深圳市致知行科技有限公司文章

• ９.３.２　正向阻斷模式和觸發(fā)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-27 01:09

  

  ９.３.２正向阻斷模式和觸發(fā)９.３晶閘管第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK7202V300Pt

  碳化硅 466瀏覽量

• 10.1.10 憶阻器（Memristor）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-03-27 01:07

  

  Memristor審稿人：北京大學(xué)楊雪https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)F

  集成電路 憶阻器 671瀏覽量

• ９.３.１　正向?qū)Ｊ?isin;《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-26 01:13

  

  ９.３.１正向?qū)Ｊ剑?３晶閘管第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK7202V300PtPHi

  碳化硅 464瀏覽量

• 10.1.9 阻變隨機(jī)存儲(chǔ)器（RRAM）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-03-26 01:11

  

  ResistiveSwitchingRandomAccessMemory（RRAM）審稿人：北京大學(xué)蔡一茂https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCU

  存儲(chǔ)器 550瀏覽量

• ９.３　晶閘管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-25 01:06

  

  ９.３晶閘管第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK7202V300PtPHi3518EV300Hi

  SiC 486瀏覽量

• 10.1.8 相變存儲(chǔ)器（PCRAM）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-03-25 01:04

  

  Phase-changeRandomAccessMemory審稿人：北京大學(xué)蔡一茂方亦陳https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、

  存儲(chǔ)器 462瀏覽量

• 10.1.7 自旋轉(zhuǎn)移力矩磁隨機(jī)存儲(chǔ)器（STT-MRAM）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-03-24 18:31

  

  Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory（STT-MRAM）審稿人：北京大學(xué)蔡一茂陳青鈺https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FP

  存儲(chǔ)器 677瀏覽量

• ９.２.４　器件參數(shù)的溫度特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-24 18:29

  

  ９.２.４器件參數(shù)的溫度特性９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微

  元器件 晶體管 1073瀏覽量

• ９.２.３　開(kāi)關(guān)特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-24 16:57

  

  ９.２.３開(kāi)關(guān)特性９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK720

  開(kāi)關(guān) 584瀏覽量

• 10.1.6 磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-03-24 16:55

  

  MagnetoresistiveRandomAccessMemory（MRAM）審稿人：北京大學(xué)蔡一茂王宗巍https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MC

  存儲(chǔ)器 402瀏覽量