廠家直銷MDD品牌1SS355開關貼片二極管SOD-323封裝絲印A現貨供應

開關二極管

型號： 1SS355

品牌： MDD

--- 產品參數 ---

VF 1.2V

--- 產品詳情 ---

為你推薦

產品文章資料

廠家直銷MDD品牌1SS355開關貼片二極管SOD-323封裝絲印A現貨供應2022-05-18 16:58

產品型號：1SS355 VF：1.2V
MDD品牌1SMA4764A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝現貨2022-05-18 16:41

產品型號：1SMA4764A VZ：100V VF：1.2V
MDD品牌1SMA4754A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝現貨2022-05-18 16:34

產品型號：1SMA4754A VZ：39V VF：1.2V
MDD品牌1SMA4749A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 24V 1W現貨2022-05-18 16:30

產品型號：1SMA4749A VZ：24V
MDD品牌1SMA4746A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 18V 1W現貨2022-05-18 16:27

產品型號：1SMA4746A VZ：18V
MDD品牌1SMA4743A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝2022-05-17 18:06

產品型號：1SMA4743A VZ：12V VF：9.1 V
MDD品牌1SMA4742貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 12V 1W現貨2022-05-17 18:04

產品型號：1SMA4742 VZ：12V VF：9.1 V
MDD品牌1SMA4742貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 12V 1W現貨2022-05-17 17:59

產品型號：1SMA4742 VZ：12V VF：9.1 V
MDD品牌1SMA4742A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝現貨2022-05-17 17:57

產品型號：1SMA4742A VZ：12.0V VF：1.2V
MDD品牌1SMA4740A穩(wěn)壓二極管SMA封裝 9.5V 現貨2022-05-17 17:55

產品型號：1SMA4740A VZ：9.5V VF：1.2V

如何判斷二極管的熱失效情況2025-12-02 10:16

在電子產品的設計和應用中，二極管作為關鍵的辰達半導體元件，廣泛應用于整流、保護、開關等各種電路中。然而，由于二極管的工作條件（如電流、溫度和功率）可能超過其額定值，容易導致熱失效。二極管的熱失效是指由于溫度過高而引起的性能下降或結構破壞。如何判斷MDD辰達半導體二極管是否因熱失效而導致故障，是每個FAE工程師需要掌握的技能。本文將介紹常見的二極管熱失效判斷方

二極管
58瀏覽量
高頻整流應用中常用的MDD二極管選擇及特點2025-12-01 10:51

高頻整流廣泛應用于現代開關電源、逆變器、RF電路以及通信設備中。與低頻整流不同，高頻整流要求二極管具備更高的開關速度、更低的反向恢復時間和更低的導通損耗。根據不同的電路需求，選用合適的MDD二極管對于提高效率、減少損耗、保持信號完整性至關重要。本文MDD將介紹在高頻整流情況下常用的幾種二極管類型及其性能特點。1.肖特基二極管（SchottkyDiode）肖特

MDD 二極管高頻整流
226瀏覽量
快速定位MOS故障的常見方法與解決方案2025-11-25 10:56

在電路設計和應用中，MDD的MOS晶體管是重要的開關元件。當MOS晶體管出現故障時，可能會導致系統(tǒng)無法正常工作，甚至引發(fā)損壞。對于MDDFAE工程師來說，快速定位和修復MOS故障是確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行的關鍵。本文MDD將探討常見的MOS故障類型、故障排查方法以及相應的修復方案。一、常見的MOS故障類型MOS管無法導通或無法關斷這種故障通常是由柵極驅動信號異常或M

MOSFET MOS晶體管電路設計
173瀏覽量
PMOS 和 NMOS 的區(qū)別及其在實際應用中的選擇2025-11-24 15:56

PMOS（正極性金屬氧化物半導體）和NMOS（負極性金屬氧化物半導體）是兩種基本的MDD辰達半導體的場效應晶體管（FET），它們的結構、工作原理和應用都有顯著的差異。理解這兩種晶體管的特點以及如何選擇它們，在實際的電子設計和電路調試中非常重要，尤其是在高頻、高效能電路和集成電路中。一、基本工作原理對比NMOS（負極性）：NMOS晶體管通常是由N型半導體材料構

MOSFET管 NMOS PMOS 半導體
249瀏覽量
高頻整流應該選用哪些MDD二極管？核心參數與物理機制詳解2025-11-18 10:50

在高頻整流應用中，選擇什么MDD二極管不是簡單的“耐壓夠就行”，而是必須綜合考慮反向恢復、正向壓降、漏電、溫升、浪涌能力，以及最終電路效率與EMI。許多工程師在幾十kHz以下仍然可以采用普通整流管，但當頻率提升到40kHz、100kHz、300kHz甚至1MHz時，二極管的物理特性會完全改變整流行為，導致損耗暴漲、波形畸變，甚至燒毀器件。一、普通整流二極管在

emi 二極管高頻整流
161瀏覽量
BMS主動均衡與被動均衡的工程設計差異及核心元器件解析2025-11-17 10:10

在電池管理系統(tǒng)（BMS）設計中，均衡策略始終是工程團隊必須優(yōu)先處理的問題之一。無論是電動兩輪車、儲能系統(tǒng)還是消費類鋰電產品，電芯一致性差都會導致容量無法完全釋放、整包壽命降低甚至觸發(fā)過充風險。工程上最常見的兩類方案是主動均衡與被動均衡。從工程實現角度拆解兩種策略的核心器件、設計難點及應用場景，MDD辰達半導體幫助研發(fā)工程師在產品架構選型上做出更具成本與可靠性

bms MOS 元器件
194瀏覽量
MDD MOSFET故障的快速定位與修復方法（通用電路篇）2025-11-13 10:04

在各類電源、電機驅動及控制電路中，MDD辰達半導體MOSFET是最常見的功率器件之一。由于其工作頻率高、電流大、溫升快，一旦出現故障，往往會造成系統(tǒng)停機甚至連帶燒毀其他元件。作為MDDFAE，如何快速定位問題、判斷失效類型并指導客戶恢復，是關鍵技能。一、常見故障類型分類在實際應用中，MOSFET的典型失效類型包括：短路失效（D-S導通）：漏源極間電阻近似為零

MOS MOSFET 通用電路板
193瀏覽量
MDD MOS導通電阻對BMS系統(tǒng)效率與精度的影響2025-11-12 11:02

在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關與保護核心元件，其導通電阻（RDS(on)）參數對系統(tǒng)性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調試或可靠性驗證過程中，經常遇到因導通電阻選型不當導致效率降低、采樣偏差或誤動作的問題。一、RDS(on)的基本定義與作用MOSFET的導通電阻RDS(on)是指器件在完全導

bms MOS 導通電阻
207瀏覽量
感性負載應用中整流二極管的典型問題與解決方案2025-11-03 11:24

在各種電源、電機控制、繼電器驅動及工業(yè)控制系統(tǒng)中，普通整流二極管常被用于抑制感性負載的反向電動勢，保護驅動電路安全。然而，很多工程師在實際設計中只關注“電流夠不夠、耐壓夠不夠”，忽視了電路動態(tài)特性、器件響應時間及散熱問題，導致整流二極管出現發(fā)熱、損壞或保護失效等問題。本文將從FAE角度，結合典型案例，分析感性負載應用中整流二極管常見問題及優(yōu)化建議。一、典型應

fae 感性負載整流二極管
263瀏覽量
MDD 邏輯IC的功耗管理與優(yōu)化策略2025-10-30 09:49

隨著數字電路設計的復雜度不斷提升，功耗管理成為了系統(tǒng)設計中不可忽視的重要議題。尤其是在移動設備、消費電子、嵌入式系統(tǒng)等領域，如何降低功耗以提高能源效率和延長電池壽命，已成為設計過程中關鍵的考慮因素之一。對于MDD辰達半導體邏輯IC（集成電路）而言，合理的功耗管理不僅能提升系統(tǒng)性能，還能有效延長設備的使用壽命。因此，作為FAE，在客戶的設計過程中，協(xié)助優(yōu)化功耗

功耗管理電路設計邏輯IC
194瀏覽量