動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-06-16 14:07

  混合集成電路(HIC)芯片封裝中真空回流爐的選型指南

  

  混合集成電路（HIC）芯片封裝對工藝精度和產(chǎn)品質(zhì)量要求極高，真空回流爐作為關(guān)鍵設(shè)備，其選型直接影響封裝效果。本文深入探討了在混合集成電路芯片封裝過程中選擇真空回流爐時需要考慮的多個關(guān)鍵因素，包括溫度控制精度、真空度、加熱均勻性、設(shè)備穩(wěn)定性與可靠性、工藝兼容性、成本效益以及售后服務(wù)等，旨在為相關(guān)企業(yè)和研發(fā)人員提供全面且實用的選型參考，助力其做出更科學(xué)合理的設(shè)備

  半導(dǎo)體設(shè)備 芯片封裝 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2025-06-03 15:43

  功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析：以SiC與IGBT為例

  

  隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝與連接技術(shù)中，銀燒結(jié)技術(shù)憑借其獨特的優(yōu)勢逐漸嶄露頭角。本文深入探討了功率器件采用銀燒結(jié)技術(shù)的原因，從銀燒結(jié)技術(shù)的原理出發(fā)，分析了其在熱性能、電性能、機械性能以及可靠性等方面的優(yōu)勢，并結(jié)合SiC和IGBT功率器

  IGBT SiC 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-05-30 11:09

  半導(dǎo)體硅表面氧化處理：必要性、原理與應(yīng)用

  

  半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質(zhì)對器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通過在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅（SiO?）層，顯著改善了硅材料的電學(xué)、化學(xué)和物理特性。本文從半導(dǎo)體硅表面氧化的必要性出發(fā)，深入探討其原理、方法、優(yōu)勢以及在集成電路、微電子器件等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，旨在揭示表面氧化處理在推動半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展中的重要作

  半導(dǎo)體 半導(dǎo)體設(shè)備 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-05-29 11:40

  芯片制造“鍍”金術(shù)：化學(xué)鍍技術(shù)的前沿突破與未來藍圖

  

  隨著芯片技術(shù)的飛速發(fā)展，對芯片制造中關(guān)鍵工藝的要求日益提高?；瘜W(xué)鍍技術(shù)作為一種重要的表面處理技術(shù)，在芯片制造中發(fā)揮著不可或缺的作用。本文深入探討了化學(xué)鍍技術(shù)在芯片制造中的應(yīng)用現(xiàn)狀，分析了其原理、優(yōu)勢以及面臨的挑戰(zhàn)，并對近年來該技術(shù)的研究進展進行了全面梳理，同時展望了其未來的發(fā)展方向，旨在為芯片制造領(lǐng)域中化學(xué)鍍技術(shù)的進一步優(yōu)化和創(chuàng)新提供參考。

  半導(dǎo)體設(shè)備 芯片制造 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-05-28 14:56

  甲酸真空共晶焊接工藝：開啟精密焊接新時代

  

  在現(xiàn)代電子制造領(lǐng)域，焊接工藝的優(yōu)劣直接關(guān)乎產(chǎn)品的性能與可靠性。隨著電子器件不斷向小型化、高性能化發(fā)展，傳統(tǒng)焊接技術(shù)逐漸暴露出諸多局限性。在此背景下，甲酸真空共晶焊接工藝憑借其獨特的優(yōu)勢脫穎而出，成為眾多高端電子制造領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。

  半導(dǎo)體 半導(dǎo)體設(shè)備 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-04-18 13:39

  聚焦塑封集成電路：焊錫污染如何成為可靠性“絆腳石”？

  

  本文聚焦塑封集成電路焊錫污染問題，闡述了焊錫污染發(fā)生的條件，分析了其對IC可靠性產(chǎn)生的多方面影響，包括可能導(dǎo)致IC失效、影響電化學(xué)遷移等。通過實際案例和理論解釋，深入探討了焊錫污染對封裝塑封體的不可恢復(fù)性及在特定條件下的再次失效情況。同時，針對SMT工程師提出了避免焊錫污染導(dǎo)致可靠性失效的建議，旨在為集成電路產(chǎn)業(yè)在生產(chǎn)制造過程中有效控制焊錫污染、提高產(chǎn)品質(zhì)量

  焊錫 芯片 集成電路封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-04-14 13:49

  高密度系統(tǒng)級封裝：技術(shù)躍遷與可靠性破局之路

  

  本文聚焦高密度系統(tǒng)級封裝技術(shù)，闡述其定義、優(yōu)勢、應(yīng)用場景及技術(shù)發(fā)展，分析該技術(shù)在熱應(yīng)力、機械應(yīng)力、電磁干擾下的可靠性問題及失效機理，探討可靠性提升策略，并展望其未來發(fā)展趨勢，旨在為該領(lǐng)域的研究與應(yīng)用提供參考。

  半導(dǎo)體 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-04-11 14:02

  芯片封裝中的四種鍵合方式：技術(shù)演進與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用

  

  芯片封裝作為半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié)，承擔著物理保護、電氣互連和散熱等關(guān)鍵功能。其中，鍵合技術(shù)作為連接裸芯片與外部材料的橋梁，直接影響芯片的性能與可靠性。當前，芯片封裝領(lǐng)域存在引線鍵合、倒裝芯片、載帶自動鍵合和混合鍵合四種主流技術(shù)，它們在工藝流程、技術(shù)特點和應(yīng)用場景上各具優(yōu)勢。本文將深入剖析這四種鍵合方式的技術(shù)原理、發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢，為產(chǎn)業(yè)界提供技術(shù)參考。

  半導(dǎo)體設(shè)備 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-04-10 14:36

  從焊錫膏到3D堆疊：材料創(chuàng)新如何重塑芯片性能規(guī)則？

  

  在摩爾定律逼近物理極限的當下，先進封裝技術(shù)正成為半導(dǎo)體行業(yè)突破性能瓶頸的關(guān)鍵路徑。以系統(tǒng)級封裝（SiP）、晶圓級封裝（WLP）、3D堆疊、Chiplet異構(gòu)集成為代表的顛覆性方案，正重新定義芯片性能躍遷的軌跡。隨著AI芯片需求的爆發(fā)式增長及臺積電CoWoS產(chǎn)能限制，先進封裝材料作為產(chǎn)業(yè)鏈核心上游，其性能直接決定封裝密度、可靠性及功能性，成為推動技術(shù)持續(xù)進步的

  半導(dǎo)體封裝 焊錫膏 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-04-09 13:35

  功率半導(dǎo)體與集成技術(shù)：開啟能源與智能新紀元

  

  本文深入探討了功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，分析了其面臨的挑戰(zhàn)與機遇，并對未來發(fā)展趨勢進行了展望。功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，在新能源、工業(yè)控制、消費電子等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著技術(shù)的不斷進步，功率半導(dǎo)體器件正朝著高性能、高集成度、智能化方向發(fā)展，功率集成技術(shù)也日益成熟，為各行業(yè)帶來了更高的效率和可靠性。

  功率半導(dǎo)體 功率集成模塊 半導(dǎo)體設(shè)備

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