動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-08-10 08:14

  英飛凌于馬來西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

  

  ●馬來西亞總理、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新工廠一期項目的生產(chǎn)啟動儀式?！裥戮A廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。●強有力的客戶支持與承諾以及重要的設(shè)計訂單為持續(xù)擴建提供了支撐?！窬恿志A廠100%使用綠電并在運營實踐中采取先進的節(jié)能和可持續(xù)舉措。全球推進低碳化的舉措拉動了對功率半導(dǎo)體的市場需求。順應(yīng)這一趨勢，英飛凌科技股

  半導(dǎo)體 晶圓 碳化硅 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-08-08 08:14

  PCIM2024論文摘要｜新型400V SiC MOSFET用于高效三電平工業(yè)電機驅(qū)動

  

  /摘要/400VSiCMOSFET技術(shù)商用化彌補了長期存在的200V中壓MOSFET與600V超級結(jié)MOSFET之間產(chǎn)品和技術(shù)空缺。400VSiCMOSFET技術(shù)開關(guān)損耗低、導(dǎo)通電阻小，非常適合三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。本文簡要介紹了該器件的設(shè)計理念，并研究了其在ANPC拓?fù)涞娜嘟涣魍ㄓ霉I(yè)驅(qū)動器中的性能，該驅(qū)動器工作在高達(dá)750VDC的輸入電壓下。簡介目前400V

  MOSFET SiC 電機驅(qū)動

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• 發(fā)布了文章 2024-08-06 08:14

  一款適用于光伏應(yīng)用的半橋評估板設(shè)計

  

  8月7日14:00，IPAC技術(shù)專家線上手把手免費教學(xué)2kV碳化硅驅(qū)動板設(shè)計&如何使用評估板助力系統(tǒng)設(shè)計掃描下方二維碼，立即報名，直播內(nèi)容，先睹為快！光伏，作為重點發(fā)展的新質(zhì)生產(chǎn)力，其市場規(guī)模仍在迅速發(fā)展擴大中，其技術(shù)迭代也在不斷演進升級。英飛凌作為半導(dǎo)體技術(shù)和市場應(yīng)用的領(lǐng)軍企業(yè)，發(fā)布了一系列具有差異化附加價值的創(chuàng)新半導(dǎo)體，并同時推出了一款適用于光伏應(yīng)用的半

  光伏 英飛凌 評估板

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• 發(fā)布了文章 2024-08-03 08:14

  我們的城市為什么越來越熱？

  

  全球氣候在變暖，我們焚燒石油，煤炭等化石燃料，產(chǎn)生了大量二氧化碳等溫室氣體，導(dǎo)致全球氣候變暖，尤其大陸氣溫升高，城市變得越來越熱。圖：上海前灘的夜晚，被太陽曬熱的建筑熱島效應(yīng)夏天天太熱，在陽光下火辣辣的，大家一定會抱怨太陽太猛。但你知道嗎？上海的夏天越來越熱不能怪太陽，大城市自身散發(fā)的熱量可以高達(dá)來自太陽輻射熱量的五分之二。城市中心氣溫一般比周圍郊區(qū)高1℃左

  熱成像儀 燃油汽車 電動汽車

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• 發(fā)布了文章 2024-08-02 08:14

  IPAC碳化硅直播季丨如何設(shè)計2000V CoolSiC™驅(qū)動評估板

  

  英飛凌繼推出市面首款擊穿電壓達(dá)到2000V的CoolSiCMOSFET分立器件，再次推出首個應(yīng)用于2000VCoolSiCMOSFET的評估板。本次IPAC直播間特邀評估板開發(fā)團隊，免費教學(xué)，帶您深入了解兩款評估板設(shè)計精髓與測試要點，領(lǐng)略英飛凌2000VCoolSiC碳化硅產(chǎn)品的高效與可靠

  SiC 碳化硅 評估板

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• 發(fā)布了文章 2024-08-01 08:14

  新品 | 可直接驅(qū)動的單端反激式輔助電源用 1700V CoolSiC™ MOSFET

  

  新品可直接驅(qū)動的單端反激式輔助電源用1700VCoolSiCMOSFETCoolSiCMOSFET1700VG1450mΩ、650mΩ和1000mΩ，采用TO247-3-HCC封裝，適用于單端反激式輔助電源，主要應(yīng)用如太陽能逆變器、電動汽車充電器、UPS和通用電機驅(qū)動器。主要特點包括：可由反激式控制器直接驅(qū)動，無需柵極驅(qū)動器IC、高耐壓且損耗小、.XT互連技

  MOSFET SiC 輔助電源

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• 發(fā)布了文章 2024-07-31 08:14

  ?英飛凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技術(shù)助力電力電子行業(yè)變革

  

  該技術(shù)將對數(shù)據(jù)中心、可再生能源和消費電子等行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。在日新月異的電力電子行業(yè)，對更高效、更強大、更緊湊元器件的需求持續(xù)存在。對于新一代硅基MOSFET，英飛凌進行了巨大的研發(fā)投入，以重新定義系統(tǒng)集成標(biāo)準(zhǔn)，使其在廣泛的電力電子應(yīng)用中能夠?qū)崿F(xiàn)更高功率密度和效率。在英飛凌，CoolMOS8的推出意味著這些投入已經(jīng)取得了成效。它是一項先進的MOSFET技術(shù)，

  MOS MOSFET 二極管 元器件

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• 發(fā)布了文章 2024-07-27 08:14

  新品 | 650V高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F

  

  新品650V高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅(qū)動功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號：2ED2388S06F產(chǎn)品特點工作電壓（相對于VS）高達(dá)+650V負(fù)VS瞬態(tài)抗擾度為100V集成超快、低電阻自舉二極管90ns傳播延遲最大電源電壓為25V應(yīng)用價值集成自舉

  MOSFET 二極管 驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2024-07-25 08:14

  PCIM2024論文摘要｜并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究

  

  /摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和數(shù)學(xué)計算。提出了基于SPICE模型的Simetrix仿真,以研究不同參數(shù)對分流的影響。最后提出了驅(qū)動電路設(shè)計建議和柵極電阻設(shè)計方法。導(dǎo)言隨著市場和應(yīng)用的發(fā)展,高額定功率和高功率密度成為越來越重要的趨勢。目前，

  MOSFET SiC 驅(qū)動電路

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• 發(fā)布了文章 2024-07-24 08:14

  新品 | 雙通道交錯PFC級和三相逆變橋Easy模塊

  

  新品雙通道交錯PFC級和三相逆變橋Easy模塊EasyPIM2B集成PIM模塊，帶雙通道交錯PFC級和三相逆變橋，適用于熱泵/暖通空調(diào)應(yīng)用。產(chǎn)品型號：FB50R07W2E3_B23EasyPIM2B650V50APIM模塊，采用50AHighspeed5交錯PFC級，50A溝槽柵截止層IGBT3，發(fā)射極受控Emcon3二極管的逆變?nèi)鄻?，壓接安裝和NTC。F

  easy PFC 模塊 逆變橋

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