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廠家直銷MDD品牌1SS355開(kāi)關(guān)貼片二極管SOD-323封裝絲印A現(xiàn)貨供應(yīng)2022-05-18 16:58
產(chǎn)品型號(hào):1SS355 VF:1.2V -
MDD品牌1SMA4764A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝現(xiàn)貨2022-05-18 16:41
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4764A VZ:100V VF:1.2V -
MDD品牌1SMA4754A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝現(xiàn)貨2022-05-18 16:34
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4754A VZ:39V VF:1.2V -
MDD品牌1SMA4749A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 24V 1W現(xiàn)貨2022-05-18 16:30
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4749A VZ:24V -
MDD品牌1SMA4746A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 18V 1W現(xiàn)貨2022-05-18 16:27
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4746A VZ:18V -
MDD品牌1SMA4743A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝2022-05-17 18:06
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4743A VZ:12V VF:9.1 V -
MDD品牌1SMA4742貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 12V 1W現(xiàn)貨2022-05-17 18:04
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4742 VZ:12V VF:9.1 V -
MDD品牌1SMA4742貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 12V 1W現(xiàn)貨2022-05-17 17:59
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4742 VZ:12V VF:9.1 V -
MDD品牌1SMA4742A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝現(xiàn)貨2022-05-17 17:57
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4742A VZ:12.0V VF:1.2V -
MDD品牌1SMA4740A穩(wěn)壓二極管SMA封裝 9.5V 現(xiàn)貨2022-05-17 17:55
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4740A VZ:9.5V VF:1.2V
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MOSFET 失效 Top 原因2026-01-20 15:29
在電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS、汽車電子等領(lǐng)域,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的MOSFET是最核心,也是最容易“背鍋”的功率器件之一。很多現(xiàn)場(chǎng)問(wèn)題表面看是MOSFET炸管,但真正的原因,往往來(lái)自設(shè)計(jì)假設(shè)與真實(shí)工況不匹配。根據(jù)FAE現(xiàn)場(chǎng)統(tǒng)計(jì),80%的MOSFET失效并非器件質(zhì)量問(wèn)題,而是設(shè)計(jì)與應(yīng)用問(wèn)題。本文聚焦Top10中的前5項(xiàng)來(lái)看看:電氣設(shè)計(jì)相關(guān)失效的原因。一、TOP1:V -
MDD從工程故障看三極管三個(gè)極的設(shè)計(jì)誤區(qū)與失效案例2026-01-19 11:48
一、為什么三極管問(wèn)題總是“看起來(lái)很隨機(jī)”?在FAE現(xiàn)場(chǎng)支持中,經(jīng)常遇到如下問(wèn)題:-同一電路,有的板子正常,有的異常-高溫下工作不穩(wěn)定-更換批次后性能漂移這些問(wèn)題,90%都與三個(gè)極的設(shè)計(jì)與使用方式有關(guān)。二、基極相關(guān)的典型工程問(wèn)題1.基極驅(qū)動(dòng)不足,導(dǎo)致“半導(dǎo)通”表現(xiàn):-集電極發(fā)熱嚴(yán)重-電壓壓降異常-器件壽命極短原因:-基極電流不足-MCUIO驅(qū)動(dòng)能力被高估解決建51瀏覽量 -
告別充電難題,MDD 辰達(dá)半導(dǎo)體針對(duì)清潔電器推出分立器件解決方案2026-01-14 16:32
隨著生活水平的提高和智能家居概念的深入人心,清潔家電正以前所未有的速度走進(jìn)千家萬(wàn)戶。據(jù)統(tǒng)計(jì),全球智能掃地機(jī)器人市場(chǎng)規(guī)模已超過(guò)百億美元,在這一快速發(fā)展的市場(chǎng)中,產(chǎn)品的可靠性、安全性和智能化水平已成為消費(fèi)者選擇的關(guān)鍵因素。一、功率傳輸鏈路:低損耗與防誤觸的雙重設(shè)計(jì)吸拖掃地機(jī)充電單元:器件協(xié)同與智能充電技術(shù)解析以MMBT5551、SS310、MDD30P04D、B -
散熱設(shè)計(jì)不良為何會(huì)導(dǎo)致 MOSFET 過(guò)熱失效?2026-01-12 10:17
一、問(wèn)題背景在電源、BMS、車載電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的MOSFET常年工作在大電流、高頻、高環(huán)境溫度條件下。很多現(xiàn)場(chǎng)失效案例中,MOSFET本身參數(shù)選型并不低,但仍然頻繁燒毀,最終溯源發(fā)現(xiàn),根本原因并非器件質(zhì)量,而是散熱設(shè)計(jì)不良。散熱問(wèn)題往往是“隱性故障”,短期測(cè)試可能正常,但在長(zhǎng)期運(yùn)行或高溫環(huán)境下極易暴露。二、MOSFET過(guò)熱失效的典型84瀏覽量 -
二極管導(dǎo)通電壓過(guò)高對(duì)效率的影響及優(yōu)化方案2026-01-05 11:39
在現(xiàn)代電子電路中,二極管被廣泛應(yīng)用于整流、電源管理、保護(hù)電路等領(lǐng)域。二極管的導(dǎo)通電壓(V_f)是其一個(gè)重要參數(shù),它決定了電流通過(guò)二極管時(shí)的電壓降。如果二極管的導(dǎo)通電壓過(guò)高,它將直接影響電路的效率,尤其在電源設(shè)計(jì)和電能轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,功率損失和效率的損害尤為顯著。本文MDD辰達(dá)半導(dǎo)體將探討二極管導(dǎo)通電壓過(guò)高對(duì)電路效率的影響,并提出優(yōu)化解決方案,以提高電路的性能。一 -
MOSFET開(kāi)關(guān)速度不夠?qū)е鹿β蕮p失及解決方案2026-01-04 10:54
MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子電路,特別是在高效電力電子和開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中。其高速開(kāi)關(guān)特性使其在很多高頻應(yīng)用中成為理想的選擇。然而,在某些應(yīng)用中,由于MOSFET開(kāi)關(guān)速度不足,可能導(dǎo)致功率損失增大,進(jìn)而影響整個(gè)電路的效率和性能。本文MDD辰達(dá)半導(dǎo)體將探討MOSFET開(kāi)關(guān)速度不足導(dǎo)致功率損失的原因,并提供解決方案,以提高系統(tǒng)的性能和效率。一、MO126瀏覽量 -
MDD保護(hù)器件在應(yīng)用中的效果及常見(jiàn)問(wèn)題與解決方案2025-12-29 14:18
保護(hù)器件在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中扮演著重要角色,尤其是在汽車電子、通信設(shè)備、消費(fèi)電子及工業(yè)控制系統(tǒng)中。它們的主要作用是防止電路組件遭受過(guò)電壓、過(guò)電流、瞬態(tài)干擾、靜電放電等異常情況的損害,從而延長(zhǎng)系統(tǒng)的使用壽命,提升系統(tǒng)的可靠性和安全性。本文MDD辰達(dá)半導(dǎo)體將深入探討保護(hù)器件的工作原理、應(yīng)用效果,以及常見(jiàn)問(wèn)題和解決方案。一、保護(hù)器件的工作原理保護(hù)器件的作用通常是通過(guò)在 -
汽車電子中的分立器件應(yīng)用與選擇指南:如何提高可靠性與性能2025-12-22 10:27
隨著汽車行業(yè)的迅猛發(fā)展,尤其是電動(dòng)汽車(EV)和自動(dòng)駕駛技術(shù)的興起,汽車電子系統(tǒng)變得更加復(fù)雜和多樣化。在這些系統(tǒng)中,分立器件是實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定、可靠功能的核心組成部分。本文MDD辰達(dá)半導(dǎo)體將詳細(xì)探討分立器件在汽車電子中的應(yīng)用,并介紹如何通過(guò)合理選擇這些器件提高整體系統(tǒng)的性能和可靠性。一、汽車電子系統(tǒng)的核心分立器件TVS二極管與瞬態(tài)保護(hù)汽車電子系統(tǒng)中,電壓瞬態(tài)事 -
關(guān)于0.42mΩ超低導(dǎo)通電阻MOSFET的市場(chǎng)應(yīng)用與挑戰(zhàn)2025-12-16 11:01
在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)(BMS)設(shè)計(jì)中,MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件,扮演著重要角色。由于其導(dǎo)通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生,因此低導(dǎo)通電阻的MOSFET成為越來(lái)越多高效系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)選。然而,在實(shí)際市場(chǎng)中,是否真的存在0.42mΩ的超低導(dǎo)通電阻MOSFET?本文MDD將探討這種超低導(dǎo)通電阻MOSFET的市場(chǎng)應(yīng)用、優(yōu)勢(shì)及其面臨的挑戰(zhàn)。一、0247瀏覽量 -
BMS設(shè)計(jì)中如何選擇MOSFET——關(guān)鍵考慮因素與最佳實(shí)踐2025-12-15 10:24
在電池管理系統(tǒng)(BMS)設(shè)計(jì)中,辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件,負(fù)責(zé)電池充放電、均衡、過(guò)流保護(hù)和溫度控制等功能的實(shí)現(xiàn)。MOSFET的性能直接影響系統(tǒng)的效率、可靠性和安全性。因此,在選擇MOSFET時(shí)需要綜合考慮多個(gè)因素,以確保其滿足BMS的高效和穩(wěn)定運(yùn)行要求。本文將介紹在BMS設(shè)計(jì)過(guò)程中選擇MDD的MOSFET時(shí)需要重點(diǎn)關(guān)注的關(guān)鍵因素和最佳實(shí)踐。一、MO
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上傳時(shí)間:2022-08-19 15:55
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