一、引言

晶圓切割是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，切割過程中的振動會影響晶圓表面質(zhì)量與尺寸精度，而進給參數(shù)的設(shè)置對振動產(chǎn)生及切割效率有著重要影響。將振動監(jiān)測系統(tǒng)與進給參數(shù)協(xié)同優(yōu)化，能有效提升晶圓切割質(zhì)量。但目前二者常被獨立研究，難以實現(xiàn)最佳切割效果，構(gòu)建協(xié)同優(yōu)化模型迫在眉睫。

二、振動監(jiān)測系統(tǒng)與進給參數(shù)協(xié)同優(yōu)化的必要性

2.1 振動對進給參數(shù)的影響

晶圓切割時，振動會使刀具與晶圓的接觸狀態(tài)改變，導(dǎo)致切削力波動。若進給參數(shù)設(shè)置不當(dāng)，如進給速度過快，振動會進一步加劇，可能引發(fā)刀具磨損加劇、晶圓崩邊等問題，影響切割精度與效率 。

2.2 進給參數(shù)對振動的作用

進給參數(shù)直接影響切割過程的穩(wěn)定性。進給速度、進給量等參數(shù)的變化，會改變切削力大小與方向，進而影響振動的產(chǎn)生與傳播。不合理的進給參數(shù)設(shè)置，可能激發(fā)刀具或晶圓的共振，產(chǎn)生強烈振動 。

三、協(xié)同優(yōu)化模型構(gòu)建

3.1 模型框架搭建

以晶圓切割質(zhì)量（表面粗糙度、尺寸精度等）為優(yōu)化目標(biāo)，將振動監(jiān)測系統(tǒng)獲取的振動幅值、頻率等數(shù)據(jù)，與進給速度、進給量等進給參數(shù)作為輸入變量。基于切削力學(xué)理論，建立輸入變量與優(yōu)化目標(biāo)之間的數(shù)學(xué)關(guān)系模型，描述振動與進給參數(shù)對切割質(zhì)量的綜合影響 。

3.2 數(shù)據(jù)驅(qū)動建模

利用振動監(jiān)測系統(tǒng)采集大量不同進給參數(shù)下的切割振動數(shù)據(jù)，結(jié)合實際切割質(zhì)量檢測結(jié)果。運用機器學(xué)習(xí)算法，如神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，對數(shù)據(jù)進行訓(xùn)練，挖掘振動特征、進給參數(shù)與切割質(zhì)量之間的潛在聯(lián)系，實現(xiàn)模型參數(shù)的動態(tài)優(yōu)化，提高模型預(yù)測準(zhǔn)確性 。

四、協(xié)同優(yōu)化策略

4.1 實時監(jiān)測與反饋優(yōu)化

振動監(jiān)測系統(tǒng)實時采集切割過程中的振動數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)傳輸至協(xié)同優(yōu)化模型。模型根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則與算法，分析振動數(shù)據(jù)與當(dāng)前進給參數(shù)，若發(fā)現(xiàn)振動異?；蚯懈钯|(zhì)量下降趨勢，自動調(diào)整進給參數(shù)，實現(xiàn)實時動態(tài)優(yōu)化 。

4.2 多目標(biāo)優(yōu)化算法應(yīng)用

采用粒子群優(yōu)化算法、遺傳算法等多目標(biāo)優(yōu)化算法，在滿足切割效率要求的前提下，綜合考慮振動幅值最小化、切割質(zhì)量最優(yōu)化等目標(biāo)，求解最佳進給參數(shù)組合。通過多次迭代計算，確定在不同振動狀態(tài)下的最優(yōu)進給參數(shù) 。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)運用第三代掃頻OCT技術(shù)，精準(zhǔn)攻克晶圓/晶片厚度TTV重復(fù)精度不穩(wěn)定難題，重復(fù)精度達3nm以下。針對行業(yè)厚度測量結(jié)果不一致的痛點，經(jīng)不同時段測量驗證，保障再現(xiàn)精度可靠。?

我們的數(shù)據(jù)和WAFERSIGHT2的數(shù)據(jù)測量對比,進一步驗證了真值的再現(xiàn)性：

（以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果）

該系統(tǒng)基于第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù)，相較傳統(tǒng)雙探頭對射掃描，可一次完成所有平面度及厚度參數(shù)測量。其創(chuàng)新掃描原理極大提升材料兼容性，從輕摻到重摻P型硅，到碳化硅、藍寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用：?

對重摻型硅，可精準(zhǔn)探測強吸收晶圓前后表面；?

點掃描第三代掃頻激光技術(shù)，有效抵御光譜串?dāng)_，勝任粗糙晶圓表面測量；?

通過偏振效應(yīng)補償，增強低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比；

（以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果）

支持絕緣體上硅和MEMS多層結(jié)構(gòu)測量，覆蓋μm級到數(shù)百μm級厚度范圍，還可測量薄至4μm、精度達1nm的薄膜。

（以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果）

此外，可調(diào)諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力，在極端環(huán)境中抗干擾性強，顯著提升重復(fù)測量穩(wěn)定性。

（以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果）

系統(tǒng)采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器，擺脫傳統(tǒng)SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴，憑借卓越抗干擾性實現(xiàn)小型化設(shè)計，還能與EFEM系統(tǒng)集成，滿足產(chǎn)線自動化測量需求。運動控制靈活，適配2-12英寸方片和圓片測量。