動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2024-12-27 13:23
電子背散射衍射：科學(xué)原理與技術(shù)進(jìn)展
樣品制備的關(guān)鍵要素電子背散射衍射技術(shù)（EBSD）是一種用于分析材料微觀結(jié)構(gòu)的強(qiáng)大工具，而樣品的制備質(zhì)量直接影響分析結(jié)果的準(zhǔn)確性。以下是制備樣品時(shí)需滿足的關(guān)鍵要素：表面完整性：樣品表面應(yīng)保持平整，避免在制備過程中造成損傷。晶界保護(hù)：在制備過程中，應(yīng)盡量減少對(duì)晶粒間晶界的破壞。應(yīng)力層控制：樣品表面應(yīng)無應(yīng)力層，以確保衍射數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。樣品制備的工藝流程1.機(jī)械拋光785瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-12-26 14:50
IGBT驅(qū)動(dòng)光耦：功率轉(zhuǎn)換的控制樞紐
IGBT在電力電子中的關(guān)鍵作用在當(dāng)今的電力電子技術(shù)中，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）已成為不可或缺的核心組件。這種器件以其出色的性能，在變頻器、電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)等高功率應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。IGBT融合了MOSFET的高輸入阻抗特性和BJT的高電流承載能力，使其在功率控制領(lǐng)域脫穎而出。IGBT驅(qū)動(dòng)光耦是一種基于光信號(hào)實(shí)現(xiàn)輸入與輸出電氣隔離的半導(dǎo)體器件。996瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-12-26 14:49
FIB技術(shù)在芯片失效分析中的應(yīng)用
半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)革新與挑戰(zhàn)在半導(dǎo)體行業(yè)，技術(shù)的快速進(jìn)步帶來了集成電路尺寸的縮小和功能的增強(qiáng)。但同時(shí)，這也帶來了新的挑戰(zhàn)，尤其是在故障定位和分析領(lǐng)域。為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，科研人員開發(fā)了一系列尖端分析技術(shù)，其中聚焦離子束（FIB）技術(shù)在故障分析中扮演了關(guān)鍵角色。FIB技術(shù)的工作原理與優(yōu)勢(shì)聚焦離子束技術(shù)采用液態(tài)金屬鎵作為離子源，通過施加負(fù)電壓場(chǎng)將鎵離子束引出，實(shí)現(xiàn)對(duì) -
發(fā)布了文章 2024-12-26 14:47
跌落測(cè)試指南：設(shè)定條件與遵循標(biāo)準(zhǔn)
跌落測(cè)試概述跌落測(cè)試是模擬產(chǎn)品在意外跌落事件中的表現(xiàn)，以此來評(píng)估產(chǎn)品在受到?jīng)_擊時(shí)的性能和穩(wěn)定性。這種測(cè)試對(duì)于指導(dǎo)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)過程和質(zhì)量控制具有決定性的作用。通過重現(xiàn)產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的各種機(jī)械應(yīng)力，跌落測(cè)試能夠檢驗(yàn)產(chǎn)品對(duì)外部環(huán)境變化的適應(yīng)性。對(duì)于制造商而言，這項(xiàng)測(cè)試是評(píng)估產(chǎn)品耐用性和在多變環(huán)境下保持安全、可靠性能的關(guān)鍵工具。通過發(fā)現(xiàn)并改進(jìn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)中 -
發(fā)布了文章 2024-12-26 14:46
EBSD在材料科學(xué)中的優(yōu)勢(shì)分析
在材料科學(xué)中，對(duì)晶體結(jié)構(gòu)和晶粒取向的深入研究對(duì)于揭示材料性能具有決定性作用。傳統(tǒng)技術(shù)，如X光衍射和中子衍射，雖然能夠提供宏觀層面的晶體結(jié)構(gòu)和取向信息，但它們無法將這些信息與微觀結(jié)構(gòu)直接關(guān)聯(lián)，也無法詳細(xì)描述多相和多晶材料中不同相位和晶粒取向的空間分布。同時(shí)，透射電鏡（TEM）技術(shù)雖然能夠?qū)植繀^(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)和取向進(jìn)行分析，但其樣品制備過程復(fù)雜，且通常只能提供有 -
發(fā)布了文章 2024-12-26 14:44
全面解析RoHS與ELV的差異
RoHS的標(biāo)準(zhǔn)RoHS（RestrictionofHazardousSubstances）是一項(xiàng)由歐盟立法制定的強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)，全稱為《關(guān)于限制在電子電氣設(shè)備中使用某些有害成分的指令》。該標(biāo)準(zhǔn)的核心目標(biāo)是限制在電子電氣產(chǎn)品制造過程中使用特定的有害物質(zhì)，以減少對(duì)環(huán)境和人類健康的潛在危害。RoHS標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用范圍RoHS指令涵蓋了廣泛的產(chǎn)品類別，包括但不限于大型家用電 -
發(fā)布了文章 2024-12-25 11:58
詳細(xì)解讀——FIB-SEM技術(shù)(聚焦離子束)制備透射電鏡(TEM)樣品
子束技術(shù)概述聚焦離子束技術(shù)是一種先進(jìn)的納米加工技術(shù)，它通過靜電透鏡將離子束精確聚焦至2至3納米的束寬，對(duì)材料表面進(jìn)行精細(xì)的加工處理。這項(xiàng)技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性等多種操作。FIB技術(shù)的優(yōu)勢(shì)1.操作簡(jiǎn)便性：FIB技術(shù)簡(jiǎn)化了操作流程，減少了樣品的前處理步驟，同時(shí)降低了對(duì)樣品的污染和損害。2.微納尺度加工：該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)精準(zhǔn)的微米及納米級(jí)切割 -
發(fā)布了文章 2024-12-25 11:57
環(huán)境可靠性測(cè)試有哪些項(xiàng)目
在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中，環(huán)境可靠性測(cè)試扮演著至關(guān)重要的角色。這些測(cè)試不僅確保產(chǎn)品能夠滿足既定的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，還幫助制造商發(fā)現(xiàn)并改進(jìn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造過程中的潛在問題。氣候環(huán)境測(cè)試的分析1.高溫測(cè)試：這項(xiàng)測(cè)試將產(chǎn)品置于高溫且無濕環(huán)境中，以檢驗(yàn)其在高溫狀態(tài)下的穩(wěn)定性和耐久性。2.低溫測(cè)試：在低溫條件下對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行測(cè)試，以評(píng)估其在寒冷環(huán)境下的功能表現(xiàn)和耐寒性。3.溫濕度循環(huán)測(cè)試： -
發(fā)布了文章 2024-12-25 11:56
AEC-Q102之靜電放電測(cè)試（HBM）
靜電放電（ESD）是電子元器件在運(yùn)輸、安裝和使用過程中常見的一種現(xiàn)象，它可能導(dǎo)致器件損壞、性能降低或壽命縮短。因此，對(duì)電子元器件進(jìn)行ESD試驗(yàn)至關(guān)重要，以確保其在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性。AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)中包含了多種ESD試驗(yàn)，其中人體模型（HBM）試驗(yàn)是最為常見的一種。什么是HBM試驗(yàn)？HBM試驗(yàn)，即人體模型試驗(yàn)，是一種評(píng)估電子器件對(duì)由人體產(chǎn)生的靜電 -
發(fā)布了文章 2024-12-25 11:55
氬離子拋光：揭示材料微觀結(jié)構(gòu)
氬離子拋光技術(shù)概述氬離子拋光技術(shù)是一種精密的材料表面處理方法，它通過精細(xì)調(diào)控氬離子束的深度和強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品表面的拋光，以消除表面損傷并展示材料的微觀結(jié)構(gòu)。這項(xiàng)技術(shù)對(duì)于多種分析儀器至關(guān)重要，包括掃描電子顯微鏡（SEM）、光學(xué)顯微鏡和掃描探針顯微鏡等，尤其是在進(jìn)行EDS、EBSD、CL、EBIC等高級(jí)分析時(shí)，高質(zhì)量的樣品表面是確保結(jié)果準(zhǔn)確性的關(guān)鍵。數(shù)調(diào)整氬離子
