英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 新品 | CoolSiC™ 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL™ 1200V2026-01-22 17:05

  

  新品CoolSiC碳化硅MOSFETM1HEasyDUAL1200VEasyDUAL2BCoolSiCMOSFET半橋模塊通過(guò)AQG324認(rèn)證，采用PressFIT引腳和預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料，集成NTC溫度傳感器，具有1200V耐壓和4mΩ導(dǎo)通電阻，專為電動(dòng)汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)與電動(dòng)航空生態(tài)系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)。產(chǎn)品型號(hào)：■FF4MR12W2M1HP_B11_A

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• 新品 | 英飛凌第五代CoolGaN™ BDS 650V 氮化鎵雙向開關(guān)2026-01-19 17:14

  

  新品英飛凌第五代CoolGaNBDS650V氮化鎵雙向開關(guān)CoolGaNG5系列650V雙向開關(guān)（BDS）是一款單片集成器件，能夠在兩個(gè)方向上主動(dòng)阻斷電壓和電流。它在電力電子領(lǐng)域，特別是在實(shí)現(xiàn)單級(jí)功率變換方面，是一項(xiàng)卓越的創(chuàng)新。該器件采用TOLT封裝，能夠?qū)崿F(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)，是多種應(yīng)用場(chǎng)景下的通用化優(yōu)選方案，并可助力實(shí)現(xiàn)具備成本優(yōu)勢(shì)的創(chuàng)新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。產(chǎn)品型號(hào)：

  雙向開關(guān) 氮化鎵 英飛凌 1350瀏覽量

• 新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN™ 650V G5雙通道晶體管2026-01-15 17:09

  

  新品第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管將半橋功率級(jí)集成于小型6×8mmQFN-32封裝中，該功率級(jí)由兩個(gè)導(dǎo)通電阻典型值140mΩ、耐壓650V的增強(qiáng)型CoolGaN晶體管組成。該產(chǎn)品憑借CoolGaN晶體管卓越的開關(guān)特性，非常適合用于實(shí)現(xiàn)AC-DC充電器與適配器的高功率密度設(shè)計(jì)，以及低功率電機(jī)

  GaN 晶體管 氮化鎵 1593瀏覽量

• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V第二代產(chǎn)品，新增75m?型號(hào)2026-01-12 17:03

  

  新品CoolSiCMOSFET650V第二代產(chǎn)品，新增75m?型號(hào)CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代溝槽SiCMOSFET技術(shù)打造，通過(guò)提升性能、增強(qiáng)設(shè)計(jì)靈活性及魯棒性，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性價(jià)比的飛躍。該系列在硬開關(guān)與軟開關(guān)拓?fù)渲芯軐?shí)現(xiàn)頂級(jí)的效率、高頻開關(guān)特性及可靠性。產(chǎn)品型號(hào)：■IMBG65R075M2H■IMW65R075M2H■I

  MOSFET SiC 器件 146瀏覽量

• 新品 | 采用半橋架構(gòu)的 1ED3330MC12M 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估板設(shè)計(jì)2026-01-07 17:06

  

  新品采用半橋架構(gòu)的1ED3330MC12M隔離式柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估板設(shè)計(jì)該評(píng)估板用于在半橋配置下評(píng)估1ED3330MC12M隔離柵極驅(qū)動(dòng)芯片與分立功率開關(guān)。該評(píng)估板搭載兩枚1ED3330MC12M芯片，并采用2EP130R變壓器驅(qū)動(dòng)芯片構(gòu)建隔離式板載電源。板上預(yù)留兩個(gè)TO247-4封裝的IMZC120R012M2HCoolSiC1200VSiCMOSFET位置（

  變壓器 評(píng)估板 驅(qū)動(dòng)芯片 695瀏覽量

• 重磅干貨 | 英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體年度十大熱門技術(shù)文章2026-01-05 17:14

  

  1英飛凌IGBT7系列芯片大解析IGBT7從2019年問(wèn)世至今，從首發(fā)的T7，到成為擁有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。這幾大系列之間，究竟有何區(qū)別？它們各自的適用領(lǐng)域又都在哪里？今天這篇文章就帶大家一起來(lái)解析一下。2IGBT的電流是如何定義的英飛凌IGBT模塊型號(hào)上

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• 新品 | 采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC™ 1400V MOSFET G22026-01-04 17:06

  

  新品采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC1400VMOSFETG2CoolSiC1400VMOSFETG2器件采用TO-247-4引腳封裝，兼具前沿的SiC技術(shù)與高爬電距離的堅(jiān)固封裝特性。該器件支持直流母線電壓超過(guò)1000V的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，既為現(xiàn)有應(yīng)用提供額外的電壓裕量與增強(qiáng)的可靠性，又能實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)速度，從而提升系統(tǒng)效率。其引腳與現(xiàn)有封裝完

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• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 400V與440V第二代器件2025-12-31 09:05

  

  新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢(shì)，同時(shí)有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V與440V碳化硅MOSFET可在兩電平和三電平的硬開關(guān)與軟開關(guān)拓?fù)渲?，提供卓越的功率密度和系統(tǒng)效率，主要面向人工智能服務(wù)器電源、開關(guān)電源、電機(jī)控制、可再生能源與儲(chǔ)能

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• 年終盤點(diǎn)：2025載譽(yù)而歸，2026蓄力向新2025-12-30 09:04

  

  在2025年行業(yè)和科技浪潮中，英飛凌再次憑借卓越技術(shù)、創(chuàng)新產(chǎn)品與優(yōu)質(zhì)服務(wù)，于客戶與行業(yè)層面收獲滿滿、載譽(yù)而歸。英飛凌始終堅(jiān)持以客戶為中心，將客戶的需求作為業(yè)務(wù)發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。這一年的客戶信賴與行業(yè)認(rèn)可。不僅是對(duì)過(guò)往努力的高度肯定，更激勵(lì)著全體英飛凌人在2026年新征程蓄力向新，砥礪前行。*以下獎(jiǎng)項(xiàng)排名不分先后大洋電機(jī)：30周年特別貢獻(xiàn)獎(jiǎng)德業(yè)科技：2025年

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• 年終盤點(diǎn)：英飛凌2025年碳化硅領(lǐng)域重磅產(chǎn)品與技術(shù)驚艷亮相2025-12-23 18:04

  

  歲末將至，回顧2025年科技領(lǐng)域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績(jī)斐然，憑借一系列創(chuàng)新產(chǎn)品與前沿技術(shù)，為行業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力，成為行業(yè)矚目的焦點(diǎn)。小編貼心地按照產(chǎn)品發(fā)布和技術(shù)發(fā)布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點(diǎn)產(chǎn)品，方便各位看官全方位了解，咱們這就開整！01產(chǎn)品發(fā)布：多元布局，精準(zhǔn)覆蓋多領(lǐng)域需求1CoolSiCMOSFETG21200V和1400V單管：多種封

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