金鑒實驗室文章

• EBSD與TEM在再結(jié)晶研究中的應(yīng)用2024-12-13 00:17

  

  什么是再結(jié)晶過程再結(jié)晶是一種重要的材料科學(xué)現(xiàn)象，它涉及到材料在經(jīng)歷塑性變形后的微觀結(jié)構(gòu)恢復(fù)過程。這一過程對于理解材料的性能和優(yōu)化加工工藝至關(guān)重要。再結(jié)晶的機(jī)制與分類再結(jié)晶過程通常由熱處理或熱變形觸發(fā)，是材料在變形過程中產(chǎn)生缺陷后的自然恢復(fù)過程。這些缺陷，如位錯和晶界，會促使材料在高溫下通過位錯重排和湮沒來降低系統(tǒng)的自由能，從而形成新的晶粒結(jié)構(gòu)。鍛造TNM合金

  TEM 材料 結(jié)晶 1503瀏覽量

• PCB離子污染度測試的重要性2024-12-13 00:15

  

  PCB離子污染度的重要性在電子制造業(yè)中，PCB（印刷電路板）的離子污染度測試是保障產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。離子污染度指的是PCB表面殘留的帶電離子污染物，這些污染物主要來源于焊接助劑、化學(xué)清洗劑、濕度控制、電鍍、波峰焊和回流焊等制造工藝。這些殘留物可能引起電氣化學(xué)效應(yīng)，對PCB的性能和可靠性構(gòu)成潛在威脅。離子污染度的控制與測試為了確保PCB的質(zhì)量和可靠性，必須嚴(yán)

  pcb PCB 測試 離子 1342瀏覽量

• 什么是半導(dǎo)體芯片的失效切片分析？2024-12-10 10:43

  

  芯片切片分析技術(shù)芯片切片分析是一種在半導(dǎo)體、電子顯微學(xué)和材料科學(xué)等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的技術(shù)。通過將芯片切成薄片，研究人員可以直接觀察芯片內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)，如晶體管、電路布線等，從而深入研究芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和性能。這項技術(shù)不僅有助于優(yōu)化芯片設(shè)計，提升性能和可靠度，還可以用于故障檢測和質(zhì)量控制。切片方式的介紹1.機(jī)械研磨機(jī)械研磨是一種低成本的切片技術(shù)，適用于各種材質(zhì)的樣品

  led 半導(dǎo)體 芯片 1200瀏覽量

• 電子元件測試中恒溫恒濕試驗箱的關(guān)鍵作用2024-12-10 10:40

  

  電子元件測試中的多種檢測項目高溫儲存測試是篩選電子元器件的一種有效方法。通過在最高結(jié)溫下儲存電子元器件24至168小時，加速化學(xué)反應(yīng)，使有缺陷的元件及時暴露出來，加以淘汰。這種方法簡單易行，能夠有效地穩(wěn)定元器件的參數(shù)性能，減少使用中的參數(shù)漂移。電力測試電力測試是評估電子元器件可靠性的重要項目。在熱電應(yīng)力的綜合作用下，可以暴露出元器件本體和表面的潛在缺陷。電子

  恒溫恒濕機(jī) 電子元器件 試驗箱 645瀏覽量

• AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)下的混合氣體測試2024-12-10 10:39

  

  在汽車電子領(lǐng)域，電子組件必須能夠在各種惡劣環(huán)境下保持性能穩(wěn)定，以確保車輛系統(tǒng)的安全和可靠運行。為此，混合氣體試驗成為了一種關(guān)鍵的測試方法，用以評估這些組件在特定化學(xué)腐蝕環(huán)境下的耐久性。AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了混合氣體試驗的具體要求，以模擬汽車電子組件在實際應(yīng)用中可能遇到的化學(xué)腐蝕條件，驗證其在這些條件下的穩(wěn)定性和安全性?；旌蠚怏w試驗的核心理念混合氣體試驗是

  氣體檢測 汽車電子 測試 708瀏覽量

• 碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術(shù)2024-12-06 17:25

  

  碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢碳化硅（SiC）作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，相較于傳統(tǒng)硅基器件，展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高的擊穿電壓以及高功率密度特性。這些特性使得SiC器件在高效電能轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域具有不可替代的優(yōu)勢，正逐漸成為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的主流選擇。碳化硅器件的技術(shù)挑戰(zhàn)盡管SiC器件性能優(yōu)越，但其單晶和外延材料價格較高，工藝不成熟，

  MOSFET 檢測 碳化硅 1849瀏覽量

• 功率半導(dǎo)體模塊的可靠性評估：功率循環(huán)測試研究2024-12-06 17:24

  

  功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它們在電力系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動，包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換，以及交流電（AC）和直流電（DC）之間的轉(zhuǎn)換。這種能力使得功率半導(dǎo)體在各種電力應(yīng)用中不可或缺，例如電力變換器、電機(jī)驅(qū)動器和電力調(diào)節(jié)器等。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域功率半導(dǎo)體器件在多個領(lǐng)域中發(fā)揮著核心作用，尤其是在新能源

  功率半導(dǎo)體 功率循環(huán)測試 半導(dǎo)體器件 測試 1517瀏覽量

• AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)：汽車電子散熱性能的熱阻測試指南2024-12-06 17:22

  

  汽車電子領(lǐng)域的散熱挑戰(zhàn)在汽車電子領(lǐng)域，隨著電子設(shè)備在車輛中的廣泛應(yīng)用，對電子器件的性能和可靠性要求也日益嚴(yán)格。AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)作為汽車電子委員會（AutomotiveElectronicsCouncil）制定的一項重要測試標(biāo)準(zhǔn)，專注于評估汽車電子中使用的分立光電半導(dǎo)體元器件的可靠性和質(zhì)量。這些元器件，包括LED、激光器件、光電二極管和光電晶體管等，在汽車

  AEC 汽車電子 熱阻測試 1616瀏覽量

• 如何有效避免EBSD數(shù)據(jù)采集中的荷電效應(yīng)并應(yīng)用導(dǎo)電鍍膜技術(shù)？2024-12-06 17:21

  

  電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)是一種強(qiáng)大的材料表征工具，它能夠提供關(guān)于材料微觀結(jié)構(gòu)的詳細(xì)信息。然而，在分析絕緣體樣品時，荷電效應(yīng)是一個常見的問題，它會影響EBSD數(shù)據(jù)的質(zhì)量。本文將探討多種方法，以減少甚至消除絕緣體樣品在EBSD分析中的荷電效應(yīng)。樣品制備的關(guān)鍵步驟金鑒實驗室在樣品制備的各個環(huán)節(jié)都具備專業(yè)的技術(shù)能力，能夠為客戶提供

  導(dǎo)電 數(shù)據(jù)采集 717瀏覽量

• 聚焦離子束技術(shù)的歷史發(fā)展2024-12-05 15:32

  

  聚焦離子束（FIB）技術(shù)的演變與應(yīng)用聚焦離子束（FIB）技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代科技領(lǐng)域中不可或缺的一部分，尤其是在半導(dǎo)體制造和微納加工領(lǐng)域。盡管FIB技術(shù)已經(jīng)廣為人知，但其背后的歷史和發(fā)展歷程卻鮮為人知。FIB技術(shù)的起源FIB技術(shù)的歷史可以追溯到20世紀(jì)60年代，當(dāng)時科學(xué)家們開始探索使用離子束對樣品進(jìn)行分析和加工的可能性。在隨后的幾十年里，這項技術(shù)經(jīng)歷了從實驗室原

  fib 離子束 886瀏覽量