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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-28 14:09

  半導(dǎo)體槽式清洗機 芯矽科技

  

  產(chǎn)品型號：bdtcsqxj 非標定制：根據(jù)需求定制

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-28 14:06

  半導(dǎo)體濕制程設(shè)備 芯矽科技

  

  產(chǎn)品型號：bdtszcsb 非標定制：根據(jù)需求定制參數(shù)

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-28 14:02

  全自動酸洗設(shè)備

  

  產(chǎn)品型號：qzdsxsb 非標定制：根據(jù)需求定制

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• 發(fā)布了文章 2025-09-25 13:59

  半導(dǎo)體金屬腐蝕工藝

  

  半導(dǎo)體金屬腐蝕工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，涉及精密的材料去除與表面改性技術(shù)。以下是該工藝的核心要點及其實現(xiàn)方式：一、基礎(chǔ)原理與化學(xué)反應(yīng)體系金屬腐蝕本質(zhì)上是一種受控的氧化還原反應(yīng)過程。常用酸性溶液（如HF、H?SO?）或堿性蝕刻液（KOH、TMAH）作為腐蝕介質(zhì)，通過電化學(xué)作用溶解目標金屬材料。例如，在鋁互連工藝中，磷酸基蝕刻液能選擇性去除鋁層而保持下層介

  半導(dǎo)體 金屬腐蝕 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2025-09-25 13:56

  半導(dǎo)體腐蝕清洗機的作用

  

  半導(dǎo)體腐蝕清洗機是集成電路制造過程中不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備，其作用貫穿晶圓加工的多個核心環(huán)節(jié)，具體體現(xiàn)在以下幾個方面：一、精準去除表面污染物與殘留物在半導(dǎo)體工藝中，光刻、刻蝕、離子注入等步驟會留下多種頑固雜質(zhì)。例如，光刻后的未曝光區(qū)域需要剝離殘余的光刻膠及底層聚合物；刻蝕工序產(chǎn)生的金屬碎屑或反應(yīng)副產(chǎn)物也可能附著在晶圓表面。腐蝕清洗機通過特定化學(xué)試劑（如硫酸、雙氧

  半導(dǎo)體 清洗機

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• 發(fā)布了文章 2025-09-23 11:14

  再生晶圓和普通晶圓的區(qū)別

  

  再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色，二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來源、制造工藝、性能指標及應(yīng)用場景等方面。以下是具體分析：定義與來源差異普通晶圓：指全新生產(chǎn)的硅基材料，由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶、切片、拋光等工序制成，未經(jīng)任何使用歷史。其原材料通常來自二氧化硅礦石提煉的高純硅料，經(jīng)過嚴格控溫的長晶過程形成圓柱形單晶硅棒，再切割成薄片后成為集成電路制造的基礎(chǔ)

  制造 半導(dǎo)體 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-09-23 11:10

  濕法去膠工藝chemical殘留原因

  

  濕法去膠工藝中出現(xiàn)化學(xué)殘留的原因復(fù)雜多樣，涉及化學(xué)反應(yīng)、工藝參數(shù)、設(shè)備性能及材料特性等多方面因素。以下是具體分析：化學(xué)反應(yīng)不完全或副產(chǎn)物生成溶劑選擇不當：若使用的化學(xué)試劑與光刻膠成分不匹配（如堿性溶液處理負性膠時溶解效率低），可能導(dǎo)致分解反應(yīng)停滯，留下未反應(yīng)的聚合物碎片。例如，某些強氧化體系（如硫酸-雙氧水混合液）在碳化嚴重的區(qū)域難以徹底氧化有機物，形成難溶

  材料 濕法

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• 發(fā)布了文章 2025-09-22 11:09

  硅片濕法清洗工藝存在哪些缺陷

  

  硅片濕法清洗工藝雖然在半導(dǎo)體制造中廣泛應(yīng)用，但其存在一些固有缺陷和局限性，具體如下：顆粒殘留與再沉積風險來源復(fù)雜多樣：清洗液本身可能含有雜質(zhì)或微生物污染；過濾系統(tǒng)的濾芯失效導(dǎo)致大顆粒物質(zhì)未被有效攔截；設(shè)備管道內(nèi)的積垢脫落進入清洗槽；氣液界面擾動時空氣中的微粒被帶入溶液。這些因素均可能造成顆粒附著于硅片表面。此外，若清洗后的沖洗不徹底或干燥階段水流速度過快產(chǎn)生

  半導(dǎo)體制造 硅片

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• 發(fā)布了文章 2025-09-22 11:04

  如何選擇合適的半導(dǎo)體芯片清洗模塊

  

  選擇合適的半導(dǎo)體芯片清洗模塊需要綜合考慮工藝需求、設(shè)備性能、兼容性及成本效益等多方面因素。以下是關(guān)鍵決策點的詳細分析：1.明確清洗目標與污染物類型污染物特性決定清洗策略：若主要去除顆粒物（如硅微粉、金屬屑），優(yōu)先選擇物理作用強的超聲波或兆聲波模塊；針對有機殘留（光刻膠、樹脂）、油污等，則需化學(xué)溶解能力強的噴淋系統(tǒng)配合溶劑（如丙酮、NMP）。對于金屬離子污染，

  半導(dǎo)體芯片 超聲波

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• 發(fā)布了文章 2025-09-17 11:01

  光刻膠剝離工藝

  

  光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實施要點：濕法剝離技術(shù)有機溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP（N-甲基吡咯烷酮）、乳酸乙酯等強極性溶劑溶脹并溶解光刻膠分子鏈，適用于傳統(tǒng)g線/i線正膠體系。例如，NMP因低蒸氣壓可加熱至80℃以增強對交聯(lián)型光刻膠的去除能力

  光刻膠 半導(dǎo)體制造 材料

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