動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-07-15 09:36

  超薄晶圓淺切多道切割中 TTV 均勻性控制技術(shù)研究

  

  我將從超薄晶圓淺切多道切割技術(shù)的原理、TTV 均勻性控制的重要性出發(fā)，結(jié)合相關(guān)研究案例，闡述該技術(shù)的關(guān)鍵要點(diǎn)與應(yīng)用前景。 超薄晶圓（

  晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-07-14 13:57

  基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)

  

  一、引言 在半導(dǎo)體制造中，晶圓總厚度變化（TTV）均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素，而切割過程產(chǎn)生的應(yīng)力會導(dǎo)致晶圓變形，進(jìn)一步惡化 TTV 均勻性。淺切多道工藝作為一種先進(jìn)的晶圓切割技術(shù)，在控制 TTV 均勻性與釋放應(yīng)力方面展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢，深入研究其相關(guān)技術(shù)對提升晶圓加工質(zhì)量意義重大。 二、淺切多道工藝對 TTV 均勻性的控制機(jī)制 2.1 精準(zhǔn)材料

  晶圓 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-07-12 10:01

  晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對 TTV 的影響

  

  一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響芯片制造的良品率與性能。淺切多道工藝通過分層切削降低單次切削力，有效改善晶圓切割質(zhì)量，但該工藝過程中產(chǎn)生的切削熱分布及其與工藝的耦合效應(yīng)，會對晶圓 TTV 產(chǎn)生復(fù)雜影響 。深入研究兩者耦合效應(yīng)對 TTV 的作用機(jī)制，對優(yōu)化晶圓切割工藝、提升晶圓質(zhì)量具有重要意義。 二、

  半導(dǎo)體 晶圓 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-07-11 09:59

  淺切多道切割工藝對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

  

  一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一，直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過程中，易因單次切割深度過大引發(fā)應(yīng)力集中、振動等問題，導(dǎo)致晶圓 TTV 厚度均勻性欠佳。淺切多道切割工藝作為一種創(chuàng)新加工方式，為提升晶圓 TTV 厚度均勻性提供了新方向，深入探究其提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化方法具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。 二

  晶圓 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-07-10 09:39

  晶圓切割振動監(jiān)測系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

  

  一、引言 晶圓切割是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，切割過程中的振動會影響晶圓表面質(zhì)量與尺寸精度，而進(jìn)給參數(shù)的設(shè)置對振動產(chǎn)生及切割效率有著重要影響。將振動監(jiān)測系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)協(xié)同優(yōu)化，能有效提升晶圓切割質(zhì)量。但目前二者常被獨(dú)立研究，難以實(shí)現(xiàn)最佳切割效果，構(gòu)建協(xié)同優(yōu)化模型迫在眉睫。 二、振動監(jiān)測系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)協(xié)同優(yōu)化的必要性 2.1 振動對進(jìn)給參數(shù)的影響 晶圓切割時(shí)

  晶圓 監(jiān)測系統(tǒng)

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• 發(fā)布了文章 2025-07-09 09:52

  超薄晶圓切割：振動控制與厚度均勻性保障

  

  超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時(shí)對振動更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動對超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對性的振動控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。 超薄晶圓（

  切割 晶圓 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-07-08 09:33

  晶圓切割中振動 - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對厚度均勻性的影響及抑制方法

  

  一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造流程里，晶圓切割是決定芯片質(zhì)量與生產(chǎn)效率的重要工序。切割過程中，振動與應(yīng)力的耦合效應(yīng)顯著影響晶圓質(zhì)量，尤其對厚度均勻性干擾嚴(yán)重。深入剖析振動 - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對晶圓厚度均勻性的影響機(jī)制，并提出有效抑制方法，是提升晶圓加工精度、推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵所在。 二、振動 - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對晶圓厚度均勻性的影響 2.1 振動引發(fā)

  晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-07-07 09:43

  基于多物理場耦合的晶圓切割振動控制與厚度均勻性提升

  

  一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓切割是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。晶圓切割過程中，熱場、力場、流場等多物理場相互耦合，引發(fā)切割振動，嚴(yán)重影響晶圓厚度均勻性。探究多物理場耦合作用下的振動產(chǎn)生機(jī)制，提出有效的控制策略以提升厚度均勻性，對推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義深遠(yuǎn)。 二、多物理場耦合對晶圓切割振動及厚度均勻性的影響 2.1 熱 - 力場耦合作用

  晶圓 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-07-03 09:47

  碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

  

  一、引言 碳化硅（SiC）襯底憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域地位關(guān)鍵，其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動對刀系統(tǒng)決定切割起始位置準(zhǔn)確性，進(jìn)給參數(shù)控制切割過程穩(wěn)定性，二者協(xié)同優(yōu)化對提升碳化硅襯底切割質(zhì)量與效率意義重大。然而，當(dāng)前研究多將二者獨(dú)立分析，難以滿足高精度切割需求，亟需構(gòu)建協(xié)同優(yōu)化模型。 二、自動對刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)協(xié)同優(yōu)化的挑戰(zhàn) 2.1 動態(tài)交互復(fù)雜

  SiC 半導(dǎo)體 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-07-02 09:49

  超薄碳化硅襯底切割自動對刀精度提升策略

  

  超薄碳化硅襯底（

  晶圓 碳化硅

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