### 產(chǎn)品簡介
P2904BDG-VB是一款高效能的單通道N型MOSFET，采用TO252封裝，專為低壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其出色的RDS(ON)特性和高漏電流能力，使其在電源管理和開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，是現(xiàn)代電子設(shè)備中常見的關(guān)鍵組件。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**：TO252
- **配置**：單N型
- **最大漏源電壓 (VDS)**：40V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 12mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**：55A
- **技術(shù)**：Trench
### 適用領(lǐng)域與模塊
P2904BDG-VB廣泛應(yīng)用于各類電源管理系統(tǒng)，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和電池管理系統(tǒng)，其能夠承受高達(dá)40V的漏源電壓，使其在這些應(yīng)用中具有良好的穩(wěn)定性。此外，該MOSFET適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明和消費(fèi)電子產(chǎn)品，因其低導(dǎo)通電阻可以顯著提高系統(tǒng)效率，降低能量損失和發(fā)熱。