文章
-
一種全工作范圍實(shí)現(xiàn)零電壓開通的高效反激電源控制策略2025-09-03 17:03
/摘要/反激拓?fù)鋸V泛應(yīng)用于中小功率開關(guān)電源中,為了提高反激拓?fù)涞霓D(zhuǎn)換效率,本文提出了一種全輸入電壓及負(fù)載范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET零電壓開通(ZVS)的控制策略,從而提高了轉(zhuǎn)換效率。本文通過理論分析給出其中所涉及的參數(shù)的計(jì)算方法,并通過仿真與實(shí)際電源的測(cè)試驗(yàn)證了該策略的有效性。01背景反激(Flyback)拓?fù)湟蚱浣Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔,控制策略簡(jiǎn)單,適合多路輸出,可 -
首次線上直播 | 2025 英飛凌零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會(huì)(IPAC)直播報(bào)名通道正式開啟2025-09-01 17:07
英飛凌零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會(huì)(IPAC)作為行業(yè)風(fēng)向標(biāo),一直以技術(shù)的深度剖析與應(yīng)用設(shè)計(jì)的專業(yè)解讀,精準(zhǔn)把握熱門領(lǐng)域與應(yīng)用趨勢(shì),收獲了行業(yè)的廣泛認(rèn)可與高度贊譽(yù)。今年,大會(huì)首次以六城聯(lián)動(dòng)的模式盛大舉行,精心籌備了15個(gè)前沿話題。內(nèi)容豐富多元,不僅涵蓋了英飛凌最新的G2CoolSiCMOSFET、氮化鎵,從分立器件到中大功率模塊等前沿產(chǎn)品,應(yīng)用場(chǎng)景更是廣泛延伸至風(fēng)、 -
鋰離子電池管理:建模、狀態(tài)估計(jì)與故障診斷2025-08-30 09:25
本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎(jiǎng)作品,來自付詩意的投稿。在當(dāng)今的科技時(shí)代,鋰離子電池作為一種高效、輕便的能量存儲(chǔ)設(shè)備,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、便攜式電子設(shè)備、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域。為了確保鋰離子電池的安全、可靠和高效運(yùn)行,電池管理系統(tǒng)(BatteryManagementSystem,BMS)起著至關(guān)重要的作用。本文將深入探討鋰離子電池管理中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),包括電池建 -
英飛凌CoolSiC™ MOSFET G2最新產(chǎn)品榮獲2025年度半導(dǎo)體市場(chǎng)創(chuàng)新表現(xiàn)獎(jiǎng)2025-08-27 17:06
8月26日上午,英飛凌科技憑借第二代CoolSiCMOSFETG21400V分立器件以及全新封裝的1200VEasyC系列碳化硅模塊,以其卓越的產(chǎn)品性能和創(chuàng)新的技術(shù)設(shè)計(jì),榮獲2025年半導(dǎo)體市場(chǎng)創(chuàng)新表現(xiàn)獎(jiǎng)——“年度優(yōu)秀功率器件產(chǎn)品獎(jiǎng)”。英飛凌工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場(chǎng)總監(jiān)王丹代表公司出席了頒獎(jiǎng)典禮并領(lǐng)獎(jiǎng)。目前兩款產(chǎn)品均已上市,可通過英飛凌官網(wǎng)申請(qǐng)樣品試用 -
IPAC直播間丨與作者暢聊,解鎖PCIM論文技術(shù)深意2025-08-26 17:04
-
電力系統(tǒng)的“無名醫(yī)生”:電力電子無功補(bǔ)償裝置2025-08-23 08:34
本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎(jiǎng)作品,來自彭宇維的投稿。“別有幽愁暗恨生,此時(shí)無聲勝有聲”。——唐.白居易一首《琵琶行》,道出“有”和“無”的辯證關(guān)系,于人們的日常生活中無處不在,它們共同譜寫了生命的樂章。就拿我們都經(jīng)歷過的“體檢”來說,人體最基礎(chǔ)、最核心的兩大指標(biāo)無疑是心率和血壓。心率是指心臟跳動(dòng)的頻率,正常人的心率一般在每分鐘60~100次,而心率 -
柵極驅(qū)動(dòng)器環(huán)路設(shè)計(jì)對(duì)SiC MOSFET開關(guān)性能的影響2025-08-22 17:19
摘要每個(gè)功率開關(guān)都需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路,這是必要的,但容易被忽視。柵極驅(qū)動(dòng)電路對(duì)功率器件的開關(guān)過程有著非常重要的影響,本文分析了驅(qū)動(dòng)電路的輸出能力和雜散參數(shù)這兩個(gè)參數(shù)。本文以SiCMOSFET關(guān)斷過程為基礎(chǔ),分析了與驅(qū)動(dòng)電路輸出能力和雜散參數(shù)相關(guān)的影響因素,并通過理論分析和仿真結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證。此外,還列 -
西安濟(jì)南人氣爆棚,四站蓄勢(shì)待發(fā)丨2025 IPAC英飛凌零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會(huì)邀您共赴!2025-08-21 17:04
本周二,2025年IPAC英飛凌零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會(huì)盛大啟幕!西安站與濟(jì)南站的活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)熱鬧非凡、人氣高漲。英飛凌科技高級(jí)技術(shù)總監(jiān)、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)負(fù)責(zé)人陳立烽先生,攜手英飛凌碳化硅FellowPeterFriedrichs博士共同發(fā)表開場(chǎng)致辭,深入分享了英飛凌在工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)與布局,以及碳化硅技術(shù)和產(chǎn)品的未來規(guī)劃。會(huì)議期間,Coo