動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-11-28 17:13

  EBSD技術(shù)在樣品制備中的應(yīng)用：揭示材料微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工具

  

  EBSD技術(shù)概述電子背散射衍射技術(shù)（ElectronBackscatterDiffraction，EBSD）是一種高精度的材料表征手段，常作為掃描電子顯微鏡（SEM）的補(bǔ)充設(shè)備使用。它能夠詳細(xì)分析材料的晶體取向、晶界特性、再結(jié)晶行為、微觀結(jié)構(gòu)、相態(tài)識(shí)別以及晶粒尺寸等關(guān)鍵信息。金鑒織構(gòu)取向分析示意圖設(shè)備與服務(wù)高性能的TF20場(chǎng)發(fā)射透射電鏡，這些電鏡配備了能譜儀

  顯微鏡 材料

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• 發(fā)布了文章 2024-11-28 17:12

  解析電壓暫降和短時(shí)中斷抗擾度試驗(yàn)

  

  電壓暫降和短時(shí)中斷抗擾度試驗(yàn)電壓暫降和短時(shí)中斷抗擾度試驗(yàn)（VoltageDipsandShortInterruptionImmunityTest）是用于評(píng)估電子設(shè)備或系統(tǒng)對(duì)電力系統(tǒng)中電壓暫降和短時(shí)中斷的抗擾度的測(cè)試方法。該測(cè)試方法旨在模擬電力系統(tǒng)中可能發(fā)生的電源故障，以驗(yàn)證設(shè)備在這些故障下的正常運(yùn)行和穩(wěn)定性。電壓暫降是指電力系統(tǒng)中電源電壓短時(shí)間內(nèi)降低到較低水

  抗擾度試驗(yàn) 電壓暫降 電子設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2024-11-28 17:11

  FIB技術(shù)：芯片失效分析的關(guān)鍵工具

  

  芯片失效分析的關(guān)鍵工具在半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展的今天，芯片的可靠性成為了衡量其性能的關(guān)鍵因素。聚焦離子束（FIB）技術(shù)，作為一種先進(jìn)的微納加工技術(shù)，對(duì)于芯片失效分析至關(guān)重要。在芯片失效分析中的核心作用FIB技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)納米級(jí)別的精確加工和分析，這對(duì)于解析高度集成和結(jié)構(gòu)復(fù)雜的現(xiàn)代芯片至關(guān)重要。通過FIB技術(shù)，工程師們可以對(duì)芯片進(jìn)行細(xì)致的切割和剖面制作，清晰地揭示芯

  fib 半導(dǎo)體 芯片失效分析

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• 發(fā)布了文章 2024-11-27 12:11

  半導(dǎo)體快速溫變測(cè)試的溫度循環(huán)控制標(biāo)準(zhǔn)

  

  半導(dǎo)體材料簡(jiǎn)介半導(dǎo)體材料是一類具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電能力（電阻率在1mΩ·cm到1GΩ·cm之間）的材料，廣泛應(yīng)用于制造半導(dǎo)體器件和集成電路。根據(jù)化學(xué)組成，半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體、無機(jī)化合物半導(dǎo)體、有機(jī)化合物半導(dǎo)體，以及特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體。這些材料以結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、電學(xué)特性優(yōu)異和成本低廉著稱，是制造現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的理想材料

  IPC 半導(dǎo)體 測(cè)試

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• 發(fā)布了文章 2024-11-27 12:09

  FIB技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域及工作原理解析

  

  集成化微納加工平臺(tái)雙束聚焦離子束-掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）系統(tǒng)代表了微納加工技術(shù)的前沿，它巧妙地融合了單束FIB和SEM的優(yōu)勢(shì)，為用戶提供了一個(gè)多功能的集成化平臺(tái)。這個(gè)平臺(tái)不僅能夠進(jìn)行高分辨率的成像，還能執(zhí)行精準(zhǔn)的材料加工操作。系統(tǒng)架構(gòu)1.離子發(fā)射器：生成正電荷離子流。2.離子光學(xué)系統(tǒng)：利用靜電透鏡和偏轉(zhuǎn)元件對(duì)離子流進(jìn)行精確聚焦和導(dǎo)向。3.掃描控制系

  fib SEM 顯微鏡

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• 發(fā)布了文章 2024-11-27 12:07

  氬離子拋光技術(shù)解析：原理、功能及應(yīng)用

  

  原理、功能及在材料科學(xué)中的應(yīng)用氬離子拋光儀是一種高精度的表面處理設(shè)備，它通過氬離子束對(duì)樣品進(jìn)行精密拋光，以揭示樣品表面的微觀結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)在材料科學(xué)、半導(dǎo)體分析、生物醫(yī)學(xué)研究等領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色，尤其是在需要使用高分辨率顯微鏡進(jìn)行觀察的場(chǎng)合。運(yùn)作機(jī)制氬離子拋光技術(shù)基于離子束物理蝕刻原理，對(duì)樣品表面進(jìn)行細(xì)致的拋光處理。這一技術(shù)能夠有效地消除樣品制備過程

  拋光機(jī) 表面處理

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• 發(fā)布了文章 2024-11-26 11:52

  什么是AEC-Q200認(rèn)證？

  

  AEC-Q200認(rèn)證是由汽車電子協(xié)會(huì)（AutomotiveElectronicsCouncil，簡(jiǎn)稱AEC）制定的一套標(biāo)準(zhǔn)，其目的在于確保汽車電子部件的可靠性和質(zhì)量。AEC是由克萊斯勒、福特和通用汽車等主要汽車制造商與美國(guó)主要部件制造商共同成立的組織，旨在為車載電子部件的可靠性和認(rèn)定標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格化提供統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)。在2023年3月20日，AEC發(fā)布了最新的無源元

  AEC 汽車電子 認(rèn)證

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• 發(fā)布了文章 2024-11-26 11:51

  利用EBSD技術(shù)精確分析晶粒尺寸與晶界特征

  

  晶粒尺寸與晶界特征晶粒作為材料中的基本結(jié)構(gòu)單元，其尺寸和取向?qū)Σ牧系男阅苡兄钸h(yuǎn)的影響。晶粒內(nèi)部的取向相對(duì)一致，而相鄰晶粒之間則存在明顯的取向差異。晶粒尺寸的測(cè)量對(duì)于材料的開發(fā)和應(yīng)用至關(guān)重要，因?yàn)樗苯雨P(guān)系到材料的強(qiáng)度和韌性。EBSD技術(shù)以其高分辨率的晶界成像能力，成為研究晶粒尺寸和晶界特征的首選方法。隨機(jī)顏色顯示晶粒分布圖晶粒尺寸的精確測(cè)量為了獲得晶粒尺寸

  顯微鏡 晶粒 測(cè)量

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• 發(fā)布了文章 2024-11-26 11:49

  TEM透射電子顯微鏡下的兩種照射模式解析

  

  成像原理與應(yīng)用透射電子顯微鏡（TransmissionElectronMicroscope,TEM）是一種利用高能電子束穿透樣品，通過電子與樣品相互作用產(chǎn)生的信號(hào)來獲取樣品的微觀結(jié)構(gòu)信息的儀器。TEM的成像方式主要依賴于電子光源的模式，包括平行光照射模式和匯聚光照射模式。(a)高能電子束與樣品相互作用產(chǎn)生信號(hào)(b)TEM近似平行光路示意圖(c)TEM匯聚束聚

  TEM 顯微鏡 電子束

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• 發(fā)布了文章 2024-11-26 11:48

  什么是泄漏電流試驗(yàn)？

  

  泄漏電流的概念泄漏電流（leakagecurrent）也叫接觸電流，是指在沒有故障施加電壓的情況下，電氣中相互絕緣的金屬零件之間，或帶電零件與接地零件之間，通過其周圍介質(zhì)或絕緣表面所形成的電流。泄漏電流在介質(zhì)中分二個(gè)途徑，一是沿表面流過的稱表面泄漏電流；二是沿介質(zhì)內(nèi)部流過的稱體積泄漏電流。二者之和為介質(zhì)的總泄漏電流。泄漏電流試驗(yàn)的意義泄漏電流是發(fā)生在電氣設(shè)備

  泄漏電流 燈具 電氣設(shè)備 試驗(yàn)

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