深圳市致知行科技有限公司文章

• 9.1.12 硅基發(fā)光材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2021-12-31 02:01

  

  第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝

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• 5.3.1.2 雜質(zhì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2021-12-31 01:58

  

  5.3.1.2雜質(zhì)5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》5.3SiC中的點(diǎn)缺陷5.2.3擴(kuò)展缺陷對SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》5.2.1SiC

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• 9.2.1 晶體熱處理∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2021-12-31 01:57

  

  9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機(jī)成

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• 5.3.2 載流子壽命“殺手”∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2021-12-31 01:53

  

  5.3.2載流子壽命“殺手”5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.3.1.2雜質(zhì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》5.3SiC中的點(diǎn)缺陷5.2.3擴(kuò)展缺陷對SiC器

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• 9.2.2 晶體定向∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2021-12-31 01:51

  

  9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日

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• 5.3.2.1 壽命控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2021-12-31 01:48

  

  5.3.2.1壽命控制5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.3.2載流子壽命“殺手”∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》5.3.1.2雜質(zhì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生

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• 9.2.3 晶錠切斷工藝∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2021-12-31 01:47

  

  9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切

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