在電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和應(yīng)用中，二極管作為關(guān)鍵的辰達(dá)半導(dǎo)體元件，廣泛應(yīng)用于整流、保護(hù)、開(kāi)關(guān)等各種電路中。然而，由于二極管的工作條件（如電流、溫度和功率）可能超過(guò)其額定值，容易導(dǎo)致熱失效。二極管的熱失效是指由于溫度過(guò)高而引起的性能下降或結(jié)構(gòu)破壞。如何判斷MDD辰達(dá)半導(dǎo)體二極管是否因熱失效而導(dǎo)致故障，是每個(gè)FAE工程師需要掌握的技能。本文將介紹常見(jiàn)的二極管熱失效判斷方

高頻整流廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代開(kāi)關(guān)電源、逆變器、RF電路以及通信設(shè)備中。與低頻整流不同，高頻整流要求二極管具備更高的開(kāi)關(guān)速度、更低的反向恢復(fù)時(shí)間和更低的導(dǎo)通損耗。根據(jù)不同的電路需求，選用合適的MDD二極管對(duì)于提高效率、減少損耗、保持信號(hào)完整性至關(guān)重要。本文MDD將介紹在高頻整流情況下常用的幾種二極管類型及其性能特點(diǎn)。1.肖特基二極管（SchottkyDiode）肖特

在電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用中，MDD的MOS晶體管是重要的開(kāi)關(guān)元件。當(dāng)MOS晶體管出現(xiàn)故障時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)無(wú)法正常工作，甚至引發(fā)損壞。對(duì)于MDDFAE工程師來(lái)說(shuō)，快速定位和修復(fù)MOS故障是確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。本文MDD將探討常見(jiàn)的MOS故障類型、故障排查方法以及相應(yīng)的修復(fù)方案。一、常見(jiàn)的MOS故障類型MOS管無(wú)法導(dǎo)通或無(wú)法關(guān)斷這種故障通常是由柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)異?；騇

PMOS（正極性金屬氧化物半導(dǎo)體）和NMOS（負(fù)極性金屬氧化物半導(dǎo)體）是兩種基本的MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），它們的結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用都有顯著的差異。理解這兩種晶體管的特點(diǎn)以及如何選擇它們，在實(shí)際的電子設(shè)計(jì)和電路調(diào)試中非常重要，尤其是在高頻、高效能電路和集成電路中。一、基本工作原理對(duì)比NMOS（負(fù)極性）：NMOS晶體管通常是由N型半導(dǎo)體材料構(gòu)

在高頻整流應(yīng)用中，選擇什么MDD二極管不是簡(jiǎn)單的“耐壓夠就行”，而是必須綜合考慮反向恢復(fù)、正向壓降、漏電、溫升、浪涌能力，以及最終電路效率與EMI。許多工程師在幾十kHz以下仍然可以采用普通整流管，但當(dāng)頻率提升到40kHz、100kHz、300kHz甚至1MHz時(shí)，二極管的物理特性會(huì)完全改變整流行為，導(dǎo)致?lián)p耗暴漲、波形畸變，甚至燒毀器件。一、普通整流二極管在

在電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，均衡策略始終是工程團(tuán)隊(duì)必須優(yōu)先處理的問(wèn)題之一。無(wú)論是電動(dòng)兩輪車、儲(chǔ)能系統(tǒng)還是消費(fèi)類鋰電產(chǎn)品，電芯一致性差都會(huì)導(dǎo)致容量無(wú)法完全釋放、整包壽命降低甚至觸發(fā)過(guò)充風(fēng)險(xiǎn)。工程上最常見(jiàn)的兩類方案是主動(dòng)均衡與被動(dòng)均衡。從工程實(shí)現(xiàn)角度拆解兩種策略的核心器件、設(shè)計(jì)難點(diǎn)及應(yīng)用場(chǎng)景，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體幫助研發(fā)工程師在產(chǎn)品架構(gòu)選型上做出更具成本與可靠性

在各類電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及控制電路中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET是最常見(jiàn)的功率器件之一。由于其工作頻率高、電流大、溫升快，一旦出現(xiàn)故障，往往會(huì)造成系統(tǒng)停機(jī)甚至連帶燒毀其他元件。作為MDDFAE，如何快速定位問(wèn)題、判斷失效類型并指導(dǎo)客戶恢復(fù)，是關(guān)鍵技能。一、常見(jiàn)故障類型分類在實(shí)際應(yīng)用中，MOSFET的典型失效類型包括：短路失效（D-S導(dǎo)通）：漏源極間電阻近似為零

在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為電池組充放電的開(kāi)關(guān)與保護(hù)核心元件，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）參數(shù)對(duì)系統(tǒng)性能有著直接且深遠(yuǎn)的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調(diào)試或可靠性驗(yàn)證過(guò)程中，經(jīng)常遇到因?qū)娮柽x型不當(dāng)導(dǎo)致效率降低、采樣偏差或誤動(dòng)作的問(wèn)題。一、RDS(on)的基本定義與作用MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(on)是指器件在完全導(dǎo)

在各種電源、電機(jī)控制、繼電器驅(qū)動(dòng)及工業(yè)控制系統(tǒng)中，普通整流二極管常被用于抑制感性負(fù)載的反向電動(dòng)勢(shì)，保護(hù)驅(qū)動(dòng)電路安全。然而，很多工程師在實(shí)際設(shè)計(jì)中只關(guān)注“電流夠不夠、耐壓夠不夠”，忽視了電路動(dòng)態(tài)特性、器件響應(yīng)時(shí)間及散熱問(wèn)題，導(dǎo)致整流二極管出現(xiàn)發(fā)熱、損壞或保護(hù)失效等問(wèn)題。本文將從FAE角度，結(jié)合典型案例，分析感性負(fù)載應(yīng)用中整流二極管常見(jiàn)問(wèn)題及優(yōu)化建議。一、典型應(yīng)

隨著數(shù)字電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度不斷提升，功耗管理成為了系統(tǒng)設(shè)計(jì)中不可忽視的重要議題。尤其是在移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、嵌入式系統(tǒng)等領(lǐng)域，如何降低功耗以提高能源效率和延長(zhǎng)電池壽命，已成為設(shè)計(jì)過(guò)程中關(guān)鍵的考慮因素之一。對(duì)于MDD辰達(dá)半導(dǎo)體邏輯IC（集成電路）而言，合理的功耗管理不僅能提升系統(tǒng)性能，還能有效延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。因此，作為FAE，在客戶的設(shè)計(jì)過(guò)程中，協(xié)助優(yōu)化功耗