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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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C3D20060D分立碳化硅肖特基二極管

型號: C3D20060D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 重復峰值反向電壓 600V
  • 浪涌峰值反向電壓 600V
  • 直流阻斷電壓 600V
  • 功耗 136.5-59W
  • 二極管dV/dt耐用 200V/ns
  • 工作結溫和存儲溫度 -55to+175?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C3D20060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。將碳化硅二極管與SiC MOSFET配對,在一起購買時可實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。

C3D20060D


好處
? 用單極整流器代替雙極
? 基本上沒有開關損耗
? 更高的效率
? 降低散熱器要求
? 沒有熱失控的并行器件


特征
? 600 伏肖特基整流器
? 零反向恢復電流
? 零正向恢復電壓
? 高頻操作
? 與溫度無關的開關行為
? 極快的切換
? VF 上的正溫度系數(shù)


應用
? 開關模式電源 (SMPS)
? PFC 或 DC/DC 級中的升壓二極管
? 逆變器級中的續(xù)流二極管
? AC/DC 轉換器


重復峰值反向電壓:600V
浪涌峰值反向電壓:600V
直流阻斷電壓:600V
功耗:136.5-59W
二極管dV/dt耐用性:200V/ns
工作結溫和存儲溫度:-55to+175?C

 

相關型號
C3D20060D C6D08065G
C3D02065E E3D08065G
C3D03065E C3D08065E
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C6D04065A C3D08065I
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C3D06065A C3D10065A
C6D06065E C6D10065E
C6D06065A C6D10065A
C3D06065I C3D10065I
C6D08065Q C3D12065A

 

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