動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-11-24 01:01

  第三屆電力電子科普作品創(chuàng)作大賽啟航

  

  電力電子技術(shù)，這一在新能源發(fā)電、輸配電及高效用電領(lǐng)域扮演著舉足輕重角色的科技力量，已悄然滲透至我們生活的各個層面。它憑借高效的功率變換技術(shù)，不僅推動了生產(chǎn)活動的綠色節(jié)能轉(zhuǎn)型，更讓我們的生活變得更加舒適便捷，出行方式也更加環(huán)保無憂。然而，這位在幕后默默奉獻的英雄——電力電子技術(shù)，卻往往不為廣大公眾所熟知。身為電力電子行業(yè)的耕耘者，你是否曾夢想過以通俗易懂的語言

  電力電子 電源 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-11-23 01:04

  新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝

  

  新品CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-44引腳封裝，以第1代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiCMOSFET第2代在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓撲的關(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進，適用于所有常

  MOSFET SiC 封裝

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• 發(fā)布了文章 2024-11-19 01:01

  功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容

  

  /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。熱容熱容Cth像熱阻Rth一樣是一個重要的物理量，它們具有相似的量綱結(jié)構(gòu)。熱容和電容，都是描述儲

  功率半導(dǎo)體 功率器件 熱設(shè)計

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• 發(fā)布了文章 2024-11-17 01:02

  第二屆電力電子創(chuàng)作大賽圓滿收官，優(yōu)秀作品連連看！

  

  在新能源發(fā)電、輸配電及高效用電領(lǐng)域，電力電子技術(shù)默默扮演著舉足輕重的角色，卻常隱于幕后，不為公眾所廣泛認(rèn)知。為揭開這位科技巨擘的神秘面紗，中國電源學(xué)會科普工委與英飛凌科技（中國）有限公司共同主辦第二屆電力電子創(chuàng)作大賽，旨在深化公眾對電力電子技術(shù)的認(rèn)識與理解。自今年4月盛大啟幕以來，大賽吸引了社會各界的廣泛關(guān)注與積極參與。參賽陣容橫跨學(xué)生、工程師、電力電子領(lǐng)域

  電力電子 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-11-16 01:04

  新品 | 16A 230 VAC或350 VDC交直流固態(tài)斷路器參考設(shè)計板

  

  新品16A230VAC或350VDC交直流固態(tài)斷路器參考設(shè)計板REF_SSCB_AC_DC_1PH_16A固態(tài)斷路器(SSCB)套件用于快速評估交流和直流斷路器，帶交互式圖形用戶界面。該套件包含兩塊電路板，支持230VAC或350VDC工作電壓和16A額定電流，自然冷卻，采用頂部散熱(TSC)MOSFET封裝上的非隔離式散熱器。它可支持不同的SSCB應(yīng)用場景

  VAC VDC 斷路器

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• 發(fā)布了文章 2024-11-14 01:03

  新品 | D²PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP™的IGBT7系列

  

  新品D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用額定電壓為1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D2PAK和DPAK封裝（TO263-3和TO252-3），提供3A至15A的額定電流產(chǎn)品。是替代西門子SG***N120系列老型號的理想之選，提供兼容升級。產(chǎn)品型號：■IG

  封裝 芯片 額定電壓

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• 發(fā)布了文章 2024-11-12 01:04

  功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法

  

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個很復(fù)雜的問題，從芯片表面測量溫度，可以發(fā)現(xiàn)單個芯片溫度也是不均勻的。所以工程上

  功率半導(dǎo)體 功率器件 熱設(shè)計 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-11-08 01:03

  新品 | 符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的車載充電用CoolMOS™ CFD7A 650V EasyPACK™模塊

  

  新品符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的車載充電用CoolMOSCFD7A650VEasyPACK模塊符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的EasyPACK采用了最新的CoolMOSCFD7A650V芯片和一個集成的直流緩沖器Snubber電路。完美的性價比組合，適用于車載充電器和電動汽車輔助系統(tǒng)應(yīng)用。產(chǎn)品型號：■F4-35MR07W1D7S8_B11/A產(chǎn)品特點高度可靠的壓接式針腳預(yù)涂

  CoolMOS 充電 車載

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• 發(fā)布了文章 2024-11-07 08:03

  英飛凌再次榮膺2024年全球電子產(chǎn)品獎，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目

  

  11月5日，英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能無源/分立器件”（HighPerformancePassive/Dis

  MOSFET 功率器件 模塊 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-11-05 08:02

  功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

  

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會聯(lián)系實際，比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。功率半導(dǎo)體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導(dǎo)熱脂

  功率半導(dǎo)體 功率器件 散熱器 熱設(shè)計

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