(shù)說明
型號：P2610BD-VB
封裝：TO252
配置：單N溝道
漏源電壓（VDS）：100V
柵源電壓（VGS）：±20V
閾值電壓（Vth）：1.8V
導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：
35mΩ @ VGS = 4.5V
30mΩ @ VGS = 10V
最大電流（ID）：40A
技術(shù)：Trench
應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
電動工具：P2610BD-VB適合電動工具中的電機驅(qū)動控制模塊，因其能夠承受較高的電壓與電流，并提供較低的導(dǎo)通電阻，能夠有效提升電動工具的效率和性能。
光伏逆變器：在光伏系統(tǒng)中，P2610BD-VB MOSFET可用于逆變器模塊中進行高效的DC-AC轉(zhuǎn)換，降低功率損耗，提升能量轉(zhuǎn)換效率。
汽車電子：該MOSFET在汽車電子中可用于電源管理和DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用，能夠應(yīng)對惡劣環(huán)境下的高電流需求，如車載電源管理模塊。
電池管理系統(tǒng)：在鋰電池管理系統(tǒng)中，該器件適用于控制充放電流程，確保電池組的安全運行，并優(yōu)化能量使用效率。
通過上述的描述，P2610BD-VB是一款在多種應(yīng)用中都能發(fā)揮優(yōu)異性能的MOSFET，廣泛適用于電力轉(zhuǎn)換和電源管理領(lǐng)域。