光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關鍵步驟，其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結構。以下是該工藝的主要類型及實施要點：

濕法剝離技術

有機溶劑溶解法

原理：使用丙酮、NMP（N-甲基吡咯烷酮）、乳酸乙酯等強極性溶劑溶脹并溶解光刻膠分子鏈，適用于傳統(tǒng)g線/i線正膠體系。例如，NMP因低蒸氣壓可加熱至80℃以增強對交聯(lián)型光刻膠的去除能力，而DMSO作為其安全替代品，在60–80℃時表現(xiàn)相似性能。

特點：成本低且設備簡單，適合批量處理；但對新型化學放大型抗蝕劑效果有限，且溶劑揮發(fā)可能造成環(huán)境污染。

酸堿顯影液剝離

堿性配方：采用TMAH（氫氧化四甲銨）、KOH稀溶液等，通過水解反應破壞負性光阻的交聯(lián)網(wǎng)絡；高濃度堿性溶液可能腐蝕硅基板，需謹慎控制濃度與作用時間。

酸性變體：如硫酸+雙氧水混合液（類似SPM溶液），可氧化分解金屬表面的殘留物，常用于特殊清洗場景。

臭氧化水處理系統(tǒng)

機制：將臭氧氣體鼓入超純水中生成強氧化性自由基（·OH），高效降解有機物的同時抑制金屬離子再沉積，尤其適用于先進封裝工藝中的UBM層清洗。該技術具有較低的VOC排放和廢水可回收優(yōu)勢。

干法剝離技術

等離子體灰化

工作模式：在低壓腔室內(nèi)通入O?/N?混合氣體產(chǎn)生電感耦合等離子體（ICP），活性粒子轟擊使光刻膠碳化揮發(fā)。通過調(diào)節(jié)氧氣比例可控制刻蝕速率與選擇性，射頻功率密度通常維持在5–15W/cm2區(qū)間，壓力為50–200mTorr以保證各向異性刻蝕特性。此方法適合三維結構器件及高深寬比溝槽內(nèi)的殘膠清除。

反應離子刻蝕（RIE）輔助去膠

復合效應：結合物理濺射與化學腐蝕雙重作用，CF?/Ar氣體混合物既能斷裂C-H鍵又提供橫向剝離力，適用于堅硬的化學增幅型光阻層剝離。采用脈沖式偏壓供電可減少電荷積累導致的器件損傷。

特殊應用方案

升降溫沖擊剝離法

熱力學原理：交替施加高溫烘烤（軟化光刻膠）與液氮急冷（產(chǎn)生收縮應力），促使整片脫落。常用于晶圓級光學元件保護層的去除，需精確控制溫差梯度以避免熱震裂紋產(chǎn)生。

激光輔助分解技術

前沿探索：使用UV激光照射引發(fā)光刻膠分子鍵斷裂，隨后用弱堿性溶液沖洗即可完成去除。實驗室數(shù)據(jù)顯示對EUV光阻的處理效率顯著提升，但產(chǎn)業(yè)化面臨設備成本高和光束均勻性待優(yōu)化的挑戰(zhàn)。

工藝優(yōu)化與監(jiān)測

水平式剝離設備的應用

優(yōu)勢：將基片水平放置，通過噴淋或旋轉(zhuǎn)涂覆使剝離液均勻覆蓋表面，避免重力導致的分布不均問題，減少殘留風險。白光干涉儀可用于實時監(jiān)測光刻膠厚度變化及圖形形貌，確保剝離過程可控。

級聯(lián)清洗策略

流程設計：針對復雜結構或頑固殘留，采用多級浴槽依次處理（如初洗、精洗、終洗），逐步降低溶液中顆粒濃度以提高清潔度。超聲或兆聲輔助可加速反應，但需注意保護敏感結構免受機械振動影響。

參數(shù)控制要點

溫度管理：避免高溫導致正膠熱交聯(lián)（如超過140℃會降低溶解度）；對于負膠則需防止后續(xù)工藝加強其交聯(lián)程度；

濃度匹配：根據(jù)光刻膠類型選擇適配的剝離液配方，確保與圖形膜無化學反應且無殘留；

干燥方式：氮氣吹掃或熱風干燥可防止水漬殘留，超臨界CO?干燥則用于高精度需求場景。

光刻膠剝離工藝的選擇需綜合考慮材料兼容性、環(huán)境負荷、成本效益及精度要求。濕法適用于通用型大面積處理，干法則側(cè)重精密結構維護；新興技術如激光剝離雖具潛力，但仍需突破產(chǎn)業(yè)化瓶頸。