動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-06-12 10:03

  切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

  

  引言 在碳化硅襯底加工過程中，切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系，并進(jìn)行工藝優(yōu)化，對提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。 量化關(guān)系分析 切割機(jī)理對厚度均勻性的影響 碳化硅硬度高、脆性大，切割過程中，切割進(jìn)給量直接影響切割力大小與分布 。當(dāng)進(jìn)給量較小時，切割工具與碳化硅襯底接觸區(qū)域的切削力相對較小且穩(wěn)定

  半導(dǎo)體 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-06-11 09:57

  碳化硅襯底厚度測量探頭溫漂與材料各向異性的耦合影響研究

  

  在碳化硅襯底厚度測量中，探頭溫漂與材料各向異性均會影響測量精度，且二者相互作用形成耦合效應(yīng)。深入研究這種耦合影響，有助于揭示測量誤差根源，為優(yōu)化測量探頭性能提供理論支撐。 耦合影響機(jī)制分析 材料各向異性對溫漂的促進(jìn)作用 碳化硅材料具有顯著的各向異性，其熱膨脹系數(shù)、導(dǎo)熱系數(shù)等熱物理性能在不同晶向存在差異 。當(dāng)測量探頭所處環(huán)境溫度發(fā)生變化時，由于材料各向異

  測量 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-06-06 09:37

  碳化硅襯底高溫加工場景下測量探頭溫漂的動態(tài)修正方法

  

  引言 碳化硅襯底高溫加工過程中，溫度的劇烈變化會引發(fā)測量探頭溫漂，嚴(yán)重影響襯底厚度等參數(shù)的測量精度，進(jìn)而干擾加工工藝的精準(zhǔn)控制。探尋有效的動態(tài)修正方法，是保障高溫加工質(zhì)量與效率的關(guān)鍵所在。 溫漂影響因素分析 在高溫加工場景下，測量探頭溫漂受多因素共同作用。一方面，高溫環(huán)境直接導(dǎo)致探頭材料熱膨脹系數(shù)改變，引發(fā)內(nèi)部結(jié)構(gòu)變形，影響測量元件的性能 。例如，探頭中

  測量 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-06-05 09:43

  基于光纖傳感的碳化硅襯底厚度測量探頭溫漂抑制技術(shù)

  

  引言 在碳化硅襯底厚度測量中，探頭溫漂是影響測量精度的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)測量探頭受環(huán)境溫度變化干擾大，導(dǎo)致測量數(shù)據(jù)偏差。光纖傳感技術(shù)憑借獨(dú)特的物理特性，為探頭溫漂抑制提供了新方向，對提升碳化硅襯底厚度測量準(zhǔn)確性意義重大。 光纖傳感原理及優(yōu)勢 光纖傳感技術(shù)基于光在光纖中傳輸時，外界物理量（如溫度、應(yīng)變等）對光的強(qiáng)度、相位、波長等特性的調(diào)制原理 。當(dāng)溫度發(fā)生變化

  光纖傳感 測量

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• 發(fā)布了文章 2025-06-04 09:37

  碳化硅襯底厚度測量中探頭溫漂的熱傳導(dǎo)模型與實驗驗證

  

  引言 在碳化硅襯底厚度測量過程中，探頭溫漂會嚴(yán)重影響測量精度。構(gòu)建探頭溫漂的熱傳導(dǎo)模型并進(jìn)行實驗驗證，有助于深入理解探頭溫漂的產(chǎn)生機(jī)理，為提高測量準(zhǔn)確性提供理論依據(jù)與技術(shù)支持。 熱傳導(dǎo)模型構(gòu)建 模型假設(shè)與簡化 為便于建模，對探頭結(jié)構(gòu)及熱傳導(dǎo)過程進(jìn)行假設(shè)與簡化。假設(shè)探頭各部件為均勻連續(xù)介質(zhì)，忽略探頭內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)差異對熱傳導(dǎo)的影響；熱傳導(dǎo)過程遵循傅里葉定律

  晶圓 測量

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• 發(fā)布了文章 2025-06-03 13:48

  碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀器的選型指南與應(yīng)用場景分析

  

  引言 碳化硅襯底 TTV（總厚度變化）厚度是衡量其質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響半導(dǎo)體器件性能。合理選擇測量儀器對準(zhǔn)確獲取 TTV 數(shù)據(jù)至關(guān)重要，不同應(yīng)用場景對測量儀器的要求存在差異，深入分析選型要點(diǎn)與應(yīng)用適配性，有助于提升測量效率與質(zhì)量。 選型指南 測量精度與分辨率 碳化硅襯底 TTV 厚度通常在微米級甚至亞微米級，測量儀器的精度和分辨率需與之匹配。光學(xué)

  測量儀器 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-05-22 10:05

  優(yōu)化濕法腐蝕后晶圓 TTV 管控

  

  摘要：本文針對濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測反饋機(jī)制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV，提升晶圓制造質(zhì)量。 關(guān)鍵詞：濕法腐蝕；晶圓；TTV 管控；工藝優(yōu)化 一、引言 濕法腐蝕是晶圓制造中的關(guān)鍵工藝，其過程中腐蝕液對晶圓的不均勻作用，易導(dǎo)致晶圓出現(xiàn)厚度偏差，影響 TT

  晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-05-19 09:36

  液晶手寫板像素缺陷修復(fù)及相關(guān)液晶線路激光修復(fù)

  

  引言 液晶手寫板憑借便捷書寫、環(huán)保節(jié)能等優(yōu)勢廣泛應(yīng)用于教育、辦公等領(lǐng)域，然而像素缺陷會嚴(yán)重影響書寫流暢度與顯示清晰度。研究像素缺陷修復(fù)及相關(guān)液晶線路激光修復(fù)技術(shù)，對提升液晶手寫板性能與用戶體驗至關(guān)重要。 液晶手寫板像素缺陷的成因與影響 液晶手寫板像素缺陷表現(xiàn)為書寫時筆跡中斷、顏色異?；虺霈F(xiàn)固定亮點(diǎn)、暗點(diǎn)等，嚴(yán)重干擾正常書寫與內(nèi)容顯示。其成因涵蓋多個方面：生產(chǎn)

  液晶線 激光

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• 發(fā)布了文章 2025-05-17 10:58

  液晶面板色斑缺陷修復(fù)及相關(guān)液晶線路激光修復(fù)

  

  引言 液晶面板的色斑缺陷嚴(yán)重影響顯示畫面的色彩均勻性與視覺觀感，降低產(chǎn)品品質(zhì)與市場競爭力。深入研究色斑缺陷修復(fù)及相關(guān)液晶線路激光修復(fù)技術(shù)，對提升液晶面板質(zhì)量、滿足高端顯示需求具有重要意義。 液晶面板色斑缺陷的成因與影響 液晶面板色斑缺陷表現(xiàn)為屏幕上出現(xiàn)顏色異常的塊狀區(qū)域，破壞畫面整體一致性。其成因主要有：液晶材料純度不足，內(nèi)部雜質(zhì)導(dǎo)致光線散射與吸收異常，形成

  屏幕 激光

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• 發(fā)布了文章 2025-05-16 09:31

  液晶面板暗點(diǎn)缺陷修復(fù)及相關(guān)液晶線路激光修復(fù)

  

  引言 在液晶面板的生產(chǎn)與應(yīng)用中，暗點(diǎn)缺陷是影響顯示質(zhì)量的常見問題，極大降低了用戶的視覺體驗與產(chǎn)品的市場價值。研究暗點(diǎn)缺陷修復(fù)及相關(guān)液晶線路激光修復(fù)技術(shù)，對提升液晶面板品質(zhì)、增強(qiáng)產(chǎn)品競爭力具有重要意義。 液晶面板暗點(diǎn)缺陷的成因與影響 液晶面板暗點(diǎn)缺陷表現(xiàn)為在白屏狀態(tài)下始終不亮的像素點(diǎn)，破壞了畫面的完整性與均勻性。其成因主要有三個方面：其一，液晶材料填充不足或存

  屏幕 液晶 面板

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