動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-07-15 16:00

  什么是聚焦離子束掃描電鏡（FIB-SEM）？

  

  工作原理聚焦離子束掃描電鏡（FIB-SEM）是一種集多種先進(jìn)技術(shù)于一體的微觀分析儀器，其工作原理基于離子束與電子束的協(xié)同作用。1.離子束原理離子束部分的核心是液態(tài)金屬離子源，通常使用鎵離子。在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下，鎵離子被拉出并加速，形成高能量密度的離子束流。當(dāng)這些離子束轟擊樣品表面時(shí)，會(huì)與樣品原子相互作用，產(chǎn)生二次電子、背散射離子等信號(hào)。其中，二次電子信號(hào)可用于

  SEM 掃描電鏡 離子束

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• 發(fā)布了文章 2025-07-15 15:56

  為什么有的芯片是正電極更熱，有的芯片是負(fù)電極更熱？

  

  案例分析（一）有的芯片是正電極更熱，有的芯片是負(fù)電極更熱！以下為兩個(gè)廠家22mil*35mil尺寸大小芯片光熱分布的對(duì)比。對(duì)于該尺寸大功率正裝芯片，電流在芯片中橫向擴(kuò)展的路徑較長(zhǎng)，導(dǎo)致電流聚集效應(yīng)更加明顯，因此必須具備合理的電極圖形設(shè)計(jì)以及較好的歐姆接觸特性，才能使注入電流在LED芯片的有源層中均勻分布。目前許多與大功率LED芯片制造相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)問題還有待

  電極 電流 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-07-14 17:37

  為什么LED芯片正電極要插入二氧化硅電流阻擋層，而負(fù)極沒有？

  

  為什么LED正電極需要二氧化硅阻擋層？回答：LED芯片正極如果沒有二氧化硅阻擋層，芯片會(huì)出現(xiàn)電流分布不均，電流擁擠效應(yīng)，電極燒毀等現(xiàn)象。由于藍(lán)寶石的絕緣性，傳統(tǒng)LED的N和P電極都做在芯片出光面的同一側(cè)，電流需橫向流動(dòng)。此結(jié)構(gòu)的問題是摻Mg的P型GaN層電導(dǎo)率遠(yuǎn)低于N型GaN層，電流橫向流動(dòng)時(shí)的電阻較高，使得電流密度大的區(qū)域主要集中在正電極下方及附近，出現(xiàn)正

  fib LED芯片 電流

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• 發(fā)布了文章 2025-07-11 19:17

  聚焦離子束（FIB）技術(shù)在半導(dǎo)體中的應(yīng)用與操作指導(dǎo)

  

  聚焦離子束（FIB）技術(shù)作為一種高精度的微觀加工和分析工具，在半導(dǎo)體行業(yè)具有不可替代的重要地位。它通過聚焦離子束直接在材料上進(jìn)行操作，無(wú)需掩模，能夠?qū)崿F(xiàn)納米級(jí)精度的成像和修改，特別適合需要高精度的任務(wù)。金鑒實(shí)驗(yàn)室作為專注于材料分析領(lǐng)域的科研檢測(cè)機(jī)構(gòu)，能夠?qū)IB進(jìn)行嚴(yán)格的檢測(cè)，致力于為客戶提供高質(zhì)量的測(cè)試服務(wù)，為產(chǎn)品在各個(gè)領(lǐng)域的可靠應(yīng)用提供堅(jiān)實(shí)的質(zhì)量保障。F

  fib 半導(dǎo)體 離子束

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• 發(fā)布了文章 2025-07-10 16:01

  利用透射電子顯微鏡（TEM）能夠觀察到什么？

  

  超高分辨率形貌與結(jié)構(gòu)信息1.微觀形貌TEM能夠直接觀察樣品的微觀結(jié)構(gòu)，包括顆粒的形狀、大小、分布、表面特征、孔洞以及缺陷（如位錯(cuò)、層錯(cuò)、晶界、相界等）。這些信息對(duì)于理解材料的基本性質(zhì)和性能至關(guān)重要。例如，在納米材料的研究中，顆粒的形狀和大小直接影響其催化活性、光學(xué)性質(zhì)和電學(xué)性質(zhì)。通過TEM觀察，可以清晰地看到納米顆粒的均勻性、團(tuán)聚情況以及表面修飾的效果，從而

  TEM 電子顯微鏡

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• 發(fā)布了文章 2025-07-09 15:14

  EBSD在織構(gòu)分析中的作用

  

  微觀結(jié)構(gòu)的重要性組織結(jié)構(gòu)是指構(gòu)成材料的微觀結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)包括但不限于晶粒的大小、形狀、分布以及晶粒的取向等。這些微觀特征直接影響材料的宏觀性能，如強(qiáng)度、韌性、導(dǎo)電性、熱導(dǎo)率等。因此，深入理解材料的組織結(jié)構(gòu)對(duì)于材料的設(shè)計(jì)、加工和應(yīng)用至關(guān)重要。晶體取向晶體取向是組織結(jié)構(gòu)研究中的一個(gè)核心概念。晶體取向描述的是晶體中晶胞的特定方向與空間坐標(biāo)軸之間的相對(duì)位置關(guān)系。晶胞

  材料 結(jié)構(gòu)

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• 發(fā)布了文章 2025-07-09 15:09

  PCB表面處理工藝詳解

  

  在PCB（印刷電路板）制造過程中，銅箔因長(zhǎng)期暴露在空氣中極易氧化，這會(huì)嚴(yán)重影響PCB的可焊性與電性能。因此，表面處理工藝在PCB生產(chǎn)中扮演著至關(guān)重要的角色。下面將詳細(xì)介紹幾種常見的PCB表面處理工藝，幫助讀者深入了解每種工藝的特點(diǎn)與適用場(chǎng)景。噴錫（HotAirSolderLeveling，HASL）噴錫是將熔融的錫鉛焊料覆蓋在PCB表面，并通過熱風(fēng)整平形成保

  pcb PCB 印刷電路板 表面處理

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• 發(fā)布了文章 2025-07-08 15:33

  聚焦離子束技術(shù)：微納米制造與分析的利器

  

  聚焦離子束技術(shù)概述聚焦離子束（FocusedIonBeam，F(xiàn)IB）技術(shù)是微納米尺度制造與分析領(lǐng)域的一項(xiàng)關(guān)鍵核心技術(shù)。其原理是利用靜電透鏡將離子源匯聚成極為精細(xì)的束斑，束斑直徑可精細(xì)至約5納米。當(dāng)這束高能離子束轟擊材料表面時(shí)，能夠在納米尺度上對(duì)材料實(shí)施剝離、沉積、注入、切割和改性等一系列操作。FIB/SEM雙束系統(tǒng)加工過程FIB/SEM雙束系統(tǒng)是聚焦離子束技

  fib 離子束 聚焦

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• 發(fā)布了文章 2025-07-08 15:29

  LED失效的典型機(jī)理分析

  

  一、芯片缺陷在LED器件的失效案例中，芯片缺陷是一個(gè)不容忽視的因素。失效的LED器件表現(xiàn)出正向壓降（Vf）增大的現(xiàn)象，在電測(cè)過程中，隨著正向電壓的增加，樣品仍能發(fā)光，這暗示著LED內(nèi)部可能存在電連接不良的問題。LED芯片和負(fù)極金屬域開裂的形貌經(jīng)過固封、研磨等處理后，通過掃描電子顯微鏡（SEM）觀察發(fā)現(xiàn)，金屬化層從LED芯片上開裂，而非鍵合絲與金屬化層之間開裂

  led LED器件 失效

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• 發(fā)布了文章 2025-07-08 15:27

  電子產(chǎn)品概述及有害物質(zhì)限制使用管理

  

  產(chǎn)品與電氣產(chǎn)品分類電子產(chǎn)品是以電能為工作基礎(chǔ)的相關(guān)產(chǎn)品，涵蓋了眾多品類，包括手表、智能手機(jī)、電話、電視機(jī)、影碟機(jī)（VCD、SVCD、DVD）、錄像機(jī)、攝錄機(jī)、收音機(jī)、收錄機(jī)、組合音箱、激光唱機(jī)（CD）、電腦、游戲機(jī)、移動(dòng)通信產(chǎn)品等。電氣產(chǎn)品則包括過電壓保護(hù)器、電流互感器二次開路保護(hù)器、凝露控制器、智能溫濕度控制器、開關(guān)柜智能操控裝置、干變溫控器、各類數(shù)顯電測(cè)

  電子產(chǎn)品 電氣

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