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LDO和DCDC還傻傻分不清?快來(lái)搞懂它2024-05-22 08:10
線(xiàn)性穩(wěn)壓器(LDO)和直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC)是兩種常用的電壓調(diào)整設(shè)備,它們各自有獨(dú)特的工作原理和特點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。一、LDO(線(xiàn)性穩(wěn)壓器)工作原理LDO是一種線(xiàn)性穩(wěn)壓器,它通過(guò)一個(gè)晶體管(通常是場(chǎng)效應(yīng)管或雙極型晶體管)來(lái)調(diào)控輸出電壓,使其保持穩(wěn)定。晶體管的導(dǎo)通程度會(huì)根據(jù)輸入電壓和負(fù)載的變化而調(diào)整,以維持恒定的輸出電壓。LDO的關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)是簡(jiǎn)單 -
通俗理解:下載口的上下拉電阻2024-05-20 08:11
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快來(lái)用Makefile管理工程,提高工作效率!2024-05-18 08:10
一、makefile簡(jiǎn)介Makefile是一種特別設(shè)計(jì)用來(lái)幫助項(xiàng)目的構(gòu)建管理的文件。它定義了編譯器和IDE工程管理系統(tǒng)自動(dòng)執(zhí)行的命令集合,主要用于自動(dòng)化編譯,減輕重復(fù)性任務(wù)的負(fù)擔(dān)。Makefile文件中包含了一系列的規(guī)則來(lái)指導(dǎo)如何產(chǎn)生目標(biāo)文件,這些規(guī)則包含目標(biāo)、依賴(lài)和命令:目標(biāo)(Target):這通常是要生成的文件名,例如可執(zhí)行文件或者對(duì)象文件。依賴(lài)(Dep -
I2C通訊為什么要用開(kāi)漏輸出和上拉電阻?2024-05-16 08:10
一、I2C總線(xiàn)簡(jiǎn)介I2C(Inter-IntegratedCircuit)總線(xiàn)是一種雙向串行通信總線(xiàn),由兩根線(xiàn)組成:SDA(數(shù)據(jù)線(xiàn))和SCL(時(shí)鐘線(xiàn))。這兩根線(xiàn)都是雙向的,并且是開(kāi)漏輸出的,這意味著每個(gè)設(shè)備都可以將線(xiàn)拉低(Ground),但不能將線(xiàn)拉高(Vcc)。這種設(shè)計(jì)使得多個(gè)設(shè)備可以共享同一條總線(xiàn),以進(jìn)行通信。二、I2C接口接外部上拉電阻的原因I2C(I -
這就帶你輕松搞定盤(pán)中孔2024-05-13 08:10
繪制PCB時(shí)經(jīng)常會(huì)遇到空間不夠無(wú)法走線(xiàn),這時(shí)我們會(huì)放置過(guò)孔使信號(hào)線(xiàn)穿過(guò)電路板一側(cè)到達(dá)另一側(cè)進(jìn)行走線(xiàn),這樣既方便走線(xiàn),也能夠節(jié)省板子空間。有時(shí)會(huì)遇到板子空間過(guò)小,無(wú)法扇出過(guò)孔走線(xiàn),這時(shí)通常會(huì)將過(guò)孔放置在焊盤(pán)上,這樣雖然方便了走線(xiàn),但是,是否會(huì)引發(fā)一些問(wèn)題呢?一、什么時(shí)候可以在焊盤(pán)上打孔?實(shí)際焊接過(guò)程中,如果是個(gè)人手工焊接的話(huà),其實(shí)在焊盤(pán)中打孔并不會(huì)有什么問(wèn)題, -
想搞懂通信協(xié)議?先來(lái)看一篇SPI熱熱身2024-05-12 08:10
SPI是串行外設(shè)接口(SerialPeripheralInterface)的縮寫(xiě),它是一種同步串行通信接口,用于微控制器和外圍設(shè)備(如傳感器、SD卡、其他微控制器等)之間的通信。SPI接口通常用于短距離通信,因?yàn)樗恢С珠L(zhǎng)距離傳輸。SPI接口的特點(diǎn)包括:全雙工通信:SPI允許數(shù)據(jù)同時(shí)在兩個(gè)方向上傳輸,即主機(jī)可以發(fā)送數(shù)據(jù)到從機(jī),同時(shí)從機(jī)也可以發(fā)送數(shù)據(jù)到主機(jī)。高 -
關(guān)于ECU 和 MCU ,你了解多少?2024-05-11 08:10
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MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)你會(huì)看了嗎?2024-05-10 08:10
三、熱阻Thermalresistance熱阻描述了物質(zhì)的熱傳導(dǎo)特性,該參數(shù)直接影響器件的散熱效率和穩(wěn)定性。熱阻越小,意味著器件的散熱能力越強(qiáng)。針對(duì)這份數(shù)據(jù)手冊(cè)來(lái)說(shuō),NMOS結(jié)面相對(duì)于環(huán)境溫度的熱阻是100℃/W,相當(dāng)于器件消耗的功率為1W時(shí),器件溫升為100℃。 -
深入淺出帶你搞懂-MOSFET柵極電阻2024-05-09 08:10
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帶你破解晶振PCB的布局要點(diǎn)2024-05-09 08:10